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集成電路版圖基礎(chǔ)-電容(已改無錯字)

2023-05-31 18:27:03 本頁面

　　

【正文】屬或兩層多晶硅作為電容器的上下極板，氧化層作為絕緣介質(zhì) ?金屬電容；雙多晶硅電容 ?能夠有效減小寄生電容，但金屬電容器單位電容值較小， ?（ 3）疊層電容器 ?利用 metal1或第二層多晶硅覆蓋在第一層多晶硅之上形成第三層極板，增大電容值。 ?金屬多晶硅擴(kuò)散區(qū)電容電容值誤差 —— 邊緣電容 ?理想平板電容器的電場線是直線，但實(shí)際情況下，在靠近邊緣地方的會發(fā)生彎曲，越靠近邊緣，彎曲越嚴(yán)重。

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