外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護電路-其他專業(yè)-文庫吧
2024-12-30 09:31 本頁面
【正文】 能接近 SiGe 或 GaAs PA 更加具有吸引力。 一個主要的問題是將在所有可能的情況之下保證可靠的操作。 如果負(fù)載失配時，在 PA 輸出端將導(dǎo)致高的 VSWR，這 個問題 對于標(biāo)準(zhǔn) CMOS晶體管 的低 擊穿電壓 非常重要。 本文提出了一種用于 CMOS 功率放大器 的 VSWR 保護電路。 該電路另外設(shè)計附加在一個輸出功率為 27 dBm 的兩級差分功率放大器中。這個 PA 的設(shè)計是為了集成在 DECT電話芯片中，和參 考文獻(xiàn) [1]類似。 PA 的設(shè)計細(xì)節(jié)和測試結(jié)果參照文獻(xiàn) [2]。 本文結(jié)果如下：首先簡單介紹了 PA 的 非理想影響。第三部分介紹了可能的解決方案。第四部分給出了 PA 的整體結(jié)果和設(shè)計。接著對 VSWR 保護電路做了詳細(xì)的介紹，最后給出了測試和仿真結(jié)果。 PA 的非理想因素 CMOS PA 的 可靠性問題 主要包括三個方面 ： 由于熱載流子效應(yīng)， 模擬 CMOS 電路的 RF 性能 會退化 [3]。 當(dāng)漏極電場強度高時，溝道電子將對 SiSiO2 表層產(chǎn)生破壞，從而出現(xiàn)熱載流子效應(yīng)。這將導(dǎo)致 MOSFET 的開啟電壓增大使得跨導(dǎo)降低。 電遷移 通常是指在 電場的作用下導(dǎo)電離子運動造成元件或電路失效的現(xiàn)象。它可能會導(dǎo)致線路空隙，甚至差距，導(dǎo)致了芯片的破壞。電 遷移 是一個問題，尤其是當(dāng)大的直流電流 密度 存在 同一個線路中。 最后， CMOS 晶體管 的一個致命威脅是柵氧化層或 PN 結(jié) 暴露在過高的電壓下 會直接被 擊穿 。 ?m 工藝的柵級 擊穿電壓 根據(jù)晶體管的種類 在 ~ 之間。 PN 結(jié)的反向擊穿 電壓約為 7V。 天線上負(fù)載失配造成的過高電壓 天線上負(fù)載失配導(dǎo) 致傳輸信號的反射 從而形成駐波。反射波的幅度和相位可以通過反射因子 ρ來度量 。如果傳輸 信號幅度 為 Vf， 則駐波的最大幅 度為 Vmax =Vf（ 1 + |ρ|） 。因此在負(fù)載失配嚴(yán)重時，駐波幅度可以達(dá)到傳輸信號幅度的 2 倍。負(fù)載失配可以通過 駐波比（ VSWR） 來反應(yīng) ， VSWR 是駐波 最大 電壓 與最小電壓 的 比 值 。 A．駐波比 高電壓駐波 會加速 PA 電遷移的長期退化和熱載流子效應(yīng)， 甚
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