微機原理與接口技術第3章-在線瀏覽
2024-09-14 15:21本頁面
【正文】 ? 每個存儲單元存放多位 （ 16等 ） ? 每個存儲單元具有一個地址 SRAM： 一、 RAM的結構（續(xù)） ? DRAM的基本存儲單元是單個場效應管及其極間電容 ? 必須配備 “ 讀出再生放大電路 ” 進行刷新 ? 每次同時對一行的存儲單元進行刷新 ? 每個基本存儲單元存儲二進制數一位 ? 許多個基本存儲單元形成行列存儲矩陣 ? DRAM一般采用 “ 位結構 ” 存儲體： ? 每個存儲單元存放一位 ? 需要 8個存儲芯片構成一個字節(jié)單元 ? 每個字節(jié)存儲單元具有一個地址 DRAM： 二、常用 RAM芯片。 ROM的結構及其常用芯片 EPROM EPROM 2716 EPROM 2764 EEPROM EEPROM 2717A EEPROM 2864A 一、 ROM的結構 掩膜 ROM ： 第一章圖 123中的 D0~D3即為由半導體二極管構成的存儲器“位”電路，每位上是否有二極管是由程序決定，且在芯片出廠時固定下來，不可改變。 EPROM ? 頂部開有一個圓形的石英窗口 ， 用于紫外線透過擦除原有信息 ? 一般使用專門的編程器 （ 燒寫器 ）進行編程 ? 編程后 ， 應該貼上不透光封條 ? 出廠未編程前 ， 每個基本存儲單元都是信息 1 ? 編程就是將某些單元寫入信息 0 二、常用 ROM芯片 2716 ? 存儲容量為 2K 8 ? 24個 引腳： ? 11根地址線 A10～ A0 ? 8根數據線 DO7～ DO0 ? 片選 /編程 CE*/PGM ? 讀寫 OE* ? 編程電壓 VPP 功能 VDD A8 A9 VPP OE* A10 CE*/PGM DO7 DO6 DO5 DO4 DO3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DO0 DO1 DO2 Vss EPROM芯片 2764 ? 存儲容量為 8K 8 ? 28個 引腳： ? 13根地址線 A12～ A0 ? 8根數據線 D7～ D0 ? 片選 CE* ? 編程 PGM* ? 讀寫 OE* ? 編程電壓 VPP 功能 Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND Vcc PGM* NC A8 A9 A11 OE* A10 CE* D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 1
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