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正文內(nèi)容

傳感器的加工工藝(ppt30頁)-文庫吧

2025-02-04 16:26 本頁面


【正文】 硅的( 100)晶面向內(nèi)各向異性腐蝕;( b)懸臂梁開掩模,慢凸角根切速率的各向異性腐蝕圖;( c)掩模同( b)采用快速凸角根切速率性能的腐蝕劑,如 EDP,產(chǎn)生圈套程序的根切效果;( d)對( c)進一步腐蝕形成懸掛在坑上的懸臂梁;( e)圖示為在充分長時間的腐蝕后,各向異性腐蝕的根切使腐蝕的形狀收斂于預(yù)計的形狀 ? 干法腐蝕是利用粒子轟擊對材料的某些部位進行選擇性地剔除的一種工藝方法。 ? 主要采用純化學作用的等離子腐蝕及純物理作用的離子腐蝕或具有物理、化學作用的腐蝕方法,是利用氣相刻蝕劑與被刻蝕的樣品表面接觸而實現(xiàn)的刻蝕技術(shù)。 ? 當與被腐蝕物接觸時,就發(fā)生化學反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì),達到腐蝕目的。 干法腐蝕工藝 等離子刻蝕機 表面犧牲層技術(shù) ? 表面犧牲層技術(shù)就是在形成微機械結(jié)構(gòu)的空腔或可活動的微結(jié)構(gòu)過程中,先在下層薄膜上用結(jié)構(gòu)材料淀積所需的各種特殊結(jié)構(gòu)件,再用化學刻蝕劑將此層薄膜腐蝕掉,但不損傷微結(jié)構(gòu)件,然后得到上層薄膜結(jié)構(gòu)(空腔或微結(jié)構(gòu)件)。被去掉的下層薄膜只起分離層作用,故稱其為犧牲層( sacrificial layer,厚度約 12μ m)。 表面犧牲層技術(shù) 表面犧牲 層技術(shù) 薄膜工藝 ? 薄膜:一般將厚度在 稱為薄膜。 ? 在傳感器中,利用真空蒸鍍、濺射成膜、物理氣相沉積、化學氣相沉積( CVD)、 等離子化學氣相沉積等工藝,形成各種薄膜,如多晶硅膜、氮化硅膜、二氧化硅膜、金屬(合金
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