《通用vlsi》ppt課件-文庫吧
2025-04-18 18:37 本頁面
【正文】 n 32kbit的 NORROM（ 128字 256位）n 列延遲時間167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時間n 字?jǐn)?shù)和位數(shù)的組合方式n 32kbit的 NORROM（ 128字 256位）n 列延遲時間n 存取時間167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時間n 字?jǐn)?shù)和位數(shù)的組合方式n 32kbit的 NORROM（ 256字 128位）n 行延遲時間n 列延遲時間n 存取時間167。412 可編程 ROM（ PROM）n 陣列結(jié)構(gòu)與功能n 早期采用雙極型晶體管為主n 熔斷絲結(jié)構(gòu)n NiCr電阻n 編程時 VCC=1030Vn 讀出時 VCC=5Vn 位線檢測單元電路167。413 EPROMn EPROM的存貯單元n 浮柵 MOS管結(jié)構(gòu)n 雙多晶硅柵：懸浮柵、控制柵n 漏源間加足夠高電壓， PN結(jié)擊穿產(chǎn)生熱電子n 高能量熱電子穿過 SiO2層到達(dá)浮柵n 電子積累產(chǎn)生屏蔽，使閾值電壓升高n 擦除時用紫外光輻照 20min，消除電子積累167。413 EPROMn EPROM的特點n 優(yōu)勢n 采用單管單元，面積小，集成度高n 劣勢n 編程時需要高電壓電源n 擦除時需要紫外光，使用不便n 主要用作信息的讀取167。414 EEPROMn EEPROM的存貯單元n FowlerNordheim隧道效應(yīng)n FLOTOX管結(jié)構(gòu)n 雙多晶硅柵：浮柵、控制柵n 漏區(qū)處的隧道氧化層n 控制柵加高電壓，漏端接地，浮柵充電n 控制柵接地，漏端加高電壓，浮柵泄放電荷n 隧道氧化層可靠性n 改寫次數(shù)n 信息存貯的壽命 10年167。414 EEPROMn 存貯單元陣列的讀、寫n 存貯管（浮柵管） +控制管n 存貯電荷（ “擦除 ”操作）n 行選端 VPP（ +21V）n 擦 /寫端 VPP（ +21V）n 位線 BL端 0n 電子存貯到浮柵管的浮柵上n 浮柵管閾值電壓升高，處于 “1”狀態(tài)167。414 EEPROMn 存貯單元陣列的讀、寫n 存貯管（浮柵管） +控制管n 泄放電荷（ “寫入 ”操作）n 行選端 VPP（ +21V）n 擦 /寫端 0n 位線 BL端 VPP（ +21V）n 積聚在浮柵上
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