【正文】 P0= table[2]。 dula=0。 delay(1000)。 } } break。 case 112: { wela=1。//00000001 P0=0xfe。 14 wela=0。 while(1) { dula=1。 P0= table[3]。 dula=0。 delay(1000)。 } } break。 default: break。 } } while(1)。 } 四 搶答器的實物設計 單片機 STC12C5A60S2 在眾多的 51 系列單片機中，要算國內(nèi) STC 公司 的 1T 增強系列更具有競爭力，因他不但和 8051 指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲器且是 15 FLASH 工藝的，如 STC12C5A60S2 單片機內(nèi)部就自帶高達 60K FLASH ROM, STC12C5A60S2 是 8051 系列單片機，與普通 51 單片機相比有以下特點： 同樣晶振的情況下，速度是普通 51 的 8~12 倍 有 8 路 10 位 AD 多了兩個定時器，帶 PWM 功能 有 SPI 接口 有 EEPROM 有 1K 內(nèi)部擴展 RAM 有 WATCH_DOG 多一個串口 IO 口可以定義，有四種狀態(tài) 中斷優(yōu)先級有四種狀態(tài)可定義 引腳功能： VCC：供電電壓 。 GND：接地 。 P0 口： P0 口為一個 8 位漏級開路雙向 I/O 口，每個管腳可吸收 8TTL 門電流。當 P1 口的管腳寫 “1”時，被定義為高阻輸入。 P0 能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器 ，它可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。在 FLASH 編程時， P0 口作為原碼輸入口，當 FLASH 進行校驗時， P0 輸出原碼，此時 P0 外部電位必須被拉高 。 P1 口： P1 口是一個內(nèi)部提供上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P1 口緩沖器能接收輸出 4TTL 門電流。 P1 口管腳寫入 “1”后，電位被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入， P1 口被外部下拉為低電平時，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在FLASH 編程和校驗時， P1 口作為第八位地址接收 。 P2 口： P2 口為一個內(nèi)部 上拉電阻 的 8 位雙向 I/O 口， P2 口緩沖器可接收，輸出 4 個 TTL 門電流，當 P2 口被寫 “1”時，其管腳電位被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。作為輸入時， P2 口的管腳電位被外部拉低，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2 口當用于外部程序存儲器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進行存取時， P2 口輸出地址的高八位。在給出地址 “1”時，它利用內(nèi)部上拉的優(yōu)勢，當對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時， P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。P2 口在 FLASH 編程和校驗時接收高八 位地址信號和控制信號 。 P3 口： P3 口管腳是 8 個帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O 口，可接收輸出 4 個TTL 門電流。當 P3 口寫入 “1”后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入時，由于外部下拉為低電平， P3 口將輸出電流 (ILL)，也是由于上拉的緣故。P3 口也可作為 AT89C51 的一些特殊功能口： RXD(串行輸入口 ) 16 TXD(串行輸出口 ) INT0(外部中斷 0) INT1(外部中斷 1) T0(記時器 0 外部輸入 ) T1(記時器 1 外部輸入 ) WR (外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通 ) RD (外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通 ) 同時 P3 口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號 。 RST：復位輸入。當振蕩器復位器件時，要保持 RST 腳兩個機器周期的高平時間 。 ALE / PROG ：當訪問外部存儲器時，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的低位字節(jié)。在 FLASH 編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時， ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。然而要注意的是：每當用作外部數(shù)據(jù)存儲