spice電路模擬六ppt課件(已改無錯字)
2023-06-05 18:24:51 本頁面
【正文】 the physical (on the wafer) and the drawn S/D active width. ? TOX：柵極氧化層厚度 Gate oxide thickness. ? RSH：源 /漏極的方塊電阻 Source/drain sheet resistance. ? DELVTO：臨界電壓變化 Threshold voltage shift. 典型參數(shù)的影響 實(shí)驗(yàn)：圖 P237 ? 使用 TSMC TT_3V工藝，并指定MOS管尺寸的長 (1u)和寬 (10u) ? 加一脈沖信號并作瞬態(tài)分析，觀看輸入輸出波形 ? 通過使用 .ALTER語句，同時(shí)在 TT，以及在 SS、FF、 SF、 FS等極限工藝角情況下依次進(jìn)行分析，并在庫中查看不同工藝角情況下的參數(shù)設(shè)置 數(shù)據(jù)驅(qū)動分析（ P204） ? 數(shù)據(jù)驅(qū)動分析，允許同時(shí)修改多個(gè)參數(shù)值，再執(zhí)行原來指定的直流、交流、暫態(tài)分析等操作 ? 由 .DATA語句定義參數(shù)值陣列 ? 在原來的直流、交流、暫態(tài)分析語句里要加入指定使用的數(shù)據(jù)陣列名稱 .DATA語句定義形式 .DATA datanm
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