中文--離散的瞬態(tài)傳熱熱源在水中垂直矩形通道冷卻-文庫(kù)吧
2025-04-17 17:32 本頁(yè)面
【正文】 態(tài)條件下的強(qiáng)制對(duì)流 ， 觀察到傳熱 分離凸熱源和 熱傳遞 對(duì) 凸芯片的影響較小 。然而 ,研究表明 ,所有這些 涉及到穩(wěn)態(tài)條件 ,很難有 涉及 任何瞬態(tài)傳熱離散熱源 垂直通道的流動(dòng) 的 研究 。 針對(duì)當(dāng)前工作的影響實(shí)驗(yàn)研究 ,數(shù)組的在線熱源安裝在一面墻上的水垂直矩形 水道， 實(shí)現(xiàn)瞬態(tài)傳熱 對(duì) 冷卻 泵 瞬態(tài)操作 的影響 。 為安裝 加熱器 提供了 熱通量、雷諾數(shù)和公式。 并且對(duì) B = 2 毫米加熱器 的 傳感器 在不同的四個(gè)芯片 中 的 結(jié)果 進(jìn)行了 對(duì)比研究 。 實(shí)驗(yàn)儀器 實(shí)驗(yàn) 室 包括測(cè)試設(shè)備和儀器 兩 部分 ， 參照文獻(xiàn) 18至 21 所使 用 ， 為方便 水庫(kù)流、泵、熱交換器、過(guò)濾器、 旋轉(zhuǎn)式流量計(jì) 、垂直過(guò)程通道、脫氣設(shè)備 的使用 。 溫度 測(cè)試部分的進(jìn)口不斷通過(guò)維護(hù)換熱器 ,在水庫(kù)主要采用浸入式加熱器 ,測(cè)試部分之前由 k熱電偶。 芯片 1是指加熱器的上游渠道。剩下的晶片號(hào)碼順序分配到 4 個(gè) 通道 。 對(duì)于 20 毫米和 5毫米寬的高度 ， 雖然大多數(shù)的長(zhǎng) 120 毫米 通 道是用有機(jī)玻璃 ,多芯片組件加工高 溫度 導(dǎo)熱系數(shù)低 W / m?K 的矩形風(fēng)管。第一個(gè)芯片位于 700 毫米下游的通道入口 ,提供一個(gè)最小的水動(dòng)力輸入長(zhǎng)度為 50 毫米 的 液 壓直徑。這 是 使得流體層流充分開(kāi) 發(fā)必要 層前的第一芯片。每個(gè)芯 片的無(wú)氧銅制作 的高度 Hc = 9 毫米、長(zhǎng)度 = 10 毫米 ,表面區(qū)域 突出量 分別 為 0、 1和 2毫米。 然而 相比 之下在 B = 0 時(shí) 安裝 芯片 分別 暴露 正面 芯片的面積增加 倍和 倍。 晶片的表面安裝在聚四氟乙烯基體模塊、芯片是放置在中心的墻面前 ,一個(gè)頻道之間的間隔 5毫米的邊側(cè)墻芯片和渠道。電阻式加熱器 是通過(guò)并聯(lián) 電壓互感器 被連接到每個(gè)芯片 并受到 控制。 這樣的類似的電壓互感器的四個(gè)芯片被用于實(shí)驗(yàn)設(shè)備 。 測(cè)試程序 執(zhí)行實(shí)驗(yàn)之前 ， 兩個(gè) 鎳鉻合金 熱電偶的都是嵌入式芯片 ， 沿流向中心線在深度 毫米 上的 晶片 間隔都為 2毫米 ,除了 邊 緣 上游和下游的芯片。 通過(guò)測(cè)量?jī)蓚€(gè)熱電偶 得知芯片壁溫的平均溫度 。獲取數(shù)據(jù)的程序 是由 單相實(shí)驗(yàn) 的 一個(gè)入口溫度、錫 23176。c 的 熱流密度 范圍 變化提供 的 。利用電壓、電阻加熱器在所有的四個(gè)芯片 上 采用 萬(wàn)用表、加熱恒熱流。 流量、加熱功率、芯片溫度 達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài) ,通常在大約 30 分鐘。研究發(fā)現(xiàn) ,過(guò)去 3分鐘的變化是芯片壁面溫度小于 176。 。然后采用瞬變?cè)囼?yàn)操作。 進(jìn)行瞬態(tài)操作 ，關(guān)閉 泵 ，使其 功率 在穩(wěn)定狀態(tài) ，則 瞬間芯片 壁溫 迅速增加。當(dāng)溫度達(dá)到 70176。C， 泵 是開(kāi)著的。然而 大大降低了芯片溫度。 使 所有芯片溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于設(shè)計(jì)極限 85176。C 確保沒(méi)有相變 流體通道。 在 等溫條件 下 ， 分析了電子芯片的熱行為 ,瞬態(tài)傳熱采取的 75 年代加熱功率。 天文數(shù)據(jù)歸算的屏壁防護(hù) 和 所有的物理性質(zhì)的大部分評(píng)估流體溫度在這里定義為 Tb =（ Twall + Tin） /2 (1) 芯片 和液體 溫度差 T = Twall ? Tin . (2) 基于的奴塞爾數(shù) 長(zhǎng)度 Nu=hl/k=ql/kA(Twall ? Tin) (3) 基于熱源長(zhǎng)度 的 雷諾數(shù) Rel=Ul/v. (4) 基于熱源長(zhǎng)度 的 Peclet 數(shù)量 被定義為 Pel=Rel*Pr (5) ) 傅里葉數(shù)其定義 Fo=at/Hc2 (6) Biot被定義為 Bi=hHc/kc (7) 估計(jì)的不確定性 ： 液體冷卻熱量損失模擬芯片被發(fā)現(xiàn)是可以忽略的。然而 ,在目前的實(shí)驗(yàn)中 ,熱量損失是 由聚四氟乙烯的表面溫度測(cè)量暴露在環(huán)境溫度空氣 ,是基于假定 ， 傳導(dǎo)熱量損失的是平等的 ,多芯片組件的熱損耗 —— 由自然對(duì)流從水面的多芯片 環(huán)境。
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