微機原理與接口技術(shù)第3章-文庫吧
2025-07-20 15:21 本頁面
【正文】 只讀 、 斷電不丟失 詳細分類，請看圖示 圖 半導體存儲器的分類 半導體 存儲器 只讀存儲器 （ ROM） 隨機存取存儲器 （ RAM） 靜態(tài) RAM（ SRAM） 動態(tài) RAM（ DRAM） 集成 RAM 掩膜式 ROM 一次性可編程 ROM（ PROM） 紫外線擦除可編程 ROM（ EPROM） 電擦除可編程 ROM（ EEPROM） 詳細展開，注意對比 讀寫存儲器 RAM 組成單元 速度 集成度 應用 SRAM 觸發(fā)器 快 低 小容量系統(tǒng) DRAM 極間電容 慢 高 大容量系統(tǒng) 集成RAM 帶刷新電路 較快 高 大容量 只讀存儲器 ROM ? 掩膜 ROM： 信息制作在芯片中 ， 不可更改 ? PROM： 允許一次編程 ， 此后不可更改 ? EPROM： 用紫外光擦除 ， 擦除后可編程；并允許用戶多次擦除和編程 ? EEPROM（ E2PROM） ： 采用加電方法在線進行擦除和編程 ， 也可多次擦寫 ? Flash Memory（ 閃存 ） ：能夠快速擦寫的EEPROM， 但只能按塊 （ Block） 擦除 二、半導體存儲器的組成 地 址 寄 存 地 址 譯 碼 存儲體 控制電路 AB 數(shù) 據(jù) 寄 存 讀 寫 電 路 DB OE WE CS ① 存儲體 ? 存儲器芯片的主要部分 ， 用來存儲信息 ② 地址譯碼電路 ? 根據(jù)輸入的地址編碼來選中芯片內(nèi)某個特定的存儲單元 ③ 片選和讀寫控制邏輯 ? 選中存儲芯片 ， 控制讀寫操作 ① 存儲體（存儲矩陣） ? 每個存儲單元具有一個唯一的地址 ，可存儲 1位 （ 位片結(jié)構(gòu) ） 或多位 （ 字片結(jié)構(gòu) ） 二進制數(shù)據(jù) ? 存儲容量與地址 、 數(shù)據(jù)線個數(shù)有關(guān)： 芯片的存儲容量＝ 2M N ＝存儲單元數(shù) 存儲單元的位數(shù) M：芯片的 地址線根數(shù) N：芯片的 數(shù)據(jù)線根數(shù) 示例 ② 地址譯碼電路 譯碼器 A5 A4 A3 A2 A1 A0 63 0 1 存儲單元 64個單元 行譯碼 A2 A1 A0 7 1 0 列譯碼 A3A4A5 0 1 7 64個單元 單譯碼 雙譯碼 ? 單譯碼結(jié)構(gòu) ? 雙譯碼結(jié)構(gòu) ? 雙譯碼可簡化芯片設計 ? 主要采用的譯碼結(jié)構(gòu) ③ 片選和讀寫控制邏輯 ? 片選端 CS*或 CE* ? 有效時 ， 可以對該芯片進行讀寫操作 ? 輸出 OE* ? 控制讀操作 。 有效時 ， 芯片內(nèi)數(shù)據(jù)輸出 ? 該控制端對應系統(tǒng)的讀控制線 ? 寫 WE* ? 控制寫操作 。 有效時 ， 數(shù)據(jù)進入芯片中 ? 該控制端對應系統(tǒng)的寫控制線 三、半導體存儲器的讀寫操作 在 CPU向存儲器發(fā)出 讀操作
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