微機(jī)原理與接口技術(shù)第3章-文庫吧資料
2024-08-17 15:21本頁面
【正文】 系統(tǒng)中，輸入設(shè)備在 CPU的控制下將程序和數(shù)據(jù)送入存儲(chǔ)器， CPU從存儲(chǔ)器中提取程序，按程序的指令控制計(jì)算機(jī)的運(yùn)行，對(duì)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行相應(yīng)的處理，最后輸出設(shè)備在 CPU的控制下將存儲(chǔ)器中的結(jié)果送出打印顯示。第三章 存儲(chǔ)器 教學(xué)重點(diǎn) ?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成 ?芯片 SRAM 6264 ?芯片 EPROM 2764 ?SRAM、 EPROM與 CPU的連接 167。 概述 一、存儲(chǔ)器的基本概念 現(xiàn)代計(jì)算機(jī)將編好的程序和需要處理的數(shù)據(jù)事先存放在存儲(chǔ)器中，這樣計(jì)算機(jī)可以脫離人的干預(yù)而自動(dòng)運(yùn)行。 二、存儲(chǔ)器的性能指標(biāo) 存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量就是存儲(chǔ)器所能容納的二進(jìn)制信息的數(shù)量。 存儲(chǔ)容量的常用單位還有字節(jié)（ Byte），千字節(jié)（ KB）、兆字節(jié)（ MB）、和吉字節(jié)（ GB）。 讀 /寫時(shí)間 是指從存儲(chǔ)器接到讀（或?qū)懀┑拿畹酵瓿勺x（或?qū)懀┎僮魉玫臅r(shí)間，也稱為存儲(chǔ)器存取時(shí)間，用 TA表示。 讀 /寫周期 是指存儲(chǔ)器完成一次完整的存取操作所需的時(shí)間，即存儲(chǔ)器進(jìn)行兩次獨(dú)立的操作（讀或?qū)懀┧璧臅r(shí)間間隔，也稱存儲(chǔ)周期，用 TM表示。 存取速度 是指每秒從存儲(chǔ)器讀寫信息的數(shù)量，用BM表示，設(shè) W為存儲(chǔ)器傳送的數(shù)據(jù)寬度（位或字節(jié)），則 BM=W/TA，單位為位 /秒或字節(jié) /秒。 外存儲(chǔ)器 ，簡稱外存，（也叫輔存），其工作速度較低，不能直接與 CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，只有先將程序和數(shù)據(jù)送入內(nèi)存，才能被 CPU處理。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的工作原理 一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 ? 按制造工藝 ? 雙極型： 速度快 、 集成度低 、 功耗大 ? MOS型：速度慢 、 集成度高 、 功耗低 ? 按使用屬性 ? 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM： 可讀可寫 、 斷電丟失 ? 只讀存儲(chǔ)器 ROM：正常只讀 、 斷電不丟失 詳細(xì)分類，請(qǐng)看圖示 圖 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器 只讀存儲(chǔ)器 （ ROM） 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （ RAM） 靜態(tài) RAM（ SRAM） 動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 集成 RAM 掩膜式 ROM 一次性可編程 ROM（ PROM） 紫外線擦除可編程 ROM（ EPROM） 電擦除可編程 ROM（ EEPROM） 詳細(xì)展開，注意對(duì)比 讀寫存儲(chǔ)器 RAM 組成單元 速度 集成度 應(yīng)用 SRAM 觸發(fā)器 快 低 小容量系統(tǒng) DRAM 極間電容 慢 高 大容量系統(tǒng) 集成RAM 帶刷新電路 較快 高 大容量 只讀存儲(chǔ)器 ROM ? 掩膜 ROM： 信息制作在芯片中 ， 不可更改 ? PROM： 允許一次編程 ， 此后不可更改 ? EPROM： 用紫外光擦除 ， 擦除后可編程；并允許用戶多次擦除和編程 ? EEPROM（ E2PROM） ： 采用加電方法在線進(jìn)行擦除和編程 ， 也可多次擦寫 ? Flash Memory（ 閃存 ） ：能夠快速擦
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1