半導(dǎo)體激光器的溫控電路分析論文-資料下載頁

【總結(jié)】優(yōu)秀畢業(yè)設(shè)計半導(dǎo)體激光器的溫控電路分析摘要半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價帶)之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間，實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu)，通常激光器都是由三部

2025-06-24 19:35

半導(dǎo)體照明技術(shù)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體照明技術(shù)方志烈教授復(fù)旦大學(xué)SemiconductorLightingTechnology???（1）發(fā)光效率和顯色性的折中?（2）二基色體系?（3）多基色體系?LED?（1）二基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED?（2）多基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED?（3）

2025-08-01 16:32

[理學(xué)]半導(dǎo)體基礎(chǔ)-資料下載頁

【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運動有效質(zhì)量?本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴?常見半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)重點：有效質(zhì)量、空穴概念的理解研究方法?單電子近似：假設(shè)每個電子是在周期性排列且固定不動的原子核勢場及其他電子的平均勢場中運動。該勢

2025-03-22 06:44

電學(xué)半導(dǎo)體激光器常用參數(shù)的測定-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體激光器常用參數(shù)的測定一實驗?zāi)康模赫莆瞻雽?dǎo)體激光器常用的電學(xué)參數(shù)及其測試方法一實驗基本原理1、普通光源的發(fā)光——受激吸收和自發(fā)輻射普通常見光源的發(fā)光（如電燈、火焰、太陽等地發(fā)光）是由于物質(zhì)在受到外來能量（如光能、電能、熱能等）作用時，原子中的電子就會吸收外來能量而從低能級躍遷到高能級，即原子被激發(fā)。激發(fā)的過程是一個“受激吸收”過程。處在高能級（E2）的電子壽命很短（一般

2025-06-23 23:24

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析組員:93114114林怡欣93114124蔡松展93114251謝瑋璘93114169蔡文杰目錄III半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)V.邏輯ICVI.記憶體VII.臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況半導(dǎo)體的定義所謂的半導(dǎo)體，是指在某些情況下，

2025-10-02 21:13

半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)-資料下載頁

【總結(jié)】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體，根據(jù)對導(dǎo)電性的影響，雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié)，在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型（或p型）半導(dǎo)體單晶上，

2025-07-25 02:12

半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù)一、二極管的結(jié)構(gòu)與符號二、二極管的伏安特性三、二極管的主要參數(shù)四、二極管電路的分析方法第一章半導(dǎo)體二極管一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)構(gòu)成：PN結(jié)+引線+管殼=二極管符號：VD分類：按材料分硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點接觸

2025-05-12 20:52

半導(dǎo)體復(fù)習(xí)ppt課件-資料下載頁

【總結(jié)】考試時間：18周周五上午10:00（1月4日第二大節(jié)）考試地點：望江基C2022022級半導(dǎo)體物理總結(jié)第l章半導(dǎo)體(晶體)中的電子狀態(tài)問題的提出:半導(dǎo)體獨特的物理性質(zhì)半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)及其運動特點二者之間關(guān)系與結(jié)構(gòu)的關(guān)系本章介紹重點半導(dǎo)體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運動規(guī)律

2025-01-14 10:18

1章-半導(dǎo)體-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識晶體三極管場效應(yīng)管單結(jié)晶體管和晶閘管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运摹N結(jié)的電容效應(yīng)一、本征半導(dǎo)體根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同，分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體－鐵、鋁、銅等金屬元素

2025-08-04 09:14

半導(dǎo)體器ppt課件-資料下載頁

【總結(jié)】主講人：申鳳娟21半導(dǎo)體器件2基本放大電路及其分析設(shè)計方法6模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展3放大電路的頻率響應(yīng)與負(fù)反饋技術(shù)4通用集成運放及其應(yīng)用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

2025-01-21 18:23

半導(dǎo)體照明ppt課件-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體照明照明領(lǐng)域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的分代1.以硅Si為代表的

2025-01-04 00:43

gan基材料半導(dǎo)體激光器的發(fā)展動態(tài)-資料下載頁

【總結(jié)】1引言GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（）。在大氣壓力下，GaN晶體

2025-05-13 22:26

半導(dǎo)體脈沖激光測距機(jī)的硬件電路設(shè)計-資料下載頁

【總結(jié)】11引言國內(nèi)外研究狀況及發(fā)展趨勢激光技術(shù)自六十年代以來，已經(jīng)進(jìn)入了許多軍事技術(shù)領(lǐng)域，提供了大量的裝備，顯著的提高了偵測、識別、導(dǎo)航、指揮、控制、通訊、訓(xùn)練和光電對抗等軍事技術(shù)，大大的加強(qiáng)了軍事打擊和防御能力，成為軍事“力量倍增器”。它可準(zhǔn)確的獲得目標(biāo)的有關(guān)特征信息，如目標(biāo)位置（距離、方位和高度）、運動狀態(tài)和形狀等，從而實現(xiàn)對目標(biāo)的探測

2025-02-25 20:56

半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電源設(shè)計畢業(yè)論文-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電源設(shè)計目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時軟啟動 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計 18 18 22 22 23A/D轉(zhuǎn)換電

2025-06-28 09:33

半導(dǎo)體材料講義--第十一章半導(dǎo)體材料制備-資料下載頁

【總結(jié)】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長技術(shù)?體單晶生長技術(shù)單晶生長通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料，半導(dǎo)體硅的單晶生長可以獲得電子級（%）的單晶硅?外延生長技術(shù)外延指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底，由襯底向外延伸而成，故稱“外延層”。晶體生長問

2024-12-08 07:59

半導(dǎo)體激光特性實驗(參考版)

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