mos器件物理--轉(zhuǎn)移特性曲線-閱讀頁
2024-10-24 21:04本頁面
【正文】 條件：ΔL遠小于L（即長溝道）而得到的，此時才有 的近似線性關(guān)系，而對于短溝道器件則上述條件不成立，它會導(dǎo)致飽和ID/VDS特性曲線的斜率可變。 但MOS管的實際工作狀態(tài)應(yīng)用弱反型模型，即當(dāng)VGS略小于Vth時，MOS管已開始導(dǎo)通，仍會產(chǎn)生一個弱反型層，從而會產(chǎn)生由漏流向源的電流，稱為亞閾值導(dǎo)通，而且ID與VGS呈指數(shù)關(guān)系： 其中ξ1是一非理想的因子；ID0為特征電流： ，m為工藝因子，因此ID0與工藝有關(guān)；而VT稱為熱電壓： 。 亞閾值區(qū)的跨導(dǎo)為： 由于ξ1，所以gmID/VT，即MOS管的最大跨導(dǎo)比雙極型晶體管（IC/VT）小。 因此在亞閾值區(qū)域， 大器件寬度（存在大的寄生電容）或小的漏極電流的MOS管具有較高的增益。,溫度效應(yīng),溫度效應(yīng)對MOS管的性能的影響主要體現(xiàn)在閾值電壓Vth與載流子遷移率隨溫度的變化。 對于PMOS管則dVth/dT總為正值，即閾值電壓隨溫度的上升而增大。 實驗還發(fā)現(xiàn)，在器件工作的正常溫度范圍內(nèi)，遷移率與溫度近似成反比關(guān)系。由薩氏公式兩邊對T求導(dǎo)得： 則有： 由于溫度的變化對閾值電壓與遷移率的影響正好是反向的，漏源電流IDS隨溫度的變化取決于這兩項的綜合，因此，MOS管的電性能的溫度穩(wěn)定性比雙極型的晶體管好。24.10.2124.10.21Monday, October 21, 2024 人生得意須盡歡，莫使金樽空對月。24.10.2101:28:3001:28Oct2421Oct24 加強交通建設(shè)管理，確保工程建設(shè)質(zhì)量。24.10.2124.10.2101:28:3001:28:30October 21, 2024 踏實肯干，努力奮斗。2024年10月21日星期一上午1時28分30秒01:28:3024.10.21 嚴格把控質(zhì)量關(guān)，讓生產(chǎn)更加有保障。2024年10月21日星期一1時28分30秒01:28:3021 October 2024 好的事情馬上就會到來，一切都是最好的安排。24.10.2124.10.2101:2801:28:3001:28:30Oct24 牢記安全之責(zé)，善謀安全之策，力務(wù)安全之實。24.10.212024年10月21日星期一1時28分30秒24.10.21,謝謝大
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