清華大學(xué)20xx年材料科學(xué)基礎(chǔ)試卷及答案-文庫吧
2025-06-07 17:25 本頁面
【正文】 坐標(biāo)：FCC ；BCC ；HCP ；每個(gè)晶胞中的八面體間隙數(shù)量為：FCC 個(gè)；BCC 個(gè)；HCP 個(gè)。 6. 體心單斜是不是一種獨(dú)立的布拉菲點(diǎn)陣，請(qǐng)說明理由。7. GaAs和GaN分別為閃鋅礦和纖鋅礦結(jié)構(gòu)，請(qǐng)分別畫出二者的一個(gè)晶胞。8. 由600℃降至300℃時(shí)，鍺晶體中的空位平衡濃度降低了六個(gè)數(shù)量級(jí)。試計(jì)算鍺晶體中的空位形成能（波爾茲曼常熟κ＝10－5eV/K）二、（15分）有一單晶鋁棒，棒軸為，今沿棒軸方向拉伸，請(qǐng)分析：（1）初始滑移系統(tǒng)；（2）雙滑移系統(tǒng)（3）開始雙滑移時(shí)的切變量γ；（4）滑移過程中的轉(zhuǎn)動(dòng)規(guī)律和轉(zhuǎn)軸；（5）試棒的最終取向（假定試棒在達(dá)到穩(wěn)定取向前不斷裂）。三、（10分）如圖所示，某晶體滑移面上有一柏氏矢量為的圓環(huán)形位錯(cuò)環(huán)，并受到一均勻切應(yīng)力τ的作用。（1）分析各段位錯(cuò)線受力情況，并在圖上標(biāo)示受力方向；（2）在τ作用下，若要使該位錯(cuò)環(huán)在晶體中穩(wěn)定
外語相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1