通用vlsippt課件-wenkub
2023-05-18 18:37:21 本頁面
【正文】 積聚在浮柵上的電子由隧道效應(yīng)而泄放n 浮柵管閾值電壓正常，處于 “0”狀態(tài)167。413 EPROMn EPROM的存貯單元n 浮柵 MOS管結(jié)構(gòu)n 雙多晶硅柵：懸浮柵、控制柵n 漏源間加足夠高電壓， PN結(jié)擊穿產(chǎn)生熱電子n 高能量熱電子穿過 SiO2層到達浮柵n 電子積累產(chǎn)生屏蔽，使閾值電壓升高n 擦除時用紫外光輻照 20min，消除電子積累167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時間n 字數(shù)和位數(shù)的組合方式n 32kbit的 NORROM（ 128字 256位）n 列延遲時間167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時間n 位線上的電容n 零偏壓時漏區(qū)的結(jié)電容n 柵漏氧化層覆蓋電容167。411 掩膜 ROMn 陣列結(jié)構(gòu)與功能n NOR陣列 ROMn 編碼方式n 由引線孔或 Al線圖形編碼n 由不同的閾值電壓編碼n NOR式地址譯碼器n NAND式地址譯碼器n NAND陣列 ROM167。第四章 通用 VLSI電路的 設(shè)計與分析167。411 掩膜 ROMn ROM陣列版圖n NORROM中存貯晶體管 2位 4字版圖示意n 存貯單元存取時間n 工藝參數(shù)和器件參數(shù)n 多晶硅電阻 40Ω/□n 金屬線電阻 □n 互導(dǎo)系數(shù) k 20μA/V178。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時間n 字（行）延遲時間n 位（列）延遲時間167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時間n 字數(shù)和位數(shù)的組合方式n 32kbit的 NORROM（ 128字 256位）n 列延遲時間n 存取時間167。413 EPROMn EPROM的特點n 優(yōu)勢n 采用單管單元，面積小，集成度高n 劣勢n 編程時需要高電壓電源n 擦除時需要紫外光，使用不便n 主要用作信息的讀取167。414 EEPROMn 存貯單元陣列的讀、寫n 存貯管（浮柵管） +控制管n 讀取單元信息（ “讀出 ”操作）n 行選端 VDD（ +5V）n 擦 /寫端 VDD（ +5V）n 位線 BL端 VDD （ +5V）n 位線電位由存貯管浮柵上有無電子， 即存貯管是否開啟決定n 存貯管處于 “1”狀態(tài)，則位線輸出信號為 “1
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