《材料的結(jié)構(gòu)復(fù)習(xí)版》ppt課件-文庫(kù)吧
2024-12-30 21:30 本頁(yè)面
【正文】 關(guān)系 （ a）、（ c）為空間點(diǎn)陣 （ b）、（ d）為實(shí)際晶體 Chapter2 Structure of Materials 12 晶向指數(shù)和晶面指數(shù) 晶面（ crystallographic planes） ： —— 晶體點(diǎn)陣在任何方向上分解為相互平行的結(jié)點(diǎn)平面稱為晶面，即結(jié)晶多面體上的平面。 晶向 （ crystallographic directions） ： —— 點(diǎn)陣可在任何方向上分解為相互平行的直線組 （ 晶列 ） ， 晶列所指方向就是 晶向 。 Chapter2 Structure of Materials 13 將坐標(biāo)原點(diǎn)選在 OP的任一結(jié)點(diǎn) O點(diǎn)，把 OP的另一結(jié)點(diǎn) P的坐標(biāo)經(jīng)等比例化簡(jiǎn)后按 X、 Y、 Z坐標(biāo)軸的順序?qū)懺诜嚼ㄌ?hào) [ ]內(nèi)，則 [uvw]即為 OP的晶向指數(shù)。 晶向指數(shù)（ crystallographic direction indices ） 的確定 ： 晶向指數(shù)與晶面指數(shù)：國(guó)際上統(tǒng)一采用密勒指數(shù)（ Miller indices）來(lái)進(jìn)行標(biāo)定。 Chapter2 Structure of Materials 14 A: [110] B: [111] C: 2] 2 1[晶向指數(shù)實(shí)例 Chapter2 Structure of Materials 15 Solution Chapter2 Structure of Materials 16 用（ hkl）來(lái)表示一組平行晶面，稱為晶面指數(shù)。數(shù)字 hkl是晶面在三個(gè)坐標(biāo)軸（晶軸）上截距（ r, s, t)的倒數(shù)的互質(zhì)整數(shù)比。 晶面指數(shù)（ crystallographic plane indices ）的確定： Chapter2 Structure of Materials ? 晶面 A： r、 s、 t = 1，其倒數(shù)為 1，則晶面指數(shù)記為（ 111） ? 晶面 B， r、 s、 t= ?，其倒數(shù)為 1/2和 0，化為互質(zhì)的整數(shù)比為 2:1:0，則晶面指數(shù)記為（ 210） ? 晶面 C：晶面過原點(diǎn)（ 0， 0， 0），沿 y軸平移一個(gè)晶格參數(shù)（平移后代表同一晶面）使其在 y軸截距為 1，則 r、 s和 t分別為 ?、 1和 ?，其倒數(shù)為 0、 1和 0，則晶面指數(shù)記為 ，其中的負(fù)號(hào)寫在數(shù)字上面。 0) 1 0(17 Chapter2 Structure of Materials 18 應(yīng)該是(632) 晶面指數(shù)示例 Chapter2 Structure of Materials ？ 1/r=3, 1/s=3/2, 1/t=1 截距倒數(shù) r=1/3, s=2/3, t=1 截距 互質(zhì)整數(shù) 6, 3, 2 (632) 晶面指數(shù) 19 Chapter2 Structure of Materials 20 點(diǎn)缺陷 線缺陷和位錯(cuò) 面缺陷 體缺陷 晶體缺陷 Crystal Defects Chapter2 Structure of Materials 21 Classification 點(diǎn)缺陷：空位 （零維） 晶體缺陷 線缺陷：位錯(cuò) （一維） 體缺陷 （三維） 面缺陷：晶界，外表面，相界， 孿晶界，堆垛層錯(cuò)（二維） 缺陷的種類 Chapter2 Structure of Materials 22 點(diǎn)缺陷是在晶體晶格結(jié)點(diǎn)上或鄰近區(qū)域偏離其正常結(jié)構(gòu)的一種缺陷，它在三個(gè)方向的尺寸都很小，屬于零維缺陷，只限于一個(gè)或幾個(gè)晶格常數(shù)范圍內(nèi)。 點(diǎn)缺陷 Point Defect Chapter2 Structure of Materials 點(diǎn)缺陷種類 ? 空位 （ vacancy） —— 正常結(jié)點(diǎn)沒有被原子或離子所占據(jù)，成為空結(jié)點(diǎn)。 ? 間隙原子 （ interstitial atom） ——原子進(jìn)入晶格中正常結(jié)點(diǎn)之間的間隙位置。 ? 置換式雜質(zhì)原子 （ substitutional impurity atom） —— 外來(lái)原子進(jìn)入晶格，取代原來(lái)晶格中的原子而進(jìn)入正常結(jié)點(diǎn)的位置 ? 間隙式雜質(zhì)原子 （ interstitial impurity atom） —— 外來(lái)原子進(jìn)入點(diǎn)陣中的間隙位置，成為雜質(zhì)原子。 熱缺陷 雜質(zhì)缺陷 23 Chapter2 Structure of Materials 24 ? 間隙原子：熱振動(dòng)的原子在某一瞬間可以獲得較大的能量，掙脫周圍質(zhì)點(diǎn)的作用，離開平衡位置，進(jìn)入到晶格內(nèi)的其它位置形成間隙原子，而在原來(lái)的平衡格點(diǎn)位置上留下空位。 ? 離開平衡位置的原子有三個(gè)去處： （ 1）遷移到 晶體表面或內(nèi)表面的正常結(jié)點(diǎn) 位置上，使晶體內(nèi)部留下空位，稱為肖特基（ Schottky）缺陷或肖特基空位；
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