側(cè)向及微電阻率測井(已改無錯字)
2023-06-07 22:26:14 本頁面
【正文】 1 100 .00 .51 .01 .52 .02 .5RLLD/RS105001005020521RLLDc/RLLDH/ m0 .4 0 .6 0 .8 1 2 4 6 8 10 20 40110100250100Rt / RxoRt /R LLD2di / mRLLD/RxoRLLD/RLLS3X井環(huán)境校正結(jié)果 經(jīng)過校正后的 H2C層Rt比深側(cè)向測井的電阻率高 2ΩM，由于環(huán)境校正采用每次校正一種“影響因素”的校正形式，決定了其環(huán)境校正的局限性和準確性，它只能在特定的地層厚度、泥漿電阻率、地層電阻率 Rt等因素下應用，超出特定范圍后沒有相應圖版進行校正。因此，采用了電阻率二維反演對測井環(huán)境影響進行校正。 微電阻率測井測井 為了提高縱向分辨率 ,不漏掉薄層和求準確目的層厚度 。直觀判斷滲透層 。準確測量沖洗帶電阻率等目的建立 微電阻率測井 微電阻率測井包括 微電極 微側(cè)向 鄰近側(cè)向 微球形聚焦測井 1 測量原理 電極系如圖 : (1)電極 A M1 M2嵌在絕緣極板上使電極系貼井壁測量 (2)供電電極 A和測量電極 M1 M2組成兩種不同類型的微電極系 : ( M1 M2) 為微梯度電極系電極距為 。 M2為微電位電極系電極距為 兩種電極系探測深度不同因此前者 (40mm)反映泥餅
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