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正文內(nèi)容

項(xiàng)目名稱:表面等離子體超分辨成像光刻基礎(chǔ)研究首席科學(xué)家:-文庫(kù)吧

2025-06-08 14:54 本頁(yè)面


【正文】 域特性。(2)引入電磁能量補(bǔ)償機(jī)制,探索在365nm或193nm等光刻波長(zhǎng)下的增益材料和技術(shù),通過(guò)在超衍射材料中嵌入有源材料實(shí)現(xiàn)SP波能量補(bǔ)償,理論和實(shí)驗(yàn)分析研究在該材料中的超衍射行為。(3)通過(guò)在感光層與超分辨成像器件之間建立局域共振模式,利用SP成像光場(chǎng)耦合效應(yīng)增加成像距離。、實(shí)現(xiàn)和調(diào)控方法研究方面:(1)表面等離子體亞波長(zhǎng)高分辨光學(xué)成像及光刻過(guò)程中的焦深調(diào)控和能量損耗補(bǔ)償問(wèn)題。結(jié)合超分辨結(jié)構(gòu)(SuperRENS) 技術(shù),引入非線性光學(xué)效應(yīng)及有源層,優(yōu)化材料以及結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)以提高空間分辨力、局域場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)及激射過(guò)程,實(shí)現(xiàn)焦深調(diào)控和能量損耗補(bǔ)償。針對(duì)光刻過(guò)程中的焦深調(diào)控,研究光刻結(jié)構(gòu)復(fù)合非線性光學(xué)材料或光敏材料的非線性過(guò)程、及其對(duì)局域光場(chǎng)的調(diào)控、對(duì)焦距、能量集中度、形狀的影響。對(duì)于光刻與成像中的能量補(bǔ)償問(wèn)題,發(fā)展有源層光刻及成像結(jié)構(gòu),研究有源層結(jié)構(gòu)中諧振腔效應(yīng)對(duì)表面等離子波的受激輻射以及高頻信息的放大與補(bǔ)償問(wèn)題;研究表面等離子光學(xué)感光非線性效應(yīng)及其超高分辨光刻、分層光刻過(guò)程;研究曲面超分辨成像結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)中表面等離子激元增強(qiáng)的非線性光刻成像。(2)建立小型化、集成化軸對(duì)稱偏振光源,研究成像、光刻結(jié)構(gòu)中SP的徑向偏振光高效最優(yōu)激發(fā),及其光場(chǎng)的矢量性、軸對(duì)稱性對(duì)局域光場(chǎng)的調(diào)控作用。(3)發(fā)展針對(duì)高分辨光學(xué)光刻結(jié)構(gòu)的新測(cè)試手段和方法。發(fā)展如SP散射、熒光相關(guān)、以及局域場(chǎng)信標(biāo)等超分辨成像技術(shù),開(kāi)展金屬納米顆粒陣列結(jié)構(gòu)、亞波長(zhǎng)金屬薄膜結(jié)構(gòu)以及復(fù)合結(jié)構(gòu)等的特征參數(shù)、光學(xué)特性的測(cè)量。:(1)以常用紫外、深紫外光刻光源為工作波長(zhǎng),設(shè)計(jì)和制備相應(yīng)的陣列化、超衍射聚焦和超分辨成像器件。建立掃描光刻和投影成像光刻兩種工作模式的光學(xué)光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng);系統(tǒng)結(jié)構(gòu)主要包括紫外均勻照明系統(tǒng)、基片工件臺(tái)、超透鏡和超衍射聚焦承載和精密調(diào)焦調(diào)平機(jī)構(gòu)、輔助投影光刻物鏡系統(tǒng)、掩模臺(tái)等部分。理論和實(shí)驗(yàn)研究實(shí)現(xiàn)納米圖形光刻的技術(shù)途徑、不同照明方式下的光刻分辨力、掩模結(jié)構(gòu)優(yōu)化和波前處理等問(wèn)題。(2)光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的關(guān)鍵單元技術(shù)方案主要有基于近場(chǎng)光學(xué)光纖探針納米定位和距離測(cè)定技術(shù),利用自主調(diào)焦技術(shù),利用近場(chǎng)莫爾條紋技術(shù)監(jiān)控納米精度的調(diào)焦?fàn)顟B(tài),通過(guò)以上技術(shù)方法,設(shè)計(jì)和構(gòu)造與超衍射和超分辨成像器件相適應(yīng)的工件臺(tái)、精密調(diào)平調(diào)焦等單元技術(shù),并集成到實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中,實(shí)現(xiàn)超分辨顯微觀測(cè)和光學(xué)光刻實(shí)驗(yàn)應(yīng)用研究演示。(3)光刻工藝是SP光學(xué)光刻技術(shù)的重要組成部分。超分辨成像器件具有利用傳統(tǒng)長(zhǎng)波長(zhǎng)光源實(shí)現(xiàn)32nm線寬以下光刻分辨力的理論和技術(shù)優(yōu)勢(shì),同時(shí)在很大程度上保障了光刻材料、光刻工藝與傳統(tǒng)光刻技術(shù)兼容。但是在一些光刻工藝技術(shù)細(xì)節(jié)方面,需要結(jié)合超分辨成像器件的實(shí)際光刻模式和特性,針對(duì)配套的掩模設(shè)計(jì)和制備技術(shù)、光學(xué)光刻材料處理工藝、圖形傳遞等方面技術(shù)調(diào)整,或者發(fā)展針對(duì)性的輔助光刻工藝,最終建立滿足光刻分辨力和圖形質(zhì)量要求的SP光學(xué)光刻工藝。1. 本項(xiàng)目提出的SP超分辨成像光學(xué)光刻,突破了衍射極限,采用長(zhǎng)波長(zhǎng)光源達(dá)到了傳統(tǒng)光學(xué)光刻技術(shù)無(wú)法獲得的光刻分辨力。本項(xiàng)目將獲得32nm線寬分辨力的SP超分辨成像器件及其實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,得到16nm線寬節(jié)點(diǎn)的超分辨成像設(shè)計(jì)結(jié)果,為未來(lái)16nm、甚至10nm以下線寬的光學(xué)光刻技術(shù)奠定了理論和方法基礎(chǔ),同時(shí)也為我國(guó)中長(zhǎng)期科技戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃中的“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”和“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”兩個(gè)重大專項(xiàng)提供前沿制造技術(shù)基礎(chǔ)。2. 項(xiàng)目提出建立衍射受限與超衍射光學(xué)成像統(tǒng)一的理論和技術(shù)體系,可以實(shí)現(xiàn)超分辨成像器件與傳統(tǒng)光學(xué)成像系統(tǒng)一體化的設(shè)計(jì)、分析和評(píng)價(jià),不僅豐富和完備了傳統(tǒng)光學(xué)成像理論知識(shí)體系,而且具有技術(shù)兼容性和繼承性,對(duì)于超分辨成像光學(xué)光刻具有重要意義。目前SP超分辨成像理論和技術(shù)研究都集中在提高分辨力方面,對(duì)于系統(tǒng)描述成像特性的理論知識(shí),例如像差、焦深、畸變等影響成像質(zhì)量和光刻圖形質(zhì)量的關(guān)鍵問(wèn)題,尚未見(jiàn)研究報(bào)道。本項(xiàng)目將系統(tǒng)地、全面地開(kāi)展SP超分辨成像特性研究,并建立衍射受限與超衍射成像統(tǒng)一的理論和技術(shù)體系,從而為SP超分辨成像技術(shù)的應(yīng)用并與傳統(tǒng)光學(xué)成像技術(shù)的對(duì)接奠定理論和技術(shù)基礎(chǔ)。針對(duì)SP成像光刻技術(shù)中的具體關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題,本項(xiàng)目提出了創(chuàng)新性的研究思路和解決途徑。例如,提出平面縮小SP光學(xué)光刻成像器件,采用縮放倍率的SP光學(xué)光刻成像器件能夠有效地解決掩模制備工藝中特征尺寸為32nm結(jié)構(gòu)圖形的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn),其平面特性能夠更好地與傳統(tǒng)光學(xué)光刻工藝相兼容,為衍射受限光學(xué)光刻系統(tǒng)的集成奠定了理論和技術(shù)基礎(chǔ)。目前,SP超分辨成像技術(shù)絕大部分是等倍率縮放,或在曲面結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)縮小倍率成像(如Hyperlens等),對(duì)實(shí)際應(yīng)用帶來(lái)巨大困難。本項(xiàng)目提出平面結(jié)構(gòu)的縮小SP光學(xué)光刻成像器件,將很好地解決這一難題。此外,針對(duì)SP超分辨成像工作距短和焦深淺等關(guān)鍵技術(shù)難題,提出表面等離子體波前工程理論和技術(shù)的研究思路,建立SP超分辨成像光刻技術(shù)的“波前工程”理論技術(shù)體系,同時(shí)結(jié)合SP耦合匹配膜層結(jié)構(gòu)思想,拓展SP超分辨成像的工作距和焦深,解決SP光學(xué)光刻應(yīng)用方面的重大技術(shù)困難,進(jìn)一步促進(jìn)SP光學(xué)光刻技術(shù)向?qū)嵱没较虬l(fā)展。目前,這方面的研究尚未見(jiàn)報(bào)道。本項(xiàng)目課題的設(shè)置分為基礎(chǔ)性和應(yīng)用基礎(chǔ)性兩個(gè)層次。各個(gè)課題都緊密圍繞項(xiàng)目總體目標(biāo)和關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題開(kāi)展研究,或者從SP成像光刻分辨力、光刻介質(zhì)、光刻質(zhì)量、光刻效率、光刻器件、光刻工藝等不同側(cè)面,或者選擇不同的理論體系,圍繞SP超分辨成像光刻研究的重大科技問(wèn)題開(kāi)展協(xié)同研究,彼此既有關(guān)聯(lián)又有各自主攻的科研目標(biāo)。第一課題研究SP光刻極限分辨力的理論問(wèn)題以及提高SP分辨力極限的物理機(jī)制,是SP光刻分辨力研究的理論基石。第二課題研究SP與光刻介質(zhì)相互作用機(jī)理,建立SP與光刻介質(zhì)作用的數(shù)理模型,并分析光刻材料對(duì)光刻分辨力的影響特性。該課題是研究SP光刻工藝的理論基礎(chǔ)。第三課題針對(duì)影響SP光刻效率的關(guān)鍵物理問(wèn)題展開(kāi)研究,包括有效減少SP損耗的物理和技術(shù)途徑,以及調(diào)控SP材料介電常數(shù)、損耗等特性的物理機(jī)制和途徑,為低損耗的SP超分辨成像器件的研究提供材料基礎(chǔ)。 第四課題研究波前工程技術(shù)、SP超衍射光學(xué)光刻工藝技術(shù)等提高SP光刻圖形質(zhì)量的原理和方法,是最終形成制作高深寬比、面形誤差小、高質(zhì)量光刻圖形的理論和實(shí)驗(yàn)基石。第五課題研究SP超衍射材料、超分辨SP成像器件的物理原理和實(shí)現(xiàn)方法,為新一代光學(xué)光刻技術(shù)奠定重要理論和技術(shù)基礎(chǔ)。課題之間的相互關(guān)系如下圖所示:圖41 項(xiàng)目課題及主要承擔(dān)單位之間的關(guān)系示意圖課題限制SP光刻分辨力的物理因素和解決途徑預(yù)期目標(biāo):經(jīng)過(guò)五年的努力,本課題預(yù)期達(dá)到的目標(biāo)為:,得到SP成像分辨力、視場(chǎng)、焦深受限的物理因素并給出理論解決途徑,研究影響SP成像和光刻分辨力極限的物理因素,探索其理論分辨力極限。、超分辨成像理論仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)平臺(tái)。提供描述436nm、365nm、248nm或193nm波長(zhǎng)入射光波前分布、偏振狀態(tài)、膜層厚度、平整度、均勻度等因素對(duì)成像分辨力影響的數(shù)值模擬軟件和詳細(xì)說(shuō)明,給出能夠?qū)崿F(xiàn)波前調(diào)控提高SP光刻的波前調(diào)制器件或預(yù)畸變器件的設(shè)計(jì)軟件,給出實(shí)現(xiàn)SP光刻長(zhǎng)焦深器件設(shè)計(jì)軟件和詳細(xì)說(shuō)明。 (100nm@32nm線寬)的有效方法,并為項(xiàng)目總體提供一套焦深檢測(cè)系統(tǒng)方案并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。~45篇,申請(qǐng)專利10項(xiàng)。培養(yǎng)研究生10~15名。研究?jī)?nèi)容本課題以SP超分辨光學(xué)成像光刻為主要目標(biāo),集中力量進(jìn)行SP超分辨成像過(guò)程中的物理問(wèn)題的研究,主要內(nèi)容有:(1)建立理論仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)平臺(tái)。建立基于SP光學(xué)的超分辨成像模型,系統(tǒng)地描述SP超衍射成像光刻的物理過(guò)程,發(fā)展并完善SP超衍射成像的數(shù)值計(jì)算方法和理論模型,研究SP體與電磁瞬逝波相互作用機(jī)理及其傳播、耦合特性, 研究限制SP超衍射成像性能的因素,對(duì)SP超衍射成像光刻分辨力的理論極限進(jìn)行預(yù)測(cè)和分析。針對(duì)SP超衍射成像的機(jī)理,在436nm、365nm、248nm或193nm波長(zhǎng)光源條件下,提出提高縮放倍率,焦深和工作距離的方法途徑,為高分辨力,長(zhǎng)焦深和長(zhǎng)工作距離的SP超衍射光刻器件的設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo)。在365nm波長(zhǎng)光源條件下建立優(yōu)化設(shè)計(jì)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)對(duì)波前調(diào)控器件的設(shè)計(jì)。建立傳統(tǒng)光刻技術(shù)與SP光刻技術(shù)的銜接, 探索利用傳統(tǒng)光學(xué)的波前調(diào)控和預(yù)畸變技術(shù)提高SP光刻質(zhì)量的方法途徑。(2)研究各種因素對(duì)SP成像性能的影響。利用內(nèi)容(1)建立的理論模型和數(shù)值計(jì)算平臺(tái)系統(tǒng)研究各種因素對(duì)SP成像性能的影響。研究入射光的波長(zhǎng)、波前分布、偏振特性、相干特性等對(duì)光刻質(zhì)量的影響,為SP光刻照明選擇提供依據(jù);研究成像掩模質(zhì)量,如圖形深度、邊緣形貌、圖形質(zhì)量等對(duì)SP光刻質(zhì)量的影響,為制定SP掩模設(shè)計(jì)和工藝標(biāo)準(zhǔn)提供依據(jù)。研究膜層厚度、重復(fù)周期、平整度、均勻度等因素對(duì)成像質(zhì)量的影響,為SP超分辨成像器件的設(shè)計(jì)制作提供指導(dǎo)。探索對(duì)SP成像波長(zhǎng)、振幅、位相、傳輸方向、偏振態(tài)、態(tài)密度等參數(shù)的操控理論和方法,為結(jié)合光刻膠工藝進(jìn)一步提高SP光刻質(zhì)量提供前提。(3)探索進(jìn)一步提高SP成像質(zhì)量的理論機(jī)理和技術(shù)途徑。在前面工作的基礎(chǔ)上,同課題4,5 結(jié)合,研究提高SP光刻質(zhì)量的理論機(jī)制和技術(shù)途徑。研究SP超衍射成像的圖像質(zhì)量,建立相應(yīng)的表征體系,研究SP成像像差表征、描述、產(chǎn)生的原因和相應(yīng)的克服方法。研究提高SP成像分辨力,擴(kuò)大視場(chǎng)以及焦深的切實(shí)可行的解決方法,利用楊顧算法等優(yōu)化設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)基于SP成像的長(zhǎng)焦深成像器件、相移器件等亞波長(zhǎng)光學(xué)器件,用于改善SP成像質(zhì)量。進(jìn)行二維、三維陣列化SP成像、聚焦光刻功能器件的性能分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)。(4)擴(kuò)展SP成像焦深的器件設(shè)計(jì)、制作和實(shí)驗(yàn)表征。利用SP成像原理模型,在365nm波長(zhǎng)光源條件下通過(guò)在傳統(tǒng)光刻輸入端或SP成像時(shí)對(duì)相位進(jìn)行調(diào)制,擴(kuò)展成像焦深,改進(jìn)工作距離。同其他課題合作,通過(guò)波前調(diào)制,控制SP成像的特性,實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)焦深成像。研發(fā)一種焦深檢測(cè)的系統(tǒng)方案并實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。經(jīng)費(fèi)比例:11%承擔(dān)單位:首都師范大學(xué)課題負(fù)責(zé)人:張巖學(xué)術(shù)骨干:劉娟、周云松、劉樹(shù)田、董碧珍 課題SP與光刻介質(zhì)相互作用的機(jī)理研究預(yù)期目標(biāo):本課題針對(duì)表面等離子體超分辨成像光刻中SP光場(chǎng)與光刻介質(zhì)相互作用,研究在365nm波長(zhǎng)光源條件下SP與光刻介質(zhì)相互作用過(guò)程中電磁能量轉(zhuǎn)換機(jī)制,分析光刻介質(zhì)性能參數(shù)與光刻分辨力和圖形質(zhì)量之間的關(guān)系,建立SP光刻過(guò)程的物理描述和分析方法;基于光學(xué)非線性等效應(yīng),發(fā)展新型SP光刻介質(zhì),提高SP光刻的分辨力和靈敏度。,以及光刻介質(zhì)性能參數(shù)與光刻分辨力和圖形質(zhì)量之間的關(guān)系。建立SP與光刻介質(zhì)相互作用過(guò)程的物理描述和分析方法。,發(fā)展出提高SP光刻分辨力和靈敏度的新型SP光刻介質(zhì),為32nm線寬節(jié)點(diǎn)以下SP光刻技術(shù)提供物理和技術(shù)支撐。給出32nm線寬光刻介質(zhì)和超分辨力光刻方法的研究結(jié)果,提供完整詳細(xì)可重復(fù)的工藝技術(shù)報(bào)告。,申請(qǐng)專利610項(xiàng)。培養(yǎng)研究生1015名。通過(guò)項(xiàng)目設(shè)置,引進(jìn)吸引人才,培養(yǎng)一支高水平的表面等離子體超分辨成像光刻基礎(chǔ)研究的人才和技術(shù)隊(duì)伍。研究?jī)?nèi)容:。研究在365nm波長(zhǎng)光源條件下SP激發(fā)的過(guò)程和場(chǎng)分布特點(diǎn);研究光刻掩模高頻分量與SP的耦合、轉(zhuǎn)化以及SP與光刻介質(zhì)間電磁能量耦合和轉(zhuǎn)換過(guò)程;分析光刻結(jié)構(gòu)中SP的場(chǎng)分布特點(diǎn)與光刻效率、圖形質(zhì)量的關(guān)系;研究掩模版結(jié)構(gòu)參數(shù)、膜層結(jié)構(gòu)特點(diǎn),以及光刻介質(zhì)的特性對(duì)SP光刻過(guò)程中電磁能量利用和轉(zhuǎn)換的影響。、表面平整度與SP光刻圖形質(zhì)量的關(guān)系。研究并分析在365nm波長(zhǎng)光源條件下SP光場(chǎng)聚焦特點(diǎn)、光刻介質(zhì)性能參數(shù)、膜層參數(shù)、材料匹配以及金屬固有吸收損耗等對(duì)分辨力和圖形質(zhì)量的影響;進(jìn)行SP光刻中相干效應(yīng)以及改善SP光刻線條對(duì)比度、陡度、邊緣粗糙度的方法研究。開(kāi)展基于耦合理論描述光刻過(guò)程中高頻信息的傳遞、光學(xué)遠(yuǎn)場(chǎng)信息到近場(chǎng)變換的研究;基于微擾理論分析光刻結(jié)構(gòu)特征參數(shù)對(duì)分辨力和圖形質(zhì)量的影響,給出SP光刻微觀和宏觀過(guò)程的物理描述。發(fā)展用于描述SP光刻工藝過(guò)程的數(shù)值仿真方法,建立相應(yīng)的非線性時(shí)域和頻域有限差分法、嚴(yán)格耦合波(RCWA)等計(jì)算分析工具。,研究光學(xué)非線性等效應(yīng)對(duì)SP光刻及介質(zhì)性能的影響。引入矢量光場(chǎng)、非線性光學(xué)效應(yīng),研究徑向偏振光高效最優(yōu)SP激發(fā)過(guò)程及特性對(duì)成像光刻空間分辨力及局域場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)的影響。研究非線性等效應(yīng)對(duì)SP光刻介質(zhì)中局域光場(chǎng)分布,以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。探索金屬納米團(tuán)簇的加入對(duì)SP光刻介質(zhì)分辨力、靈敏度焦深等性能的改進(jìn)。研究金屬納米團(tuán)簇的種類、尺寸、濃度、形狀等參數(shù)及引入方式對(duì)SP光刻介質(zhì)性能的調(diào)控。研究金屬納米團(tuán)簇與感光顆粒的微觀結(jié)構(gòu)、分布形態(tài)對(duì)光刻靈敏度的影響。經(jīng)費(fèi)比例:11%承擔(dān)單位:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院物理研究所、中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所課題負(fù)責(zé)人:明海學(xué)術(shù)骨干:王沛、周岳亮、王燦、魯擁華、潘麗 課題影響SP光刻效率的關(guān)鍵物理問(wèn)題預(yù)期目標(biāo):、耦合過(guò)程中電磁能量損耗的物理規(guī)律,得到有效減少SP損耗的物理機(jī)制和技術(shù)途徑,建立損耗影響SP光刻效率的分析方法和提高途徑,深入研究調(diào)控SP材料介電常數(shù)、損耗、色散行為的物理機(jī)制和技術(shù)途徑。、Au、Al材料膜層,給出介電常數(shù)的測(cè)試結(jié)果(介電常數(shù)實(shí)部調(diào)制范圍:3~10) ,提供完整詳細(xì)可重復(fù)的工藝技術(shù)報(bào)告。、耦合多層金屬介質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu),明確該結(jié)構(gòu)樣品的工藝制備方法以及其中SP傳輸和耦合損耗特性的測(cè)試分析方法,獲得指導(dǎo)性結(jié)果。 ,在20 300nm的SP橫向傳輸波長(zhǎng)范圍內(nèi)(工作波長(zhǎng)365nm和193nm),論證SP傳輸與耦合損耗小于0. 2dB / mm的可行性,同時(shí)研究可重復(fù)的多層金屬、介質(zhì)膜層制備工藝和條件,提供完整詳細(xì)可重復(fù)的工藝技術(shù)報(bào)告代替 “20mm薄膜的制備”的目標(biāo)。~40篇,申請(qǐng)專利10項(xiàng)以上。培養(yǎng)研究生10~15名。研究?jī)?nèi)容:本課題的5年主要研究?jī)?nèi)容如下:、傳輸衰減的物理機(jī)制和規(guī)律在已有的先期工作基礎(chǔ)上,深入開(kāi)展SP模式特性、傳輸損耗特性和各種SP模式之間耦合特性的基礎(chǔ)理論研究,明確其與SP傳輸、耦合結(jié)構(gòu)參量的相關(guān)性,為相關(guān)器件的設(shè)計(jì)提供理論依據(jù)。在研究SP傳輸、耦合物理機(jī)制和規(guī)律的基礎(chǔ)上,針對(duì)SP傳輸損耗大的瓶頸問(wèn)題,開(kāi)展SP在增益材料中的傳輸
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