【摘要】微電子技術(shù)新進(jìn)展西安理工大學(xué)電子工程系高勇內(nèi)容簡(jiǎn)介?微電子技術(shù)歷史簡(jiǎn)要回顧?微電子技術(shù)發(fā)展方向–增大晶圓尺寸和縮小特征尺寸面臨的挑戰(zhàn)和幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)–集成電路(IC)發(fā)展成為系統(tǒng)芯片(SOC)可編程器件可能取代專用集成電路(ASIC)–微電子技術(shù)與其它領(lǐng)域相結(jié)合將產(chǎn)
2025-02-01 16:59
【摘要】項(xiàng)目三微電子技術(shù)專業(yè)及專業(yè)群建設(shè)一、項(xiàng)目概述本項(xiàng)目重點(diǎn)建設(shè)微電子技術(shù)專業(yè),帶動(dòng)電子信息工程技術(shù)專業(yè)、應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)和電子聲像技術(shù)專業(yè)的提升。依托重慶微電子產(chǎn)業(yè)園區(qū)的地域優(yōu)勢(shì),與富士康科技集團(tuán)、美國(guó)賽靈思(Xilinx)公司、重慶川儀集團(tuán)公司、重慶航凌電路板有限公司等企業(yè)合作,搭建產(chǎn)學(xué)合作平臺(tái),共建“微電子學(xué)院”;創(chuàng)新“校企互嵌、五環(huán)相扣、工學(xué)
2024-11-07 17:51
【摘要】畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)(論文)設(shè)計(jì)(論文)題目:數(shù)字鐘的設(shè)計(jì)專業(yè):班級(jí):學(xué)號(hào):姓名:指導(dǎo)教師
2024-12-26 02:05
【摘要】微電子技術(shù)專業(yè)人才培養(yǎng)方案編寫(xiě)責(zé)任人:曹毅編寫(xiě)組成員:彭勇系主任審核:教務(wù)處審核:
2024-09-21 21:16
【摘要】第十一章未來(lái)的趨勢(shì)與挑戰(zhàn)西南科技大學(xué)理學(xué)院0微電子技術(shù)的四個(gè)發(fā)展方向主要內(nèi)容發(fā)展中的難題和挑戰(zhàn)半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)1概述近30年來(lái),集成電路技術(shù)一直按照"摩爾定律"向前發(fā)展。集成電路工藝中的特征尺寸更小,集成密度更高,集成電路材
2025-01-07 23:00
【摘要】----深圳市凱智通微電子技術(shù)有限公司部門(mén)負(fù)責(zé)人()安全責(zé)任考核表年月考核單位:考核人:項(xiàng)目評(píng)分對(duì)照表
2025-06-24 11:32
【摘要】微電子技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用畢業(yè)論文集成電路的發(fā)展回顧全球集成電路發(fā)展的路程,基本上可以總結(jié)為六個(gè)階段:第一階段:1962年制造出包含12個(gè)晶體管的小規(guī)模集成電路(SSI,Small-ScaleIntegration)。第二階段:1966年發(fā)展到集成度為100~1000個(gè)晶體管的中規(guī)模集成電路(MSI,Medium-ScaleIntegration)。第三階段:1967~
2025-07-05 05:30
【摘要】1北京昆天科微電子技術(shù)有限公司詳情請(qǐng)致電郵:于宏2?美國(guó)Quintic公司由五位長(zhǎng)年工作于硅谷的中國(guó)留學(xué)生和一位加州伯克萊大學(xué)教授,美國(guó)工程院院士共同創(chuàng)辦。?本公司專注于無(wú)線系統(tǒng)集成芯片(WirelessSoC)的研發(fā)。?公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)在互補(bǔ)領(lǐng)域的豐富工作經(jīng)驗(yàn)和極具實(shí)力的創(chuàng)投支持是公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司簡(jiǎn)
2025-08-02 13:24
【摘要】中國(guó)航天第七七一研究所研發(fā)大樓及寫(xiě)字樓(施工組織設(shè)計(jì))第1頁(yè)微電子技術(shù)研究所太白南路研發(fā)大樓及寫(xiě)字樓施工組織設(shè)計(jì)編制:審核:
2024-11-30 23:38
【摘要】第二章集成電路的制造工藝?第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程?第二節(jié)MOS集成電路的工藝流程?第三節(jié)外延工藝?第四節(jié)氧化工藝?第五節(jié)化學(xué)汽相淀積(CVD)方法?第六節(jié)摻雜技術(shù)?第七節(jié)光刻工藝?第八節(jié)刻蝕技術(shù)第二章集成電路的制
2025-01-11 04:40
【摘要】第一章微電子技術(shù)中圖形加工的一般方法?在半導(dǎo)體發(fā)展的早期,首先使用的半導(dǎo)體材料是鍺,但它很快被硅取代了。因?yàn)楣柙诖髿庵醒趸梢孕纬梢粚咏Y(jié)力很強(qiáng)的透明的氧化硅(SiO2)薄膜,它可作硅表面的保護(hù)層;電路間的絕緣介質(zhì),以及作雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜。砷化鎵具有很高的遷移率,是一種重要的半導(dǎo)體材料。但由于砷化鎵在生長(zhǎng)大的單晶和形成絕緣層方面還存在某些技術(shù)問(wèn)題,因此在
2025-03-03 12:18
【摘要】專業(yè)可行性報(bào)告商業(yè)計(jì)劃書(shū)呈送:投資方版本號(hào):二零零三年五月二十二日保密條款[指定聯(lián)系人]劉鈉[職務(wù)][電話號(hào)碼]861064262196[手機(jī)]13701024365[電子郵件][
2025-02-10 00:21
【摘要】電工電子技術(shù)(二)和電子技術(shù)模擬試卷A1電子技術(shù)試題班級(jí)測(cè)04姓名學(xué)號(hào)第1頁(yè)題目一二三四五六七八總分?jǐn)?shù)分?jǐn)?shù)評(píng)卷人一,單項(xiàng)選擇題(從下列各題備選答案中選出一個(gè)正確答案,每小題2分
2024-11-08 17:20
【摘要】《電工技術(shù)與電子技術(shù)》實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)(袁南輝)編廣東技術(shù)師范學(xué)院數(shù)字傳媒實(shí)驗(yàn)中心二00六年五月六日目錄電工技術(shù)與電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)室規(guī)則2實(shí)驗(yàn)報(bào)告的要求
2025-07-29 15:33
【摘要】電子技術(shù)通用規(guī)范手冊(cè)12-----------------------作者:-----------------------日期:河南省電力公司集中規(guī)模招標(biāo)35千伏輸電線路工程電力電纜及附件招標(biāo)文件(技術(shù)規(guī)范專用部分)河南省電力公司2009年3月目錄1 工程概況
2025-04-27 04:01