參加學(xué)術(shù)講座和學(xué)術(shù)報(bào)告-閱讀頁
2024-08-22 01:21本頁面
【正文】 接入和統(tǒng)一管理，這為存儲(chǔ)虛擬化提供了豐富的存儲(chǔ)資源，也為建立全局的管理視圖創(chuàng)造了條件。分布式文件系統(tǒng)具有執(zhí)行遠(yuǎn)程文件的存取能力，以透明方式對(duì)分布在網(wǎng)絡(luò)中的文件進(jìn)行管理和存取，用戶在訪問文件時(shí)不再需要知道和指定它們的實(shí)際物理位置。在當(dāng)前大多數(shù)分布式文件系統(tǒng)中，元數(shù)據(jù)管理和數(shù)據(jù)管理通常是分開的，從而，可以獲取更高的系統(tǒng)擴(kuò)展性和IO并發(fā)性。元數(shù)據(jù)管理模型可以劃分為三種：集中式元數(shù)據(jù)服務(wù)模型、分布式元數(shù)據(jù)服務(wù)模型和無元數(shù)據(jù)服務(wù)模型。文件系統(tǒng)最初設(shè)計(jì)時(shí)，僅僅是為局域網(wǎng)內(nèi)的本地?cái)?shù)據(jù)服務(wù)的。不僅改變了數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和管理方式，也擁有了本地文件系統(tǒng)所無法具備的數(shù)據(jù)備份、數(shù)據(jù)安全等優(yōu)點(diǎn)。例如有1000萬個(gè)數(shù)據(jù)文件，可以在一個(gè)節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)全部數(shù)據(jù)文件，在其他N個(gè)節(jié)點(diǎn)上每個(gè)節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)1000/N萬個(gè)數(shù)據(jù)文件作為備份；或者平均分配到N個(gè)節(jié)點(diǎn)上存儲(chǔ)，每個(gè)節(jié)點(diǎn)上存儲(chǔ)1000/N萬個(gè)數(shù)據(jù)文件。(2)數(shù)據(jù)的讀取速率。各種因素決定了分布式文件系統(tǒng)的用戶體驗(yàn)。(3)數(shù)據(jù)的安全機(jī)制。五、 阻變存儲(chǔ)器開關(guān)機(jī)理研究進(jìn)展阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器（RRAM）是一種基于阻值變化來記錄存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）器件。NVM器件由于其高密度、高速度和低功耗的特點(diǎn)，在存儲(chǔ)器的發(fā)展當(dāng)中占據(jù)著越來越重要的地位。但是，工作壽命、讀寫速度的不足，寫操作中的高電壓及尺寸無法繼續(xù)縮小等瓶頸已經(jīng)從多方面限制了flash存儲(chǔ)器的進(jìn)一步發(fā)展。然而，F(xiàn)eRAM及MRAM在尺寸進(jìn)一步縮小方面都存在著困難。RRAM器件因其具有相當(dāng)可觀的微縮化前景，在近些年已引起了廣泛的研發(fā)熱潮。對(duì)于RRAM而言，其存儲(chǔ)器矩陣可以設(shè)計(jì)為無源矩陣和有源矩陣兩種。非線性元件的作用是使阻變?cè)玫胶线m的分壓，從而避免阻變?cè)幱诘妥钁B(tài)時(shí)，存儲(chǔ)單元讀寫信息的丟失。然而，采用無源矩陣會(huì)使相鄰單元間不可避免地存在干擾。由晶體管來控制阻變?cè)淖x寫與擦除信號(hào)可以良好隔離相鄰單元的干擾，也與CMOS工藝更加兼容。RRAM中的阻變?cè)话悴捎煤唵蔚念愃齐娙莸慕饘俳橘|(zhì)層金屬（MIM）結(jié)構(gòu)，由兩層金屬電極包夾著一層介質(zhì)材料構(gòu)成。由于對(duì)RRAM器件的研究主要集中在對(duì)電極材料以及介質(zhì)層材料的研究方面，故而往往采用如圖4所示的簡單結(jié)構(gòu)，采用傳統(tǒng)的硅、氧化硅或者玻璃等襯底，通過依次疊合的底電極、介質(zhì)層、頂電極完成器件的制備，然后于頂電極與底電極之間加入可編程電壓信號(hào)來測試阻變器件的性能，這樣的簡單結(jié)構(gòu)被大多數(shù)研究者所采納。六、 超分辨率光存儲(chǔ)技術(shù)傳統(tǒng)的光盤系統(tǒng) (如 CD、DVD)，以及當(dāng)前的藍(lán)光系統(tǒng)(如Blu Ray、HD DVD)都是一種遠(yuǎn)場二維存儲(chǔ)技術(shù)，能分辨的最小記錄符的大小受到光學(xué)衍射 極限的限制，存儲(chǔ)密度已接近了物理極限。隨著多媒體和計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，超高密度的光信息存儲(chǔ)受到廣泛關(guān)注， 有很多種GB（千兆字節(jié)）級(jí)存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)方法提出。盡管在最近幾年藍(lán)綠光激光二極管有了很大的發(fā)展，但有些問題如怎樣獲得低電阻的p型半導(dǎo)體材料和怎樣與p型半導(dǎo)體材料進(jìn)行歐姆接觸等一直還未解決，因此短波長激光二極管的實(shí)際應(yīng)用還需要繼續(xù)努力，數(shù)值孔徑的增大以焦深的減小和由于偏心率而引起的失真的增加為代價(jià)， 因此增大數(shù)值孔徑而提高存儲(chǔ)密度是十分有限的。超分辨可以用調(diào)整光路或通過調(diào)整光盤結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。光學(xué)近場存儲(chǔ)（NFOR）對(duì)超高密度存儲(chǔ)是非常有用的方法。在此之后，在相變薄膜上記錄了幾乎同樣小的記錄點(diǎn)。在讀出和寫入激光波長不變的情況下，利用超分辨方法可使目前的只讀光盤和相變光盤的存儲(chǔ)密度增大近一倍。研究生簽字老師評(píng)分評(píng)分老師簽字 年 月 日1
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