氣體放電的基本物理過程(已改無錯(cuò)字)
2023-02-16 03:26:05 本頁面
【正文】 pd??????????????b ()U f pd?（ 3）氣體密度對擊穿的影響 b ()U F d??ss2 .9T ppp T T? ??湯遜自持放電理論 湯遜放電理論的適用范圍 ? 研究表明 ：湯遜理論能解釋低氣壓、 Pd較小時(shí)的放電現(xiàn)象；當(dāng) Pd過小或過大時(shí)，放電機(jī)理變化，不適用。 ? Pd過大時(shí)，湯遜理論無法解釋許多實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。 Pd過大時(shí)（大氣壓下） 難以假釋的現(xiàn)象 ： ? 放電外形：出現(xiàn)放電分支細(xì)通道，非充滿放電空間。 ? 放電時(shí)間：低氣壓下湯遜理論的計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)符合，高氣壓下計(jì)算值遠(yuǎn)大于實(shí)測值。 ? 擊穿電壓： Pd大時(shí)，計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)值差別大。 ? 陰極材料的影響：湯遜放電及擊穿電壓與陰極材料有關(guān)，而高氣壓下間隙擊穿電壓基本與電極材料無關(guān) 高電壓工程基礎(chǔ) ? pd 值較大的情況（流注） 實(shí)測的放電時(shí)延遠(yuǎn)小于正離子穿越間隙所需的時(shí)間，這表明湯遜理論不適用于 pd值較大的情況。 形成流注的必要條件是電子崩發(fā)展到足夠的程度后，電子崩中的空間電荷使 原電場明顯畸變 ，大大加強(qiáng)了崩頭及崩尾處的電場。 電子崩中電荷密度很大，所以復(fù)合過程頻繁，放射出的光子在崩頭或崩尾強(qiáng)電場區(qū)很容易引起光電離。 二次電子的主要來源是空間的光電離 。 （ 1）流注的形成條件 流注放電理論要點(diǎn) ? 在高氣壓下（ Pd大），當(dāng)外施電壓等于擊穿電壓時(shí)，光電離強(qiáng)烈，電子崩（湯遜放電）轉(zhuǎn)入流注放電。 ? 流注理論認(rèn)為：電子崩發(fā)展到足夠的程度后，其空間電荷足以使原電場嚴(yán)重畸變，大大加強(qiáng)崩頭和崩尾電場，引發(fā)強(qiáng)場光子發(fā)射。另外，電子崩中電荷密度非常大，弱場區(qū)復(fù)合過程頻繁，放射出的光子重新引起光電離。 ? 流注理論強(qiáng)調(diào)：不均勻的空間電荷分布對電場畸變的作用；空間碰撞電離和光電離是形成自持放電的主要原因 。 ? 適用范圍：高氣壓、均勻、不均勻電場中的放電過程。還較為粗糙，存在假說成分。 高電壓工程基礎(chǔ) （ 2）流注自持放電條件（即形成流注的條件） e1d?? ? 1lnd? ?? 1l n 2 0d? ???對于空氣間隙：湯遜放電理論與流注放電理論的比較： 流注理論可以解釋湯遜理論無法說明的 pd值大時(shí)的放電現(xiàn)象。如放電為何并不
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