【正文】
典型參數(shù) ? XL:實際溝道長度的誤差 Difference between the physical (on the wafer) and the drawn reference channel length. ? XW:實際溝道寬度的誤差 Difference between the physical (on the wafer) and the drawn S/D active width. ? TOX:柵極氧化層厚度 Gate oxide thickness. ? RSH:源 /漏極的方塊電阻 Source/drain sheet resistance. ? DELVTO:臨界電壓變化 Threshold voltage shift. 典型參數(shù)的影響 實驗:圖 P237 ? 使用 TSMC TT_3V工藝,并指定MOS管尺寸的長 (1u)和寬 (10u) ? 加一脈沖信號并作瞬態(tài)分析,觀看輸入輸出波形 ? 通過使用 .ALTER語句,同時在 TT,以及在 SS、FF、 SF、 FS等極限工藝角情況下依次進(jìn)行分析,并在庫中查看不同工藝角情況下的參數(shù)設(shè)置 數(shù)