核輻射測(cè)量方法考試必考點(diǎn)(已改無(wú)錯(cuò)字)
2023-07-11 00:53:15 本頁(yè)面
【正文】 件。測(cè)氡儀的標(biāo)定方法：循環(huán)法、真空法、自由擴(kuò)散法。循環(huán)法一般用于野外工作標(biāo)定常規(guī)氡測(cè)量?jī)x器；真空法大都用于室內(nèi)氡測(cè)量?jī)x器和測(cè)水中氡儀器的標(biāo)定；自由擴(kuò)散法一般用于α徑跡蝕刻測(cè)量用探測(cè)器、α卡探測(cè)器及α硅探測(cè)器等累積法測(cè)氡儀的標(biāo)定。第五章 γ射線測(cè)量方法請(qǐng)闡述儀器譜如何表征伽瑪射線的“能量”和“照射量率”？入射γ光子與探測(cè)器物質(zhì)作用，將能量全部沉積在探測(cè)器中，γ譜儀將γ光子的能量轉(zhuǎn)換成與之成正比的電壓脈沖信號(hào)，并通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換成與電壓幅度對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)，存儲(chǔ)到對(duì)應(yīng)的道址中。因此，在探測(cè)時(shí)間內(nèi)，γ譜儀所記錄的每一道計(jì)數(shù)值值（脈沖數(shù)）代表該道中記錄的光子沉積的計(jì)數(shù)個(gè)數(shù)?？梢?jiàn)：γ射線能量E（對(duì)應(yīng)核素）：E∝脈沖幅度V(t) ∝道址數(shù) CH，即γ射線的能量用儀器譜的道址來(lái)表征。γ射線照射量率（源的γ射線強(qiáng)度）：，即γ射線的照射量率用儀器譜中的對(duì)應(yīng)特征峰面積來(lái)表征。試畫(huà)出137Cs伽瑪射線源在NaI(Tl)閃爍體作為探測(cè)器對(duì)應(yīng)的儀器譜，并解釋各譜峰的形成機(jī)理。答：一個(gè)典型的NaI（T1）γ能譜。如右圖所示，譜線上有三個(gè)峰和一個(gè)平臺(tái)。最右邊的峰A稱為全能峰。這一脈沖幅度直接反映入射γ射線的能量。這一峰中包含光電效應(yīng)及多次效應(yīng)的貢獻(xiàn)。平臺(tái)狀曲線B就是康普頓散射效應(yīng)的貢獻(xiàn)，它的特征是散射光子逃逸后留下一個(gè)能量從0到的連續(xù)的電子譜。峰C是反散射峰。當(dāng)γ射線射向閃爍體時(shí)，總有一部分γ射線沒(méi)有被閃爍體吸收而逸出。當(dāng)它與閃爍體周圍的物質(zhì)發(fā)生康普頓效應(yīng)時(shí)，反散射光子返回閃爍體，通過(guò)光電效應(yīng)被記錄，這就構(gòu)成反散射峰。當(dāng)然，在放射源襯底材料中，以及探頭的屏蔽材料中產(chǎn)生的反散射光子同樣有可能對(duì)反散射峰作出貢獻(xiàn)。反散射光子能量總是在184keV左右，因此在能譜圖上較易識(shí)別。峰D是X射線峰，它是由137Ba的K層特征X射線貢獻(xiàn)的。，在放出內(nèi)轉(zhuǎn)換電子后，造成K空位，外層電子躍遷后產(chǎn)生此X光子。并進(jìn)行相應(yīng)說(shuō)明。答：，最右邊的是全能峰，這一脈沖幅度直接反映入射γ射線的能量。全能峰中包含光電效應(yīng)及多次效應(yīng)的貢獻(xiàn)。平臺(tái)狀曲線就是康普頓散射效應(yīng)的貢獻(xiàn)，它的特征是散射光子逃逸后留下一個(gè)能量從0到 的連續(xù)的電子譜。當(dāng)入射γ光子與探測(cè)器發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)時(shí)，如果一對(duì)湮沒(méi)光子逃逸而未相互作用，將在能譜上比全能峰低2 m0c2()的能量處產(chǎn)生雙逃逸峰。若一個(gè)湮沒(méi)光子逃逸而另一個(gè)完全被吸收，其結(jié)果是在能譜上比全能峰低m0c2的能量處出現(xiàn)一個(gè)單逃逸峰。多次康普頓散射事件導(dǎo)致多次反沖電子的總能量在探測(cè)器中沉淀的能量大于單次散射的最大值，這些多次散射事件可能部分地填充在康普頓邊緣和全能峰之間的空隙。一個(gè)或一對(duì)湮沒(méi)光子在探測(cè)器介質(zhì)中可以通過(guò)康普頓散射和相繼的散射光子將部分能量轉(zhuǎn)變成反沖電子的能量，這些相互作用造成另一個(gè)康普頓連續(xù)能區(qū)，而疊加在一次康普頓連續(xù)譜上。在響應(yīng)能譜曲線上，這樣一些事件聚集在雙逃逸峰和全能峰之間。請(qǐng)簡(jiǎn)述在γ能譜的形成過(guò)程中， 除了γ射線與物質(zhì)的光電效應(yīng)、康普頓散射和電子對(duì)效應(yīng)對(duì)γ能譜的貢獻(xiàn)形成全能峰、康普頓坪、單逃逸峰和雙逃逸峰等之外，還伴隨著哪些其它的作用過(guò)程和干擾輻射的影響，使得γ譜線復(fù)雜化？答：其它作用過(guò)程主要包括：累計(jì)效應(yīng)：入射γ光子在探測(cè)介質(zhì)中通過(guò)多次相互作用所引起的γ光子的能量完全吸收（沉淀在探測(cè)器中），會(huì)相對(duì)地提高了全能峰中的脈沖數(shù)；和峰效應(yīng)：兩個(gè)（或更多）γ光子同時(shí)被探測(cè)器晶體吸收產(chǎn)生幅度更大的脈沖，該脈沖幅度
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