【總結(jié)】集成電路CAD總學(xué)分:2上課學(xué)分:(24學(xué)時(shí))實(shí)驗(yàn)學(xué)分:(16學(xué)時(shí))什么是集成電路CAD??ComputerAidedDesign?ComputerAidedDrafting?TodayweuseComputerAidedDraftingtoolstodraweachlayerofour
2025-08-01 14:45
【總結(jié)】 第1頁共10頁 集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展制度 為推動(dòng)我國軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,增加信息產(chǎn)業(yè) 創(chuàng)新能力和國際競爭力,帶動(dòng)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級換代,進(jìn) 一步促進(jìn)國民經(jīng)濟(jì)持續(xù)、快速、健康發(fā)展,...
2025-08-18 03:04
【總結(jié)】國際集成電路市場的發(fā)展趨勢-----------------------作者:-----------------------日期:2008年集成電路行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)分析報(bào)告摘要一、2007年我國經(jīng)濟(jì)保持高速發(fā)展,對集成電路制造行業(yè)產(chǎn)生影響喜憂參半2007年全年國內(nèi)生產(chǎn)總值246619億元,%,,連續(xù)五年增速達(dá)到或超過10%。工業(yè)生產(chǎn)增長
2025-06-23 01:15
【總結(jié)】國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀-----------------------作者:-----------------------日期:西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)招標(biāo)課題西安高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)配套環(huán)境研究西安電子科技大學(xué)經(jīng)濟(jì)管理學(xué)院課題組2006年12月西安高新區(qū)集成電路產(chǎn)
2025-06-24 07:46
【總結(jié)】EE141DAE1史江一2022年9月集成電路設(shè)計(jì)發(fā)展趨勢與IC專業(yè)從業(yè)優(yōu)勢DEE141AE22內(nèi)容1.幾個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例2.集成電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)3.SOC設(shè)計(jì)方法學(xué)與EDA技術(shù)趨勢4.IC專業(yè)從業(yè)優(yōu)勢EE141DAE
2025-02-21 21:15
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】集成電路常用單詞線路單元與支路單元Lineunitandtributaryunit鎖相Phase-lock定時(shí)基準(zhǔn)Timingreference帶電插拔Hotplug鈴流Ringingcurrent外同步模式Externalsynchronizationmode同步保持模式Synchronousholdovermod
2025-05-14 04:12
【總結(jié)】集成電路訂購合同 集成電路訂購合同 訂購合同 2004年07月20日 定購合同 為了明確雙方責(zé)任,以利于更好地進(jìn)行合作,經(jīng)雙方協(xié)商,特制定以下合同細(xì)則: 甲方(銷貨方):深圳市思邦電...
2024-12-16 22:06
【總結(jié)】集成電路制作合同 集成電路制作合同 立約人_________(以下簡稱甲方)與_________(以下簡稱乙方)。甲乙雙方為集成電路試制事宜,特立本合約,并同意條件如下: 第一條標(biāo)的物:委...
2024-12-17 00:19
【總結(jié)】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【總結(jié)】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【總結(jié)】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點(diǎn)與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報(bào)機(jī)、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-06 13:18
【總結(jié)】第五章常用時(shí)序集成電路及其應(yīng)用第一節(jié)計(jì)數(shù)器第二節(jié)寄存器第三節(jié)序列碼發(fā)生器第四節(jié)時(shí)序模塊的應(yīng)用小結(jié)第一節(jié)計(jì)數(shù)器按進(jìn)位方式,分為同步和異步計(jì)數(shù)器。按進(jìn)位制,分為模2、模10和任意模計(jì)數(shù)器。按邏輯功能,分為加法、減法和可逆計(jì)數(shù)器。按集成度,分為小規(guī)模與中規(guī)模集成計(jì)數(shù)器。用來計(jì)算輸入脈沖數(shù)目?計(jì)數(shù)器的分類
2024-12-31 23:03
【總結(jié)】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【總結(jié)】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設(shè)計(jì)?封裝技術(shù)3木版年畫?畫稿?刻版?套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-02-09 20:38