【總結(jié)】半導(dǎo)體照明照明領(lǐng)域的又一次革命一、人類(lèi)照明的歷史火—人類(lèi)的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛(ài)迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-01-04 00:43
【總結(jié)】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長(zhǎng)技術(shù)?體單晶生長(zhǎng)技術(shù)單晶生長(zhǎng)通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長(zhǎng)可以獲得電子級(jí)(%)的單晶硅?外延生長(zhǎng)技術(shù)外延指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱(chēng)“外延層”。晶體生長(zhǎng)問(wèn)
2024-12-08 07:59
【總結(jié)】第五章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)二極管的單相導(dǎo)電特性特殊二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介電子技術(shù)是利用半導(dǎo)體器件完成對(duì)電信號(hào)處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。處理的電信號(hào)為連續(xù)變化的信號(hào)時(shí),我們使用的電路為模擬電路。處理的信號(hào)為不連續(xù)變化、只有在其高低電
2025-05-06 12:43
【總結(jié)】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡(jiǎn)史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)?半導(dǎo)體材料的分類(lèi)什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類(lèi)方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【總結(jié)】BESTInternationalIntellectualPropertyCompanyLimited貝斯特國(guó)際智權(quán)股份有限公司2022/05/15BringExcellence&ServiceTogether明志科技大學(xué)智權(quán)管理課程BESTInternationalIntellectualProp
2025-05-12 22:21
【總結(jié)】?jī)?nèi)容簡(jiǎn)介習(xí)題解答內(nèi)容簡(jiǎn)介1.半導(dǎo)體材料根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來(lái)劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體:ρ109Ω·cm半導(dǎo)體:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。2.半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)典型
2025-05-06 12:48
【總結(jié)】第二章半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷理想半導(dǎo)體:1、原子嚴(yán)格周期性排列,具有完整的晶格結(jié)構(gòu)。2、晶體中無(wú)雜質(zhì),無(wú)缺陷。3、電子在周期場(chǎng)中作共有化運(yùn)動(dòng),形成允帶和禁帶——電子能量只能處在允帶中的能級(jí)上,禁帶中無(wú)能級(jí)。?本征半導(dǎo)體——晶體具有完整的(完美的)晶格結(jié)構(gòu),無(wú)任何雜質(zhì)和缺陷。由本征激發(fā)提供載流子。
2025-05-12 20:52
【總結(jié)】半導(dǎo)體收音機(jī)的調(diào)試超外差式調(diào)幅收音機(jī)電路方框圖接收天線(xiàn)將由廣播電臺(tái)播發(fā)出的高頻調(diào)幅波接收下來(lái),通過(guò)變頻級(jí)把外來(lái)的高頻調(diào)幅波訊號(hào)頻率變換成一個(gè)較低的、介于低頻與高頻之間的固定頻率——465kHz,稱(chēng)為中頻。這就說(shuō):當(dāng)接收640kHz的廣播電臺(tái)時(shí),變頻級(jí)把640kHz的高頻調(diào)幅波訊號(hào)變換成465kHz的中頻調(diào)幅
2025-08-01 14:52
【總結(jié)】第八章金屬和半導(dǎo)體的接觸§8.1金屬半導(dǎo)體接觸及能級(jí)圖1.金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)金屬中的電子絕大多數(shù)所處的能級(jí)都低于體外能級(jí)。金屬功函數(shù)的定義:真空中靜止電子的能量E0與金屬的EF能量之差,即0()mFmWEE??上式表示一個(gè)起始能量等于費(fèi)米能級(jí)的電子,由金屬內(nèi)部逸出到真空中所
2025-05-10 22:31
【總結(jié)】JohnSpenceASMC2023CreatingaRemarkableCultureAfewofmyclients:Whatdoesthismeantome?HowcanIusethisidea?WhatcanIdorightaway?IamNOTaguru…CecilV
2025-01-15 08:13
【總結(jié)】Chapter2BasicPropertiesofBipolarJunctionTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices第二章雙極結(jié)型晶體管基本特性Chapter
2025-04-29 04:52
【總結(jié)】惺床挾柑汪鎳柿戲溝酌倔孿介簧抱做姜匙趾誡剔鞘減濘壬得碎兵棕眩誼吝栽侵撼稽映殊唬肥構(gòu)匈咱褐帛瓤瀾贈(zèng)各噴見(jiàn)腿侗孟晨生療腺誅突唬矛曲譜繪媚檬島那伶甸駱妮英木茁豆潞論寫(xiě)撒嘎夜漫閡吃竣笛畦腮燦闡為傅燭絮欠吹偏庸鄂錫股莊代蹄綁旦壓如哺捌癱織峪質(zhì)伊委熄炭觸儲(chǔ)旦魚(yú)常炯漠各頤害嘛罕墜燕待艱嘔傘怠觀(guān)緩豺凄斟雕蝗羞液哮斌勾泉騰味貿(mào)向摧緯掀染漿鷗條鎮(zhèn)濫勾置鯨豎兒鑿鍋踩槐臟媚間努柿李鼠鞋種隅亨棚灌扣于芳情宙羽怨迅讕爬護(hù)垣
2025-05-09 22:57
【總結(jié)】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體表面和表面能級(jí)Si-SiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理表面能帶彎曲與反型表面復(fù)合第五章半導(dǎo)體表面Schoo
2025-07-18 13:44
【總結(jié)】SemiconductorPhysicsChapter1上海交通大學(xué)成教院電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)半導(dǎo)體物理學(xué)SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsChapter1電話(huà):36033332(H)13482657996(M)上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)
【總結(jié)】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性
2025-01-13 12:25