傳感器的加工工藝(ppt30頁)-文庫吧
2025-02-04 16:26 本頁面
【正文】 硅的（ 100）晶面向內(nèi)各向異性腐蝕；（ b）懸臂梁開掩模，慢凸角根切速率的各向異性腐蝕圖；（ c）掩模同（ b）采用快速凸角根切速率性能的腐蝕劑，如 EDP，產(chǎn)生圈套程序的根切效果；（ d）對(duì)（ c）進(jìn)一步腐蝕形成懸掛在坑上的懸臂梁；（ e）圖示為在充分長(zhǎng)時(shí)間的腐蝕后，各向異性腐蝕的根切使腐蝕的形狀收斂于預(yù)計(jì)的形狀 ? 干法腐蝕是利用粒子轟擊對(duì)材料的某些部位進(jìn)行選擇性地剔除的一種工藝方法。 ? 主要采用純化學(xué)作用的等離子腐蝕及純物理作用的離子腐蝕或具有物理、化學(xué)作用的腐蝕方法，是利用氣相刻蝕劑與被刻蝕的樣品表面接觸而實(shí)現(xiàn)的刻蝕技術(shù)。 ? 當(dāng)與被腐蝕物接觸時(shí)，就發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，達(dá)到腐蝕目的。 干法腐蝕工藝 等離子刻蝕機(jī) 表面犧牲層技術(shù) ? 表面犧牲層技術(shù)就是在形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的空腔或可活動(dòng)的微結(jié)構(gòu)過程中，先在下層薄膜上用結(jié)構(gòu)材料淀積所需的各種特殊結(jié)構(gòu)件，再用化學(xué)刻蝕劑將此層薄膜腐蝕掉，但不損傷微結(jié)構(gòu)件，然后得到上層薄膜結(jié)構(gòu)（空腔或微結(jié)構(gòu)件）。被去掉的下層薄膜只起分離層作用，故稱其為犧牲層（ sacrificial layer，厚度約 12μ m）。 表面犧牲層技術(shù) 表面犧牲 層技術(shù) 薄膜工藝 ? 薄膜：一般將厚度在 稱為薄膜。 ? 在傳感器中，利用真空蒸鍍、濺射成膜、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積（ CVD）、 等離子化學(xué)氣相沉積等工藝，形成各種薄膜，如多晶硅膜、氮化硅膜、二氧化硅膜、金屬（合金
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