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正文內(nèi)容

電位移有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理(已改無錯(cuò)字)

2023-06-22 15:52:09 本頁面
  

【正文】 U ?r =3, d=1 mm, U=1 000 V 例題 7 26000 mC ?? ???? E??26 mC 39。 ?? ???? P?26000r0 mC EED ?????? ?????rεd + + + + + + + + + + + U 例題 ?r =3, d=1 mm, U=1 000 V 8 例 2 圖中是由半徑為 R1的長直圓柱導(dǎo)體和同軸的半徑為R2的薄導(dǎo)體圓筒組成,其間充以相對(duì)電容率為 ?r的電介質(zhì) . 設(shè)直導(dǎo)體和圓筒單位長度上的電荷分別為 +?和 ?. 求 (1)電介質(zhì)中的電場(chǎng)強(qiáng)度、電位移和極化強(qiáng)度; (2)電介質(zhì)內(nèi)外表面的極化電荷面
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