led芯片制程-文庫吧
2024-12-22 01:06 本頁面
【正文】 程圖基板（襯底 ） 磊晶制程 磊晶片清洗蒸鍍光刻作業(yè)化學(xué)刻蝕 熔合 研磨切割單晶爐、切片機(jī)磨片機(jī)、拋光機(jī) 外延爐（ MOCVD）清洗機(jī)、烘箱蒸鍍機(jī) /電子槍烘烤 上光阻照相曝光 顯影刻蝕機(jī)減薄機(jī)清洗機(jī)切割機(jī)、清洗機(jī)、甩干機(jī)測(cè)試探針測(cè)試臺(tái)顆粒度檢測(cè)儀封裝12MOCVD外延藍(lán)寶石緩沖層NGaNpGaNMQWMOCVD是金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積 (Metalanic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫 MOCVD技術(shù)具有下列優(yōu)點(diǎn) : (l)適用范圍廣泛，幾乎可以生長(zhǎng)所有化合物及合金半導(dǎo)體 ?！ ?(2)非常適合于生長(zhǎng)各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料 ?！ ?(3)可以生長(zhǎng)超薄外延層，并能獲得很陡的界面過渡 ?！ ?(4)生長(zhǎng)易于控制 ?！ ?(5)可以生長(zhǎng)純度很高的材料 ?！ ?(6)外延層大面積均勻性良好 。 (7)可以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。13清洗有機(jī)物金屬離子清洗：通過有機(jī)溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機(jī)雜質(zhì)和金屬離子。主要溶劑有： H2SO4溶液、 H2O2溶液、氫氟酸溶液、鹽酸、 NH4OH等14n區(qū)光刻正性光刻膠光刻掩膜板紫外線 顯影光刻的目的就是在芯片或金屬薄膜上刻蝕出與掩模板完全對(duì)應(yīng)的集合圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜不限的目的。光刻膠：正膠和負(fù)膠曝光：光學(xué)曝光就可分為接觸式、接近式、投影式、直接分步重 復(fù)觸式，此外，還有電子束曝光和 X射線曝光等。顯影：濕法去膠，非金屬用濃硫酸去膠，金屬用有機(jī)溶劑去膠。
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