【總結】優(yōu)秀畢業(yè)設計半導體激光器的溫控電路分析摘要半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵方式,在半導體物質(zhì)的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間,實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉,當處于粒子數(shù)反轉狀態(tài)的大量電子與空穴復合時,便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導體激光器的基本結構,通常激光器都是由三部
2025-06-24 19:35
【總結】半導體照明技術方志烈教授復旦大學SemiconductorLightingTechnology???(1)發(fā)光效率和顯色性的折中?(2)二基色體系?(3)多基色體系?LED?(1)二基色熒光粉轉換白光LED?(2)多基色熒光粉轉換白光LED?(3)
2025-08-01 16:32
【總結】第一章半導體中的電子狀態(tài)?半導體的晶格結構和結合性質(zhì)?半導體中的電子狀態(tài)和能帶?半導體中電子的運動有效質(zhì)量?本征半導體的導電機構空穴?常見半導體的能帶結構重點:有效質(zhì)量、空穴概念的理解研究方法?單電子近似:假設每個電子是在周期性排列且固定不動的原子核勢場及其他電子的平均勢場中運動。該勢
2025-03-22 06:44
【總結】半導體激光器常用參數(shù)的測定一實驗目的:掌握半導體激光器常用的電學參數(shù)及其測試方法一實驗基本原理1、普通光源的發(fā)光——受激吸收和自發(fā)輻射普通常見光源的發(fā)光(如電燈、火焰、太陽等地發(fā)光)是由于物質(zhì)在受到外來能量(如光能、電能、熱能等)作用時,原子中的電子就會吸收外來能量而從低能級躍遷到高能級,即原子被激發(fā)。激發(fā)的過程是一個“受激吸收”過程。處在高能級(E2)的電子壽命很短(一般
2025-06-23 23:24
【總結】半導體產(chǎn)業(yè)分析組員:93114114林怡欣93114124蔡松展93114251謝瑋璘93114169蔡文杰目錄III半導體產(chǎn)業(yè)結V.邏輯ICVI.記憶體VII.臺灣半導體產(chǎn)業(yè)概況半導體的定義所謂的半導體,是指在某些情況下,
2024-10-11 21:13
【總結】三、pn結在前面幾結中我們了解了本征半導體和雜質(zhì)半導體,根據(jù)對導電性的影響,雜質(zhì)半導體又分為n型半導體和p型半導體。如果把一塊n型半導體和p型半導體結合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結,在這一結我們就是要了解pn結的一些性質(zhì)。1、pn結的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導體單晶上,
2025-07-25 02:12
【總結】半導體二極管的特性及主要參數(shù)一、二極管的結構與符號二、二極管的伏安特性三、二極管的主要參數(shù)四、二極管電路的分析方法第一章半導體二極管一、半導體二極管的結構構成:PN結+引線+管殼=二極管符號:VD分類:按材料分硅二極管鍺二極管按結構分點接觸
2025-05-12 20:52
【總結】考試時間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點:望江基C2022022級半導體物理總結第l章半導體(晶體)中的電子狀態(tài)問題的提出:半導體獨特的物理性質(zhì)半導體中電子的狀態(tài)及其運動特點二者之間關系與結構的關系本章介紹重點半導體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運動規(guī)律
2025-01-14 10:18
【總結】半導體基礎知識晶體三極管場效應管單結晶體管和晶閘管半導體二極管半導體基礎知識一、本征半導體二、雜質(zhì)半導體三、PN結的形成及其單向導電性四、PN結的電容效應一、本征半導體根據(jù)物體導電能力(電阻率)的不同,分導體、絕緣體和半導體。導體-鐵、鋁、銅等金屬元素
2025-08-04 09:14
【總結】主講人:申鳳娟21半導體器件2基本放大電路及其分析設計方法6模擬電子技術的應用與發(fā)展3放大電路的頻率響應與負反饋技術4通用集成運放及其應用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導體器件§半導體基礎知識
2025-01-21 18:23
【總結】半導體照明照明領域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導體發(fā)光二極管半導體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導體材料半導體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-01-04 00:43
【總結】1引言GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SiC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-05-13 22:26
【總結】11引言國內(nèi)外研究狀況及發(fā)展趨勢激光技術自六十年代以來,已經(jīng)進入了許多軍事技術領域,提供了大量的裝備,顯著的提高了偵測、識別、導航、指揮、控制、通訊、訓練和光電對抗等軍事技術,大大的加強了軍事打擊和防御能力,成為軍事“力量倍增器”。它可準確的獲得目標的有關特征信息,如目標位置(距離、方位和高度)、運動狀態(tài)和形狀等,從而實現(xiàn)對目標的探測
2025-02-25 20:56
【總結】半導體激光器的驅動電源設計目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設計 5 5 6 103.3短路保護電路 143.4延時軟啟動 14 15限流保護電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設計 18 18 22 22 23A/D轉換電
2025-06-28 09:33
【總結】第十一章半導體材料制備生長技術?體單晶生長技術單晶生長通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導體硅的單晶生長可以獲得電子級(%)的單晶硅?外延生長技術外延指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長問
2024-12-08 07:59