半導(dǎo)體光電子學(xué)課件》緒論-文庫吧
2025-01-03 18:59 本頁面
【正文】 異質(zhì)結(jié) 激光器 Jth = 10 179。 A/c㎡ 。 1970年蘇聯(lián)科學(xué)院的約飛揚(yáng)物理研究所阿爾費(fèi)洛夫研制成功 雙異質(zhì)結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體激光器（ DHLD） PGaAs半導(dǎo)體夾在 NAlx Ga1xAs和 PAlxGa1xAs 之間。工作特點(diǎn)：把載流子和光場(chǎng)限制在 PGaAs薄層有源區(qū)中。室溫下 J=4 10 179。 A/cm178。 美國的潘尼希又報(bào)道 300K Jth= 10178。 A/cm178。 雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)發(fā)展的主要標(biāo)志： 1）為了降低閾值電流，研究出側(cè)向增益波導(dǎo)和折射率波導(dǎo)結(jié)構(gòu) 2）輸出功率從幾毫瓦～幾瓦 3） 570～ 1600nm 室溫連續(xù)工作 InGaN多量子阱 — 417nm
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