【正文】 以及太陽能電池伏安特性曲線；計算太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率、填充因子及其內(nèi)阻實驗三五：激光相位測距【實驗?zāi)康摹浚毫私饧す鉁y距的基本原理和一般方法。【儀器用具】：激光相位測距教學(xué)實驗系統(tǒng)【教學(xué)要求】：光速的測量、標(biāo)準(zhǔn)米、相位測距原理。【實驗內(nèi)容】：半導(dǎo)體激光器的電光特性，激光內(nèi)調(diào)制的基本原理；掌握激光器相位測距的基本原理、基本方法；多波長測量的意義和方法；雪崩光電二極管的性能、工作原理和特點。實驗三六：光學(xué)仿真初步 【實驗?zāi)康摹浚毫私馓摂M儀器的工作原理；掌握簡單的光學(xué)實驗仿真方法?！緝x器用具】：LabVIEW 虛擬仿真系統(tǒng) 【教學(xué)要求】：虛擬儀器、LabVIEW、光學(xué)仿真。【實驗內(nèi)容】：自行設(shè)計實驗內(nèi)容。實驗三七：聲光效應(yīng) 【實驗?zāi)康摹浚河^察液體中的聲光效應(yīng)；研究超聲頻率與衍射花樣的關(guān)系?！緝x器用具】：液體聲光效應(yīng)實驗儀【教學(xué)要求】：超聲波、駐波、超聲光柵、塔爾伯特效應(yīng)。【實驗內(nèi)容】自行設(shè)計實驗內(nèi)容。實驗三八：電光效應(yīng)【實驗?zāi)康摹浚河^察液晶的衍射現(xiàn)象 【儀器用具】：液晶電光效應(yīng)實驗儀 【教學(xué)要求】：電光效應(yīng)及其應(yīng)用?！緦嶒瀮?nèi)容】：自行設(shè)計實驗內(nèi)容。實驗三九：磁光效應(yīng)【實驗?zāi)康摹浚河^察磁致旋光現(xiàn)象。【儀器用具】：磁光效應(yīng)實驗儀?！窘虒W(xué)要求】：磁光效應(yīng)及其應(yīng)用?！緦嶒瀮?nèi)容】：自行設(shè)計實驗內(nèi)容。實驗四十：光纖光學(xué)與半導(dǎo)體激光器的電光特性 【實驗?zāi)康摹浚毫私獍雽?dǎo)體激光器的工作原理?！緝x器用具】：光學(xué)導(dǎo)軌、半導(dǎo)體激光器、光纖、光電二極管探頭、光闌等?！窘虒W(xué)要求】：光纖、光信號傳輸、半導(dǎo)體激光器?！緦嶒瀮?nèi)容】：光纖的切割與端面的處理；激光與光纖的耦合及耦合效率的測量；半導(dǎo)體激光器的閾值電流和增益斜率；觀察光纖的模式及偏振態(tài)、光纖彎曲對模式的影響（擾模）；光纖中的光速測定和光纖材料的平均折射率的估算；模擬信號（音頻）的調(diào)制、發(fā)射、光纖傳輸、接收放大 和解調(diào)（光纖通訊原理）；光纖數(shù)值孔徑的測量；振動信號的拾取。制定人：牛小寧審定人： 批準(zhǔn)人：日 期：第三篇：北京師范大學(xué)珠海分校教學(xué)大綱編寫規(guī)范《微電子制造工藝》 課程教學(xué)大綱一、課程說明（一）課程名稱、所屬專業(yè)、課程性質(zhì)、學(xué)分； 課程名稱：微電子制造工藝 所屬專業(yè)：微電子科學(xué)與工程 課程性質(zhì)：專業(yè)必修課 學(xué)分： 4（二）課程簡介、目標(biāo)與任務(wù)；本課程作為微電子科學(xué)與工程專業(yè)的專業(yè)必修課，是半導(dǎo)體制造工藝的基礎(chǔ)。主要介紹半導(dǎo)體制造相關(guān)的全部基礎(chǔ)技術(shù)信息，以及制造廠中的每一道制造工藝，包括硅片氧化，淀積，金屬化，光刻，刻蝕，離子注入和化學(xué)機(jī)械平坦化等內(nèi)容。該課程的目的使學(xué)生了解產(chǎn)業(yè)變化歷史中的所有工藝和設(shè)備，以及每道具體工藝的技術(shù)發(fā)展的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢。（三）先修課程要求，與先修課與后續(xù)相關(guān)課程之間的邏輯關(guān)系和內(nèi)容銜接； 上本課程之前或者同時應(yīng)了解半導(dǎo)體物理的相關(guān)知識，以便為本課程打下基礎(chǔ)；同時本課程又是集成電路分析與設(shè)計，以及微電子制造工藝專業(yè)實驗及實習(xí)的基礎(chǔ)。（四）教材與主要參考書。本課程所使用的教材是《半導(dǎo)體制造技術(shù)》，Michael Quirk, Julian Serda著，韓鄭生 等譯，電子工業(yè)出版社。主要參考書：《半導(dǎo)體器件物理與工藝 》施敏蘇州大學(xué)出版社 《硅集成電路工藝基礎(chǔ)》陳力俊復(fù)旦大學(xué)出版社 《芯片制造－半導(dǎo)體工藝制程實用教程》 電子工業(yè)出版社 《集成電路制造技術(shù)原理與實踐》電子工業(yè)出版社 《超大規(guī)模集成電路技術(shù)基礎(chǔ)》電子工業(yè)出版社 《半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》電子工業(yè)出版社 《硅集成電路工藝基礎(chǔ)》北京大學(xué)出版社二、課程內(nèi)容與安排第一章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹（3學(xué)時）第二章 半導(dǎo)體材料特性（3學(xué)時）第三章 器件技術(shù)（3學(xué)時）第四章 硅和硅片制備（5學(xué)時）第五章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品（3學(xué)時）第六章 硅片制造中的玷污控制（3學(xué)時）第七章 測量學(xué)和缺陷檢查（3學(xué)時）第八章 工藝腔內(nèi)的氣體控制（3學(xué)時）第九章 集成電路制造工藝概況（5學(xué)時）第十章 氧化（6學(xué)時）第十一章 淀積（5學(xué)時）第十二章 金屬化（5學(xué)時）第十三章 光刻：氣相成底膜到軟烘（4學(xué)時）第十四章 光刻：對準(zhǔn)和曝光（4學(xué)時）第十五章 光刻：光刻膠顯影和先進(jìn)的光科技術(shù)（4學(xué)時）第十六章 刻蝕（5學(xué)時）第十七章 離子注入（4學(xué)時）第十八章 化學(xué)機(jī)械平坦化（4學(xué)時）（一）教學(xué)方法與學(xué)時分配采用多媒體課件與板書相結(jié)合的課堂教學(xué)方法，基于學(xué)生便于理解接受的原則，對不同講授內(nèi)容給予不同方式的側(cè)重。學(xué)時分配詳見課程內(nèi)容與安排。（二）內(nèi)容及基本要求主要內(nèi)容：本章屬于引言章節(jié)，主要介紹半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的歷史，現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢。要求掌握和了解集成電路制造以及半導(dǎo)體發(fā)展的趨勢。【重點掌握】：硅和硅片制備，氧化，淀積，光刻技術(shù)【掌握】：芯片制備過程中的清洗，金屬化，刻蝕，離子注入，化學(xué)機(jī)械平坦化 【了解】： 器件技術(shù)，半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品及玷污 【一般了解】： 測量學(xué)和缺陷檢查，工藝腔內(nèi)的氣體控制 【難點】：光刻過程及離子注入（重點掌握、掌握、了解、一般了解四個層次可根據(jù)教學(xué)內(nèi)容和對學(xué)生的具體要求適當(dāng)減少，但不得少于兩個層次）制定人：陶春蘭審定人： 批準(zhǔn)人：日 期：第四篇：北京師范大學(xué)珠海分校教學(xué)大綱編寫規(guī)范《普通化學(xué)》課程教學(xué)大綱一、課程說明（一）課程名稱、所屬專業(yè)、課程性質(zhì)、學(xué)分；普通化學(xué)、材料物理、必修、3學(xué)分（二）課程簡介、目標(biāo)與任務(wù)；課程簡介：普通化學(xué)課程主要講授化學(xué)原理，包括氣體和液體的基本定律，熱化學(xué)和化學(xué)反應(yīng)方向，化學(xué)平衡（包括水溶液中的離子平衡、氧化還原反應(yīng)等）及其在容量分析中的應(yīng)用，化學(xué)反應(yīng)速率，原子的電子結(jié)構(gòu)，分子結(jié)構(gòu)和理論，晶體結(jié)構(gòu)配位化學(xué)以及常見元素及化合物的基本性質(zhì)和有機(jī)化學(xué)、高分子化學(xué)、儀器分析等基礎(chǔ)知識內(nèi)容。此課程也是高等學(xué)校材料、化學(xué)、化工、藥學(xué)、輕工、紡織、環(huán)境、冶金地質(zhì)等有關(guān)專業(yè)的第一門化學(xué)基礎(chǔ)課，因此它是培養(yǎng)上述各類專業(yè)技術(shù)人才的整體知識結(jié)構(gòu)及能力結(jié)構(gòu)的重要組成部分，同時也為后繼材料、化學(xué)及其它課程打下基礎(chǔ)。目標(biāo)與任務(wù)：《普通化學(xué)》是一般工科學(xué)生大學(xué)階段唯一的化學(xué)必修課，因此本課程介紹學(xué)生所應(yīng)具備的化學(xué)最基本的基礎(chǔ)理論、基本知識、以及與化學(xué)密切相關(guān)的社會熱點、科技前沿發(fā)展、學(xué)科滲透交叉等方面的知識，使學(xué)生具有較高的化學(xué)素質(zhì)和知識水平，建立化學(xué)的思維方式，增加用化學(xué)方法解決實際問題，尤其是材料領(lǐng)域研究問題的綜合能力。（三）先修課程要求，與先修課與后續(xù)相關(guān)課程之間的邏輯關(guān)系和內(nèi)容銜接；先修課：高中化學(xué)；高中物理；高中數(shù)學(xué)后續(xù)相關(guān)課程：材料科學(xué)基礎(chǔ)；陶瓷材料；功能材料；物理化學(xué)；固體化學(xué)（四）教材與主要參考書。教材：大連理工大學(xué)無機(jī)化學(xué)教研室 編:《無機(jī)化學(xué)》，高等教育出版社，2006 參考書：張淑民 著：《無機(jī)化學(xué)》，蘭州大學(xué)出版社，1995華彤文 主編：《普通化學(xué)原理》,北京大學(xué)出版社，2013浙江大學(xué)普通化學(xué)教研組 編：《普通化學(xué)》，高等教育出版社，2011二、課程內(nèi)容與安排 第一章 緒論第一節(jié) 介紹化學(xué)的定義；第二節(jié) 化學(xué)變化的特征；第三節(jié) 化學(xué)的疆域； 第四節(jié) 學(xué)習(xí)要點，學(xué)習(xí)方法及課程安排（一）教學(xué)方法與學(xué)時分配課堂講授；共1學(xué)時。第二章 氣體第一節(jié) 理想氣體狀態(tài)方程；第二節(jié) 理想氣體狀態(tài)方程的應(yīng)用；第三節(jié) 混合氣體的分壓定律和分體積定律；第四節(jié) 氣體分子動理論的基本要點；第五節(jié) 真實氣體（一）教學(xué)方法與學(xué)時分配課堂講授；共2學(xué)時。第13節(jié)1學(xué)時；第5節(jié)1學(xué)時（二）內(nèi)容及基本要求：主要內(nèi)容：理想氣體狀態(tài)方程；混合氣體的分壓定律和分體積定律；氣體分子動理論的基本要點；真實氣體【重點掌握】：理想氣體狀態(tài)方程的應(yīng)用；混合氣體的分壓定律和分體積定律【了解】：氣體分子動理論的基本要點【一般了解】：真實氣體【難點】：混合氣體的分壓定律和分體積定律第三章 熱化學(xué)第五節(jié) 熱力學(xué)術(shù)語和基本概念；第二節(jié) 熱力學(xué)第一定律；第三節(jié) 化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱；第四節(jié) Hess定律；第五節(jié) 反應(yīng)熱的求算（一）教學(xué)方法與學(xué)時分配課堂講授；共4學(xué)時。第2節(jié)1學(xué)時；第3節(jié)1學(xué)時；第4節(jié)1學(xué)時；第 5節(jié)1學(xué)時（二）內(nèi)容及基本要求主要內(nèi)容：熱力學(xué)術(shù)語和基本概念；熱力學(xué)第一定律；標(biāo)準(zhǔn)摩爾焓變；標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成焓；Hess定律；反應(yīng)熱的求算 【重點掌握】：化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱；Hess定律；反應(yīng)熱的求算【掌握】：熱力學(xué)第一定律；標(biāo)準(zhǔn)摩爾焓變；標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成焓【了解】：熟悉熱力學(xué)術(shù)語和基本概念【難點】：化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱；Hess定律；反應(yīng)熱的求算第四章 化學(xué)動力學(xué)基礎(chǔ)第一節(jié) 化學(xué)反應(yīng)速率的概念；第二節(jié) 濃度對反應(yīng)速率的影響；第三節(jié) 溫度對反應(yīng)速率的影響；第四節(jié) 反應(yīng)速率理論和反應(yīng)機(jī)理簡介；第五節(jié) 催化劑與催化作用（一）教學(xué)方法與學(xué)時分配課堂講授；共4學(xué)時。第2節(jié)2學(xué)時；第3節(jié)1學(xué)時；第5節(jié)1學(xué)時（二）內(nèi)容及基本要求主要內(nèi)容：反應(yīng)速率的概念；速率方程；Arrhenius方程；碰撞理論；活化絡(luò)合物理論；催化劑和催化機(jī)理【重點掌握】：濃度對反應(yīng)速率的影響；溫度對