開(kāi)關(guān)電源研發(fā)與設(shè)計(jì)-閱讀頁(yè)
2025-07-15 01:44本頁(yè)面
【正文】 極體，D5的使用需考慮:a. 電流值b. 二極體的耐壓值以DA14B33為例，輸出電流4A，使用10A的二極體(Schottky)應(yīng)該可以，但經(jīng)點(diǎn)溫昇驗(yàn)証後發(fā)現(xiàn)D5溫度偏高，所以必須換為15A的二極體，因?yàn)?0A的VF較15A的VF 值大。 C10，R17(二次側(cè)snubber) :D5在截止的瞬間會(huì)有spike產(chǎn)生，若spike超過(guò)二極體(D5)的耐壓值，二極體會(huì)有被擊穿的危險(xiǎn)，調(diào)整snubber可適當(dāng)?shù)臏p少spike的電壓值，除保護(hù)二極體外亦可改善EMI，R17一般使用1/2W的電阻，C10一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容，snubber調(diào)整的過(guò)程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否會(huì)過(guò)熱，應(yīng)避免此種情況發(fā)生。 L3，C12(LC濾波電路):LC濾波電路為第二級(jí)濾波，在不影響線路穩(wěn)定的情況下，一般會(huì)將L3 放大(電感量較大)，如此C12可使用較小的電容值。 電氣規(guī)格驗(yàn)証: 3843 PIN3腳電壓(full load 4A) :90V/47Hz = 115V/60Hz = 132V/60Hz = 180V/60Hz = 230V/60Hz = 264V/63Hz = Duty Cycle , fT: Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load) Stress (264V / 63Hz full load) :Q1 MOSFET:D5: D4: 輔助電源(開(kāi)機(jī)，滿載)、短路Pin max.: Static (full load)Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V).Ripple(mV)Pout(w)eff90V/47Hz432115V/60Hz0..31428132V/60Hz429180V/60Hz430230V/60Hz429264V/60Hz42990V/47Hz = OK115V/60Hz = OK132V/60Hz = OK180V/60Hz = OK230V/60Hz = OK264V/63Hz = OK Full Range負(fù)載()(驗(yàn)証是否有振盪現(xiàn)象) 回授失效(輸出輕載)90V/47Hz 234。 Vout = .(過(guò)電流保護(hù))90V/47Hz = 264V/63Hz = Pin(max.)90V/47Hz = 264V/63Hz = Dynamic testH=4A，t1=25ms，slew Rate = (Rise)L=，t2=25ms，slew Rate = (Full)90V/47Hz264V/63Hz HIPOT test:HIPOT test一般可分為兩種等級(jí):216。YCAP使用Y2CAP216。YCAP使用Y1CAPDA14B33屬於輸入3 PIN HIPOT test 為1500Vac/1 minute。 溫昇記錄設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)定案後(暫定)，需針對(duì)整體溫昇及EMI做評(píng)估，若溫昇或EMI無(wú)法符合規(guī)格，則需重新實(shí)驗(yàn)。 EMI測(cè)試:EMI測(cè)試分為二類(lèi):216。 Radiation(幅射干擾)前者視規(guī)範(fàn)不同而有差異(FCC : 450K 30MHz，CISPR 22 :150K 30MHz)，前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗(yàn)証；後者(範(fàn)圍由30M 300MHz，則因廠內(nèi)無(wú)設(shè)備必須到實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)証，Conduction，Radiation測(cè)試資料請(qǐng)參考附件) 。 樣品驗(yàn)証:樣品製作完成後，除溫昇記錄、EMI測(cè)試外(是否需重新驗(yàn)証，視情況而定)，每一臺(tái)樣品都應(yīng)經(jīng)過(guò)驗(yàn)証(包括電氣及機(jī)構(gòu)尺寸)，此階段的電氣驗(yàn)証可以以ATE(Chroma)測(cè)試來(lái)完成，ATE測(cè)試必須與電氣規(guī)格相符。
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