半導體物理第1章(1)(已修改)
2025-01-25 12:26 本頁面
【正文】 1 第一章 半導體中的電子狀態(tài) 思考題與練習題 1. 比較說明孤立原子中的電子、自由電子、晶體中的電子的運動狀態(tài)？ 2. 定性比較說明導體、絕緣體、半導體導電能力差異物理機制。 3. 說明描述晶體中的電子的有效質量的物理含義，與自由電子的慣性質量有何區(qū)別，其引入有何好處？ 2 第三章 半導體中載流子的統(tǒng)計分布 思考題 4. 空穴的物理含義？ 5. 簡述半導體的導電機構，與金屬比較。 6. 解釋等能面，簡述回旋共振測量有效質量的原理 7. 簡述 Si、 Ge的能帶結構特征 8. 簡述 GaAs的能帶結構特征 9. 比較 CdTe、 HgTe的 能帶結構 3 10.Ⅲ － Ⅴ 族或 Ⅱ － Ⅵ 族或 Ⅳ 族半導體中，那些可以形成混合晶體，其能帶結構隨組分的變化而如何變化？這些混合晶體有何應用？ ，當外加102V/m、 107V/m的電場時，分別計算出電子從能帶底運動到能帶頂?shù)臅r間 4 ?1設晶格常數(shù)為 a的一維晶格，導帶極小值 Ec（ k）和價帶極大值附近能量分別為： ? ?? ?? ?帶底時準動量的變化。）價帶頂電子躍遷到導（；）價帶頂電子有效質量（；）導帶底電子有效質量（）禁帶寬度；（求：＝，＝為電子慣性質量，43212136,
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1