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2025-04-28 02:09 本頁面
【正文】 象。 pn結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 PN結(jié)的形成及特性 ? 1 PN結(jié)的形成 ? 2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? ? 3 PN結(jié)的反向擊穿 ? 4 PN結(jié)的電容效應(yīng) PN節(jié)的形成 在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì) ,分別形成 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體。此時將在N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 ? 內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散 最后 ,多子的 擴(kuò)散 和少子的 漂移 達(dá)到 動態(tài)平衡 。 對于 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的 空間電荷區(qū) 稱為 PN結(jié) 。 在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱 耗盡層 。 多子的擴(kuò)散運(yùn)動 ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ? PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加 正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之 稱為加 反向電壓 ， 簡稱 反偏 。 (1) PN結(jié)加正向電壓時 PN結(jié)加正向電壓時的導(dǎo)電情況 ? 低電阻 ? 大的正向擴(kuò)散電流
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