電子元器件失效性分析報告-文庫吧
2025-07-19 05:50 本頁面
【正文】 L)1F= 2 = exp(E(1?1))kTL11kTT21F=L2L1=exp(Ek(1T2?1))T1設(shè)定高溫為T1,低溫為T2,可求出F預(yù)計平均壽命的方法l 由高溫壽命L1推算常溫壽命L2l F=L2/L1l 對指數(shù)分布l L1=MTTF=1/λl λ失效率失效率＝試驗時間內(nèi)失效的元件 數(shù)初始時間未失效元件數(shù) 試驗時間溫度應(yīng)力－時間模型的簡化：十度法則l 內(nèi)容：從室溫算起，溫度每升高10度，壽命減半。l 應(yīng)用舉例：推算鋁電解電容壽命105C，壽命壽 1000h（標(biāo)稱值）55C, 壽命1000X2E5=32000h35C，壽命1000X2E7=128000h=128000/365/24=小結(jié)失效物理的定義：研究電子元器件失效機理的學(xué)科失效物理的用途：1 失效分析：確定產(chǎn)品的失效模式、失效機理，提出糾正措施，防止失效重復(fù)出現(xiàn)2 可靠性評價：根據(jù)失效物理模型，確定模擬試驗方法，評價產(chǎn)品的可靠性第二講 阻容元件失效機理電容器的失效機理l 電解電容l 鉭電容l 陶瓷電容l 薄膜電容電解電容的概況l 重要性：多用于電源濾波，一旦短路，后果嚴(yán)重l 優(yōu)點：電容量大，價格低l 缺點：壽命短，漏電流大，易燃l 延長壽命的方法：降溫使用，選用標(biāo)稱溫度高的產(chǎn)品電解電容的標(biāo)稱溫度與壽命的關(guān)系標(biāo)稱溫度（℃）85 105 125標(biāo)稱溫度壽命（h) 1000 1000 1000工作溫度（℃）35 35 35工作溫度壽命(h) 1000X2E5 1000X2E7 1000X2E932000 128000 912000 年 年電解電容的失效機理和改進(jìn)措施l 漏液：電容減小陽極氧化膜損傷難以修補，漏電流增大。l 短路放電：大電流燒壞電極l 電源反接：大電流燒壞電極，陰極氧化，絕緣膜增厚，電容量下降l 長期放置：不通電，陽極氧化膜損傷難以修補，漏電流增大。PDF created with pdfFactory Pro trial version 電解電容的陽極修復(fù)功能Al＋OH－PDF created with pdfFactory Pro trial version 改進(jìn)措施降溫使用，不做短路放電，電源不反接，經(jīng)常通電PDF created with pdfFactory Pro trial version l 過流燒毀l 正負(fù)極反接固體鉭電容PDF created with pdfFactory Pro trial version 陶瓷電容電路板彎曲引起芯片斷裂，漏電流增大PDF created with pdfFactory Pro trial version 陶瓷電容l 銀遷移引起邊緣漏電和介質(zhì)內(nèi)部漏電PDF created with pdfFactory Pro trial version 第三講 微電子器件失效機理PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效模式的概念和種類l 失效的表現(xiàn)形式叫失效模式l 按電測結(jié)果分類：開路、短路或漏電、參數(shù)漂移、功能失效PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效機理的概念l 失效的物理化學(xué)根源叫失效機理。例如l 開路的可能失效機理：過電燒毀、靜電損傷、金屬電遷移、金屬的電化學(xué)腐蝕、壓焊點脫落、CMCMOS電路的閂鎖效應(yīng)l 漏電和短路的可能失效機理：顆粒引發(fā)短路、介質(zhì)擊穿、pn微等離子擊穿、SiAl互熔PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效機理的概念（續(xù)）l 參數(shù)漂移的可能失效機理：封裝內(nèi)水汽凝結(jié)、介質(zhì)的離子沾污、歐姆接觸退化、金屬電遷移、輻射損傷
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