h-nmr氫核磁共振波譜法(已修改)
2025-02-25 10:50 本頁(yè)面
【正文】 1HNMR 氫核磁共振波譜法 化學(xué)位移及其影響因素 ? 不同化學(xué)環(huán)境的質(zhì)子（即具有不同屏蔽參數(shù) σ的質(zhì)子）會(huì)一個(gè)接一個(gè)地產(chǎn)生共振。不同類型氫核因所處的化學(xué)環(huán)境不同，共振峰將出現(xiàn)在磁場(chǎng)的不同區(qū)域。 ? 這種由于分子中各組質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境不同，而在不同的磁場(chǎng)產(chǎn)生共振吸收的現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。 ? 因?yàn)榛瘜W(xué)位移數(shù)值很小，質(zhì)子的化學(xué)位移只有所用磁場(chǎng)的百萬(wàn)分之幾，所以要準(zhǔn)確測(cè)定其絕對(duì)值比較困難。 ? 實(shí)際工作中使用比值表示化學(xué)位移，符號(hào) δ 影響化學(xué)位移的因素 ? 1H核的核外電子云在外加磁場(chǎng)的作用下，產(chǎn)生對(duì)抗磁場(chǎng)，此對(duì)抗磁場(chǎng)對(duì)外加磁場(chǎng)產(chǎn)生屏蔽效應(yīng)，因而產(chǎn)生了化學(xué)位移。由于有機(jī)化合物分子中各個(gè)1H核所處的化學(xué)環(huán)境不同，產(chǎn)生的化學(xué)位移也不同，影響化學(xué)位移的因素有如下幾種： （ 1）電子效應(yīng) ? 所研究 1H核由電子云包圍，核外電子在外加磁場(chǎng)的作用下，產(chǎn)生與外加磁場(chǎng)方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng)，即屏蔽效應(yīng)，與質(zhì)子周圍的電子云密度有關(guān)。 ? 影響電子云密度的一個(gè)重要因素，就是與質(zhì)子相連接的原子或基團(tuán)的電負(fù)性的大?。? ?電負(fù)性大的取代基（吸電子基團(tuán)），可使鄰近氫核的電子云密度減少（去屏蔽效應(yīng)），導(dǎo)致該質(zhì)子的共振信號(hào)向低場(chǎng)移動(dòng)，化學(xué)位移左移； ?電負(fù)性小的取代基（給電子基團(tuán)），可使鄰近氫核的電子云密度增加（屏蔽效應(yīng)），導(dǎo)致該質(zhì)子的共振信號(hào)向高場(chǎng)移動(dòng)，化學(xué)位移右移。 CH3BrCH3CH2Br CH3(CH2)2BrCH3(CH2)3Br ?: CH3Cl ＜ CH2Cl2 ＜ CHCl3 ?: 移向高場(chǎng) CH3I CH3Br CH3Cl CH3F ?: 移向低場(chǎng) 移向低場(chǎng) CH2CH3 NO2 CH2CH3 NO2 CH2CH3 NO2 （ 2）磁各向異性效應(yīng) ? 實(shí)踐證明，化學(xué)鍵尤其是 π鍵，因電子流動(dòng)所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)，并通過(guò)空間影響到鄰近的氫核。這個(gè)由化學(xué)鍵產(chǎn)生的第二磁場(chǎng)是各向異性的，即在化學(xué)鍵周圍是不對(duì)稱的： ?有的地方與外加磁場(chǎng)方向一致，將增加外加磁場(chǎng)，
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