模擬cmos集成電路設(shè)計(jì)(拉扎維)第3章單級放大器(一)-文庫吧
2024-12-28 14:38 本頁面
【正文】 Cox W L VRD ID g m = ? n C ox (V GS ? V TH ) 增大 W/L；寄生電容增大，帶寬減小 增大 VRD；輸出擺幅減小 減小 ID； RD會很大，輸出節(jié)點(diǎn)時(shí)間常數(shù)增大 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 14 共源級 — 電阻做負(fù)載 考慮溝長調(diào)制效應(yīng) ? I D = 1/ rO 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 15 共源級 — 電阻做負(fù)載 考慮溝長調(diào)制效應(yīng) 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 16 共源級 — 電流源做負(fù)載 能獲得較大的增益 Av = ? g m ( ro || RD) Av = ? g m ro 本征增益 本征增益為多大？ 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 = 17 共源級 — 電流源做負(fù)載 本征增益 Av = ? g m ro gm = 2ID VGS ?VTH , rO = 1 ? ID Av = (VGS 2 2VA ? VTH )? VOV VOV一般不能隨工藝下降，要保證強(qiáng) 反型（ 100mV以上），一般取 200mV 本征增益約 50~110 L的 NMOS管 VA,NMOS=11V， VA,PMOS= 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 L增大時(shí)可以更大 1/gmrO成立 18 共源級 — 電阻做負(fù)載 實(shí)際應(yīng)用情況 在 CMOS工藝下，精確阻值的 電阻難加工 阻值小時(shí)增益小，阻值大時(shí)， 電阻的尺寸太大，還會降低輸 出擺幅 一般用 MOS管代替電阻做負(fù)載 二極管接法的 MOS管、電流源、線性區(qū) MOS管 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 19 本講 放大器基礎(chǔ)知識 共源級 — 電阻做負(fù)載 共源級 — 二極管接法的 MOS 管做負(fù)載 共源級 — 電流源做負(fù)載 共源級－深線性區(qū) MOS管做負(fù)載 共源級－帶源極負(fù)反饋 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 20 共源級 — 二極管接法的 MOS 管做負(fù)載 二極管接法的 MOS管 做為小信號 電阻來用 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 21 共源級 — 二極管接法的 MOS 管做負(fù)載 無體效應(yīng)時(shí)的阻抗 I X = VX / rO + g mV1 二極管阻抗 = (1 / g m ) rO ?1 / g m 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 Vx = 22 共源級 — 二極管接法的 MOS 管做負(fù)載 有體效應(yīng)時(shí)的阻抗 (gm + gmb)V x + = Ix ro Vx 1 Ix gm + gmb || ro ? 1 gm + gmb 二極管阻抗比無體效應(yīng)時(shí)小 西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路原理 23 共源級 — 二極管接法的 MOS 管做負(fù)載 增益 Av = ? g m ( ro || RD) RD ? 忽略 rO的影響 1 gm + gmb Av = ? gm1 1 gm2 + gmb2 =? gm1 1 gm
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