對(duì)于一個(gè)成鍵或反鍵電子電離,核間平衡距離要發(fā)生很大變化,這樣(已修改)
2025-05-25 00:12 本頁(yè)面
【正文】 紫外光電子能譜譜線呈分離結(jié)構(gòu)，這提供了電子確實(shí)存在于量子化的分子軌道上的直接證據(jù)。對(duì)于一個(gè)成鍵或反鍵電子電離，核間平衡距離要發(fā)生很大變化，這樣 UPS圖的譜帶寬而復(fù)雜。對(duì)于一個(gè)非鍵或弱化學(xué)鍵電子電離，核間平衡距離變小，譜帶窄而簡(jiǎn)單。如果分子振動(dòng)能級(jí)很密，或者分子離子態(tài)與分子基態(tài)的核間距變化很大，則能帶呈連續(xù)的譜帶。 UPS有其局限性，故在應(yīng)用時(shí)常與其他表面分析方法結(jié)合使用。 角分辨紫外光電子能譜（ ARUPS）可用來檢測(cè)一些吸附質(zhì)在催化劑上的行為。 （ Auger）電子能譜 當(dāng)電子束或 X射線做激發(fā)源，使原子內(nèi)層電子被電離產(chǎn)生一個(gè)空穴后，其他能量較高軌道的電子填充這個(gè)空穴， 同時(shí)釋放出能量使其他電子（二次電離），這樣電離出來的電子是由 Auger首次發(fā)現(xiàn)的，稱之為 Auger電子。用電子動(dòng)能分析器分析俄歇電子，就得到俄歇電子能譜（ AES）。俄歇電子的能量與激發(fā)源的能量無(wú)關(guān)，改變 X光源時(shí)，光電子的能量會(huì)改變，而 Auger電子能量不會(huì)變，利用這一點(diǎn)可以區(qū)別 Auger電子峰和光電子峰。 俄歇電子能譜是研究固體表面的一種重要技術(shù)，已廣泛應(yīng)用于各種材料分析和催化、吸附、腐蝕等過程。 低能電子衍射 低能電子衍射的激發(fā)源是低能量（ 10300eV ）的電子束，只穿透表面幾層原子。低能電子衍射檢測(cè)的彈性散射電子，不同方向的電子通過相干散射而產(chǎn)生衍射，它用熒光屏來檢測(cè)衍射點(diǎn)。做 LEED測(cè)試，要求樣品表面清潔完整。低能電子衍射實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，單晶表面從原子水平上看是不規(guī)則的，也是不平整 的，表面上存在平臺(tái)、臺(tái)階、扭折位、附加原子、平臺(tái)上空位等幾種不同位置。 LEED是一個(gè)研究表面結(jié)晶學(xué)的重要方法，從實(shí)驗(yàn)可得到表面二維晶胞的大小、對(duì)稱性、表面重構(gòu)、表面缺陷及相關(guān)等信息。 趙汝光等用 LEED譜研究了硅表面 4個(gè)穩(wěn)定的高指數(shù)表面（ 1， 1， 11）、（ 1，0， 8）、（ 2， 1， 2）、（ 15， 1， 17）， 這些表面經(jīng)退火后都能給出屬于各自表面的 LEED圖，而不是小面化的，說明他們都是穩(wěn)定的。從它們的 LEED斑點(diǎn) 強(qiáng)度分布特征不僅可以推斷（ 15， 1，17）是主穩(wěn)定表面，而（ 1， 1， 11）、（ 1， 0， 8）和（ 2， 1， 2）是副穩(wěn)定表面，還能知道這些副穩(wěn)定表面的原胞結(jié)構(gòu)特征和許多重要細(xì)節(jié)。從原胞結(jié)構(gòu)特 征來看，這些副穩(wěn)定表面有可能用作生長(zhǎng)周期量子線的模板。 莊叔賢等采用 AES、 LEED、 XPS等研究了 Rh(1 0 0)上 Sm膜和 Sm/Rh表面合金以及 CO在這兩類模型表面的吸附與反應(yīng)。 電子能量損失譜 電子能量損失譜（ EELS）是入射電子因激發(fā)電子躍遷或表面原子的某一個(gè)振動(dòng)模式而
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