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半導(dǎo)體光電子學(xué)課件緒論(已修改)

2025-01-30 18:59 本頁(yè)面

　

【正文】半導(dǎo)體光電子學(xué) 緒論 1897年湯姆遜發(fā)現(xiàn)電子， 1905年愛(ài)因斯坦提出電子學(xué)說(shuō) —— 為半導(dǎo)體光電子學(xué)奠定了基礎(chǔ)。1953年 9月，美國(guó)馮 ?紐曼預(yù)言在半導(dǎo)體中產(chǎn)生受激發(fā)射的可能。 20世紀(jì) 60年代伯納德 (Bernard)和杜拉福格 (Duraffourg)給出了半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)受激輻射時(shí)的必要條件 —— 非平衡電子 ,空穴濃度的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)差必須大于受激發(fā)射能量。杜姆克 (Dmuke)提出采用直接隙半導(dǎo)體作激射媒質(zhì)。 1962年， GE公司的霍爾 (Hall)用諧振腔觀察到 GaAs PN結(jié)正向偏置的相干光發(fā)射。 19681970年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的潘尼希（ Panish)研究成功 AlGaAs/GaAs單

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