屈瑩-不同電阻率太陽能電池制作工藝探索及電性能研究(已改無錯(cuò)字)
2023-02-20 04:35:05 本頁面
【正文】 9/49 49/48 48/47 610Ωcm 47/46 48/47 46/47 47/47 48/47 36Ωcm 47/45 48/47 47/45 47/46 46/45 cm 45/44 46/46 45/45 45/44 45/45 擴(kuò)散后方塊電阻比較 用相同的擴(kuò)散工藝擴(kuò)散后，用四探針測試其擴(kuò)散后方塊電阻發(fā)現(xiàn)：隨著電阻率的增加，其擴(kuò)散后的方阻有增大的趨勢 相同擴(kuò)散工藝下，不同電阻率硅片方阻比較 EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 隨著電阻率的增加，最大輸出功率有下降的趨勢；其填充因子呈下降趨勢。 開路電壓和短路電流呈現(xiàn)相反的變化趨勢。 相同燒結(jié)條件下，電性能參數(shù)隨電阻率的變化趨勢 EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 4045Ω/□ 燒結(jié)條件 轉(zhuǎn)化效率 cm 高溫?zé)Y(jié) % 36Ωcm % △ % 4550Ω/□ 燒結(jié)條件 轉(zhuǎn)化效率 cm 正常工藝燒結(jié) % 36Ωcm % △ % 5055Ω/□ 燒結(jié)條件 轉(zhuǎn)化效率 cm 低溫?zé)Y(jié) % 36Ωcm % △ % 選擇電阻率為 cm和電阻率為 36Ωcm硅片，調(diào)節(jié)其擴(kuò)散方阻及燒結(jié)條件，對比其轉(zhuǎn)換效率變化發(fā)現(xiàn)，在高方阻的條件下，其兩者轉(zhuǎn)化效率差別最小，因此，對于稍高電阻率硅片而言，高方阻工藝與其匹配性較好。 不同方阻、不同燒結(jié)工藝條件下，轉(zhuǎn)化效率比較 EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 不同電阻率單晶電池片衰減研究 不同摻雜硅材料體少子壽命的光衰減行為 衰減機(jī)理 EGING PV FOR THE
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