員工pcb基礎培訓教材-文庫吧
2024-12-22 14:02 本頁面
【正文】 ameter: ?Min Blind Hole Diameter:3mil PTH/Panel Plating 能力 9 缺陷處理注意事項： 擦花：沉銅前擦花可沉上銅 ,沉銅后擦花露基材 . 孔內無銅：任何孔內的空洞不超過 3個，含空洞的孔數(shù)不超過 10%，所有破洞的環(huán)形度不超過 90度。 塞孔： VIA孔塞孔可考慮 UAI 10 干菲林 目的：經(jīng)鉆孔及通孔電鍍后 , 內外層已連通 , 本制程制作外層線路 , 以達電性的完整 . 干膜制作過程 ： 銅面處理 → 壓膜 → 曝光 → 顯像 11 銅面處理 為保證干膜與基板表面的粘附，要求基板表面無氧化層、油污、指印、灰塵顆粒及其它污物，同時為增大干膜與基板表面的接觸面積（處理后比處理前大三倍），還要求基板有微觀粗糙的表面， 貼膜 貼膜要掌握好 壓力 、 溫度 、 速度 三要素 大批量生產(chǎn)時，在要求的傳送速度下，熱壓輥難以提供足夠的熱量，因此，需給要貼膜的板子進行預熱。 完整的貼膜應是表面平整、無皺折、無氣泡、無灰塵顆粒等夾雜，為保持工藝的穩(wěn)定性，貼膜后應經(jīng)過 15分鐘的冷卻及恢復期再進行曝光。 12 曝光 曝光即在紫外光照射下，光引發(fā)劑吸收了光能分解成游離基，游離基再引發(fā)光聚合單體進行聚合交聯(lián)反應，反應后形成不溶于稀堿溶液的體型大分子結構。 曝光尺一般標準是 7~9格 13 顯像 是把尚未發(fā)生聚合反應的區(qū)域用顯像液將之沖洗掉，已感光部份則因已發(fā)生聚合反應而洗不掉仍留在銅面上成為蝕刻或電鍍之阻劑膜。 顯像點 是指未曝光的干膜完全被顯影掉的該點與顯影段入口的距離和顯影段總長的比值百分比。一般應落于 50 ~ 70%間。 如不及 ,銅面會有 scum（ 浮渣）殘留 ,則線邊有膜屑或 undercut過大 . 14 各缺陷處理注意事項 線路缺口、沖孔 A、 不超過線寬的最低要求或使線寬減小不超過 20%（平常處理此類板時，線寬減小不超過線寬最低要求的 20%時可考慮 UAI， 但對于 4MIL以下的細線來說，線寬減小不超過線寬最低要求的 5~10%） ； B、 缺口、破洞部分長度小于 (5mil)或小于導體長度的 10% C、 手指位缺口、沖孔在插件后是否暴露 大銅面缺損：一般大銅面缺損可接受，但華為客戶的板需慎重處理。 短路：能修理的須盡量修理，數(shù)量大時可找 ME是否可用負片做板修理。 15 目的：在線路上鍍上加厚銅，并加鉛錫保護，然后蝕刻呈現(xiàn)出線路來 . 蝕刻品質往往因水池效應 (pudding)而受限 ,(因新鮮藥液被積水阻撓 ,無法有效和銅面反應稱之水池效應 )這也是為何板子前端部份
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