金屬和半導(dǎo)體的接觸-文庫吧
2025-07-21 16:17 本頁面
【正文】 在半導(dǎo)體表面形成電子勢壘 （阻擋層） ? WsWm，電子由金屬進入半導(dǎo)體， Vs0，能帶下降，表面是電子勢阱， 形成電導(dǎo)層（ 反阻擋層 ） 金屬和 n型半導(dǎo)體接觸能帶圖（ WmWs） （ 2）金屬與 p型半導(dǎo)體接觸 ? WmWs ，能帶上升，空穴勢阱，半導(dǎo)體表面是高電導(dǎo)壓，為 p型反阻擋層 ? WmWs ，能帶下降，形成空穴勢壘，為 p型阻擋層 優(yōu)缺點： ① 很好地解釋離子性半導(dǎo)體與金屬接觸時所形成的勢壘的物理本質(zhì)； ② 不能解釋不同金屬（ Wm不一樣）與同一種半導(dǎo)體接觸（ χ一定）時Φm與 Wm的差別； ③ 肖特基模型不是形成勢壘的唯一機理。 金屬和 p型半導(dǎo)體接觸能帶圖 (WmWs) (WmWs) （巴丁模型） ?? ??????????????mnsmnsnDnssmsD )(WEWWEqVEqVqWWqVqV 半導(dǎo)體問題的提出： 不同金屬與同一半導(dǎo)體接觸 金屬功函數(shù)相差很大，而勢壘高度相差很小 理論上 實際中 金屬一邊的勢壘高度應(yīng)隨金屬功函數(shù)而變化 金屬與半導(dǎo)體接觸是不同物質(zhì)之間的緊密接觸 界面 半導(dǎo)體固有表面態(tài) 勢壘或勢阱高度與 有關(guān) )(, sFF EE半導(dǎo)體表面態(tài)密度足夠高，平衡時半導(dǎo)體費米能級被鎖定在 )( sFE巴丁模型 阻擋層的整流特性 —— 外加電壓對阻擋層的作用 Rectification Theory of MetalSemiconductor Contact ? 概念 ?整流理論是指阻擋層的整流理論 ?緊密接觸的金屬和半導(dǎo)體之間有外加電壓 ?外加正向電壓 V于金屬（ V0），電壓主要降落在高阻區(qū)域阻擋層上。原來半導(dǎo)體表面和內(nèi)部之間的電勢差，即表面勢是 (Vs00)，現(xiàn)在應(yīng)為
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