模擬電子技術(shù)第3章場(chǎng)效應(yīng)管及其模擬電路-閱讀頁(yè)
2025-01-12 09:24本頁(yè)面
【正文】 FT的符號(hào) vGS≥0 vDS≤ 0 N P P P溝道 JFET的轉(zhuǎn)移特性公式與 N溝道 JFET相同。 2) p溝道管，由空穴導(dǎo)電。柵壓為零時(shí)不能導(dǎo)電。柵壓為零時(shí)管子能導(dǎo)電。 于是出現(xiàn)四種 MOSFET: 增強(qiáng)型 N溝道 MOS（ ENMOSFET） 耗盡型 N溝道 MOS（ DNMOSFET） 增強(qiáng)型 P溝道 MOS（ EPMOSFET） 耗盡型 P溝道 MOS（ DPMOSFET） 在絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最多的是金屬 — 氧化物 — 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。 3. 電路符號(hào)中的溝道斷開(kāi)，以表示沒(méi)有初始導(dǎo)電溝道，屬于增強(qiáng)型。 圖 34 N溝道 MOSFET的結(jié)構(gòu)與電路符號(hào) 工作原理 G與 S之間加電壓 vGS，二氧化硅中將產(chǎn)生一個(gè)由 G指向 B的電場(chǎng)。因?yàn)闇系朗庆o電場(chǎng)感應(yīng)而生成，也稱(chēng) 感生溝道（反型層） 。 vGS越大， N溝道越寬，漏極電流就越大。 iD（或 iS）成為壓控電流源。與 NJFET相似或相同 的是分為四個(gè)區(qū)，即恒流區(qū)、可變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。 ENMOSFET的轉(zhuǎn)移特性 如圖 36(b)所示。 K的大小由溝道的長(zhǎng)、寬和單位面積的柵電容等因素決定。 式 (32) ID2 VGS,th 2VGS,th N溝道耗盡型 MOSFET 耗盡型與增強(qiáng)型的根本區(qū)別在于有無(wú)初始的導(dǎo)電溝道。因此耗盡型有夾斷電壓 VGS,off和柵源短路時(shí)的漏極飽和電流 IDSS。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管屬于耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管。也就是說(shuō)，耗盡型 NMOSFET可以工作于零偏壓方式、正偏壓方式和負(fù)偏壓方式。可見(jiàn)，轉(zhuǎn)移特性的 vGS取值范圍比 NJFET增加了正向區(qū)域。不同點(diǎn)在于 vGS的取值范圍。只要注意 VGS,off的正、負(fù)值即可（ DNMOSFET： VGS,off為負(fù)值； DPMOSFET： VGS,off為正值）。所謂飽和電流是指 vDS的變化對(duì) iD的影響很小，輸出特性曲線(xiàn)進(jìn)入恒流段的電流值。在輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)圖中可以確定 VGS,off的近似值。 ② 溝道系數(shù) K由生產(chǎn)廠(chǎng)家來(lái)提供，也可以自行測(cè)量。根據(jù)轉(zhuǎn)移特性方程可得， ID2=K(VGS,th)2，故 K=IDS/V2GS,th。 JFET的直流輸入電阻 RGS在 108Ω~1012 Ω之間； MOSFET的直流輸入電阻 RGS在 1010Ω~1015Ω之間，通常可認(rèn)為 RGS→∞ 。對(duì)于JFET而言，該參數(shù)為 PN結(jié)反向擊穿電壓，對(duì)于 MOSFET而言，該參數(shù)為 SiO2絕緣層被擊穿時(shí)的柵源電壓。漏極與源極之間的擊穿電壓。常用的直流偏置電路有兩種，即自給偏壓式偏置電路和分壓式偏置電路，如圖 310所示。對(duì) P溝道 FET，只要將電源VDD的極性反過(guò)來(lái)即可。 (a) 自給偏壓式偏置電路的特點(diǎn)是：由漏極電流 ID自動(dòng)生成負(fù)值的柵 — 源電壓。 (c) ∵ 源極電位 VS=IDRS g s d ∵ 柵極電位 ∴ G2G S G S D D D SG 1 G 2RV V V V I RRR? ? ? ?? 可見(jiàn)， VGS可正、可負(fù)，當(dāng)?shù)谝豁?xiàng)大于第二項(xiàng)時(shí)， VGS為正，若 VGSVGS,th，則可應(yīng)用于 N溝道增強(qiáng)型。對(duì)于 P溝道 FET，只要把 VDD極性反過(guò)來(lái)
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