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半導體激光特性實驗-文庫吧

2025-04-22 21:06 本頁面


【正文】 化學激勵 ? 諧振腔:光學諧振腔 — 放大 — 雪崩 半導體激光器的基本結構 PN結在 n型襯底生長 p型層 材料: GaAs、 InP P、 N區(qū)歐姆接觸,使激勵電流能通過 有源區(qū),厚度 微米,形成介質(zhì)波導共振腔 基本結構 伏安特性 半導體激光器的 PI特性 閾值 )]1ln(21[8 202RaDenJQth ???????橫模 側橫場 正橫場 d/?? ?偏振度 因為半導體激光器共振腔面一般是晶體的解里面,對常用的 GaAs異質(zhì)結激光器的 GaAs晶面對 TE模 的反射率大于對偏振方向垂直于波導層的
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