低壓擴(kuò)散應(yīng)用于晶硅太陽(yáng)電池的可行性工作總結(jié)報(bào)告-文庫(kù)吧
2025-07-18 23:34 本頁(yè)面
【正文】 工作小組設(shè)備優(yōu)化小組工藝研發(fā)小組試驗(yàn)生產(chǎn)小組設(shè)備改造工藝研發(fā)和試驗(yàn)試生產(chǎn)和品質(zhì)管控項(xiàng)目進(jìn)展報(bào)告（1） – 立足公司現(xiàn)有的擴(kuò)散設(shè)備，針對(duì)常規(guī)擴(kuò)散設(shè)備按低壓擴(kuò)散爐核心結(jié)構(gòu)進(jìn)行改造。低壓擴(kuò)散爐的核心結(jié)構(gòu)如圖2所示。從進(jìn)氣管1進(jìn)入工藝氣體，在腔室2中進(jìn)行低壓擴(kuò)散，尾氣從尾氣管3排出，泵9負(fù)責(zé)創(chuàng)造真空條件，泵出口連接排酸管道。為保證改造后爐體滿足低壓真空條件，除爐體做密封改良處理外，爐門更換為專門針對(duì)低壓擴(kuò)散的高密封性自冷爐門如圖3所示。前期改造工作在3個(gè)月左右時(shí)間基本完成。（2）–對(duì)于多晶硅，在低壓條件下，探索溫度、氣體流量、工藝步驟對(duì)擴(kuò)散方阻和擴(kuò)散均勻性的影響。研究初始低壓擴(kuò)散條件與最終所得電池片性能參數(shù)間的關(guān)系，成功設(shè)計(jì)并優(yōu)化初步得出一種高方阻的低壓擴(kuò)散工藝。（3）–運(yùn)用高方阻低壓擴(kuò)散工藝的基礎(chǔ)上，建立了中試生產(chǎn)線，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行試生產(chǎn)。對(duì)中途出現(xiàn)的問(wèn)題不斷排查原因并改善，經(jīng)過(guò)生產(chǎn)線近3個(gè)月的努力，已基本形成新工藝的批量生產(chǎn)能力。項(xiàng)目總結(jié)從2016年3月到2016年12月，浙江向日葵光能科技股份有限公司低壓擴(kuò)散應(yīng)用于晶硅太陽(yáng)能電池項(xiàng)目在公司領(lǐng)導(dǎo)的支持下，通過(guò)前期研究，可以運(yùn)用到生產(chǎn)中。主要研究?jī)?nèi)容本項(xiàng)目提出采用低壓擴(kuò)散工藝改善擴(kuò)散均勻性，它一種通過(guò)改善爐管氣密性、增加真空系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的擴(kuò)散方式，真空系統(tǒng)提供低壓力氛圍，從而增加三氯氧磷分子平均自由程，提高擴(kuò)散均勻性、穩(wěn)定性和成膜致密性；通過(guò)低壓擴(kuò)散工藝，可以獲得均勻的pn結(jié)結(jié)構(gòu)，更易實(shí)現(xiàn)淺結(jié)高方阻擴(kuò)散工藝，提升電池轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)低壓擴(kuò)散以其優(yōu)異的方阻均勻性大大提高單管產(chǎn)能，降低制造成本。我們的初步研究表明該工藝可以改善擴(kuò)散的均勻性。針對(duì)高方阻的低壓擴(kuò)散，成功設(shè)計(jì)出一種較實(shí)用的低壓擴(kuò)散工藝，其工藝步驟如圖4所示。進(jìn)舟抽真空升溫檢漏通氧擴(kuò)散推進(jìn)充氣出舟低壓擴(kuò)散工藝分如下三步進(jìn)行：(1)關(guān)閉放有硅片的擴(kuò)散爐爐門后,抽氣使?fàn)t內(nèi)壓強(qiáng)至設(shè)定壓強(qiáng)并用高溫氧化硅片,在硅片表面生成一薄層SiO2；(2)采用兩步擴(kuò)散法制備PN結(jié)：第一步低溫預(yù)擴(kuò)散,第二
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