【正文】 涂膠 —烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅膜 —蝕刻 —清洗 —去膜 —清洗 —基區(qū)擴散 (B) 第四次光刻 —N+發(fā)射區(qū)擴散孔 ? 集電極和 N型電阻的接觸孔 ,以及外延層的反偏孔。 ? Al—NSi 歐姆接觸： ND≥1019cm3， SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P N+ 去 SiO2—氧化 涂膠 —烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅膜 —蝕刻 —清洗 —去膜 —清洗 —擴散 第五次光刻 —引線接觸孔 ? SiO2 N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2—氧化 涂膠 —烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅膜 —蝕刻 —清洗 —去膜 —清洗 第六次光刻 —金屬化內連線：反刻鋁 ? SiO2 AL N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2—氧化 涂膠 —烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅膜 —蝕刻 —清洗 —去膜 —清洗 —蒸鋁 CMOS工藝集成電路 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 1。光刻 I阱區(qū)光刻，刻出阱區(qū)注入孔 NSi NSi SiO2 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 2。阱區(qū)注入及推進，形成阱區(qū) NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 3。去除 SiO2， 長薄氧，長 Si3N4 NSi P Si3N4 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 4。光 II有源區(qū)光刻 NSi P Si3N4 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 5。光 IIIN管場區(qū)光刻， N管場區(qū)注入，以提高場開啟，減少閂鎖效應及改善阱的接觸。 光刻膠 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 6。光 IIIN管場區(qū)光刻，刻出 N管場區(qū)注入孔； N管場區(qū)注入。 NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 7。光 Ⅳ p管場區(qū)光刻， p管場區(qū)注入， 調節(jié) PMOS管的開啟電壓，生長多晶硅。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 8。光 Ⅴ 多晶硅光刻，形成多晶硅柵及多晶硅電阻 多晶硅 NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 9。光 Ⅴ IP+區(qū)光刻， P+區(qū)注入。形成PMOS管的源、漏區(qū)及 P+保護環(huán)。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 10。光 Ⅶ N管場區(qū)光刻， N管場區(qū)注入，形成 NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護環(huán)。 光刻膠 NSi P As CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 11。長 PSG（磷硅玻璃）。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 12。光刻 Ⅷ 引線孔光刻。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 13。光刻 Ⅸ 引線孔光刻（反刻 AL）。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S 集成電路中電阻 1 AL SiO2 R+ P P+ PSUB N+ R VCC N+BL Nepi P+ 基區(qū)擴散電阻 集成電路中電阻 2 SiO2 R N+ P+ PSUB R N+BL Nepi P+ 發(fā)射區(qū)擴散電阻 集成電路中電阻 3 基區(qū)溝道電阻 SiO2 R N+ P+ PSUB R N+BL Nepi P+ P 集成電路中電阻 4 外延層電阻 SiO2 R P+ PSUB R Nepi P+ P N+ 集成電路中電阻 5 MOS中多晶硅電阻 SiO2 Si 多晶硅 氧化層 其它： MOS管電阻 集成電路中電容 1 SiO2 A P+ PSUB B+ N+BL N+E P+ N P+I A B+ Cjs 發(fā)射區(qū)擴散層 —隔離層 —隱埋層擴散層 PN電容 集成電路中電容 2 MOS電容 Al SiO2 AL P+ PSUB Nepi P+ N+ N+ 主要制程介紹 矽晶圓材料（ Wafer） 圓晶是制作矽半導體 IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「矽」， IC（ Integrated Circuit）廠用的矽晶片即為矽晶體，因為整片的矽晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。但在整體固態(tài)晶體內，眾多小晶體的方向不相，則為復晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長時的溫度，速率與雜質都有關系。 一般清洗技術 工藝 清潔源 容器 清潔效果 剝離光刻膠 氧等離子體 平板反應器 刻蝕膠 去聚合物 H2SO4:H2O=6:1 溶液槽 除去有機物 去自然氧化層 HF:H2O1:50 溶液槽 產生無氧表面 旋轉甩干 氮氣 甩干機 無任何殘留物 RCA1(堿性 ) NH4OH:H2O2:H2O=1:1: 溶液槽 除去表面顆粒 RCA2(酸性 ) HCl:H2O2:H2O =1:1:5 溶液槽 除去重金屬粒子 DI清洗 去離子水 溶液槽 除去清洗溶劑 光 學 顯 影 光學顯影是在感光膠上經過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉換到感光膠下面的薄膜層或硅晶上。光學顯影主要包含了感光膠涂布、烘烤、光罩對準、 曝光和顯影等程序。 關鍵技術參數(shù) :最小可分辨圖形尺寸 Lmin(nm) 聚焦深度 DOF 曝光方式 :紫外線、 X射線、電子束、極紫外 蝕刻技術（ Etching Technology） 蝕刻技術（ Etching Technology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術?？梢苑譃?: 濕蝕刻（ wet etching） :濕蝕刻所使用的是化學溶液，在經過化學反應之後達到蝕刻的目的 . 乾蝕刻（ dry etching） :乾蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（ plasma etching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（ Radical）與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的復合作用。 現(xiàn)在主要應用技術 :等離子體刻蝕 常見濕法蝕 刻 技 術 腐蝕液 被腐蝕物 H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%） =76： 3： 15： 5： Al NH4(40%):HF(40%)=7:1 SiO2,PSG H3PO4(85%) Si3N4 HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5 Si KOH(3%~50%)