精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)筆記-閱讀頁
2025-07-12 05:05本頁面
【正文】 使用較經(jīng)濟(jì)的額定值為600V的MOSFET。s一次電感LμH＝Et/（r* ILR）＝473/（*）＝636181。取典型值DMAX＝反射電壓VRO＝[DMAX/（1－DMAX）]VDCMIN＝（）*＝公式原理是初級次級繞在同一個磁心上，其磁通總量△Φ相等P90變壓器的磁心面積一樣，不同的就是匝數(shù)初級的△Φp＝△Bp*Ae＝△Bs*Ae＝△Φs次級的磁通總量△Bp＝VΔt/NA＝VINtON/NpAe＝VDCMIN* DMAX /fNpAe 在開關(guān)導(dǎo)通時間△Bs＝Vo*tOFF/ NsAe＝（Vo+VF）*（1－ DMAX ）/fNsAe 在開關(guān)斷開時間推出VDCMIN* DMAX /Np＝（Vo+VF）*（1－ DMAX ）/Ns匝比n＝Np /Ns =VDCMIN* DMAX /[（Vo+VF）*（1－ DMAX ）]＝VRO＝n（Vo+VF）= VDCMIN* DMAX /（1－ DMAX ）＝*＝4，變壓器的初級電感Lp反激有CCM和DCM兩種工作模式，隨負(fù)載和輸入電壓的變化而變化，超薄電源為將變壓器最小化，將初級電感取小，在最小輸入電壓時，將電路工作在臨界導(dǎo)通模式，則正常工作時都是在DCM模式?？傊m應(yīng)本電源的實(shí)際應(yīng)用，就要選擇扁平的磁心。Np＝（1+2/r）*VON*D/（2*BPK*Ae*f）＝（1+2/r）*VINMIN*Dmax/（2*BPK*Ae*f） P100 P72＝（1+2/2）**（2**141*106*67*103）＝ 如取B＝，則Np＝規(guī)格書沒有磁心的Ae，實(shí)際測量的為Ae＝141mm2，供應(yīng)商提供的實(shí)際變壓器為28匝6確定輸出匝數(shù)匝比n＝Np/Ns＝VRO/（Vo＋VF）＝（+）＝ 實(shí)際為14則5V輸出的匝數(shù)為Ns＝＝ 則為2匝，1匝漏感大，實(shí)際是2匝則Np＝2*＝＝32匝，實(shí)際28匝VCC匝數(shù)為n＝（VCC＋VF）/（Vo＋VF）＝（16+）/（+）＝NVCC＝2*＝＝6匝，實(shí)際為7匝磁心氣隙計(jì)算，也有不同的計(jì)算方式第5章 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗開關(guān)損耗與開關(guān)頻率成正比Vgs電壓增大，到超過MOSFET提供的最大負(fù)載電流值后，則是“過驅(qū)動”，有助于減小導(dǎo)通電阻。即VI有交迭 關(guān)斷過程中，直到開關(guān)兩端電壓轉(zhuǎn)換完成，其電流轉(zhuǎn)換才開始導(dǎo)通損耗，mosfet的導(dǎo)通損耗與占空比有關(guān)，與頻率無關(guān)寄生電容有效輸入電容Ciss，輸出電容Coss，反向傳輸電容Crss，他們與極間電容的關(guān)系如下：Ciss＝Cgs＋CgdCoss＝Cds＋CgdCrss＝Cgd則有下式（Ciss，Coss ，Crss在產(chǎn)品資料中有）Cgd＝CrssCgs＝Ciss－CrssCds＝Coss－Crss門極開啟電壓Vt，mosfet的柵極有開啟電壓，只有柵極電壓超過開啟電壓，才能使mosfet完全導(dǎo)通，即把流過mosfet的電流超過1mA時的狀態(tài)定義為導(dǎo)通狀態(tài)。電流增加時間是對Cg充電從Vt到Vt＋I(xiàn)o/g的時間。電壓增加時間是利用Cgd流出電流＝驅(qū)動電阻電流；電流減少是Cg放電從Vt＋I(xiàn)o/g到Vt的時間t1階段導(dǎo)通過程t1，Vgs從0上升到開啟電壓Vt，對Cg＝Cgs＋Cgd充電關(guān)斷過程t1，Vgs下降到最大電流時電壓Vt＋I(xiàn)o/g，Cg＝Cgs＋Cgd放電t2階段，有交越損耗導(dǎo)通過程t2，Id從0上升到Io＝g*（Vgs－Vt），Vgs繼續(xù)上升到Vt＋I(xiàn)o/g，對Cg＝Cgs＋Cgd充電Vd因漏感出現(xiàn)小尖峰，其余Vd＝Vin不變。關(guān)斷過程t2，Vgs被鉗位于Vt＋I(xiàn)o/g不變，因?yàn)镮o不變，Vgs＝Vt＋I(xiàn)og也不變。t2時間，由I＝Cdv/dt ＝/t由上行知道=（Vt＋I(xiàn)o/g－Vsat）/Rdrive Vsat為驅(qū)動電路的晶體管導(dǎo)通電壓，則t2階段時間為＝CgsVinRdrive/（Vt＋I(xiàn)o/g－Vsat）t3階段，有交越損耗導(dǎo)通過程t3Vgs被鉗位于Vt＋I(xiàn)o/g不變，因?yàn)镮d＝Io不變，Vgs＝Vt＋I(xiàn)og也不變。用這個來計(jì)算該階段的時間。其它不變柵荷系數(shù)，用來描述寄生緩沖電容的影響。其最低驅(qū)動電阻（）是2Ω。據(jù)此計(jì)算出其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。但是在開關(guān)管關(guān)斷和導(dǎo)通時分別充電和放電，這也是額外損耗（消耗在那里？），在低壓是不明顯，但是在高壓時這個損耗比較大。第6章 布線要點(diǎn)第7章 反饋環(huán)路分析及穩(wěn)定性需要數(shù)學(xué)知識有傅里葉變換、拉普拉斯變換。第11114章 傳導(dǎo)EMI方面dBμV＝20log（mV/106） P2401mV→20log（103/106）＝60 dBμVdB＝20log（n）→1dB＝20log（） 0dB＝20log（1）傳導(dǎo)發(fā)射的限制通常最高只達(dá)到30MHz，因?yàn)殡娋W(wǎng)上30MHz以上的傳到噪聲會迅速衰減，不會傳播的很遠(yuǎn)并造成干擾。線路阻抗不平衡，會使CM噪聲轉(zhuǎn)變成DM噪聲這個實(shí)踐性比較強(qiáng)，先寫幾個注意事項(xiàng)：1， DM扼流圈放在AC輸入端，用于DM噪聲消除，一般DM扼流圈比較小，2， 放2個CM扼流圈，一般CM扼流圈比較大，達(dá)到mH級，因?yàn)閅電容比較小3， 在橋堆前面放一個X電容，用于平衡2線上的CM噪聲，使CM扼流圈有用4， Y電容不能太大，有安全考慮，LC濾波器的設(shè)計(jì)5， DM噪聲大部分因?yàn)椋_關(guān)管的濾波電容，其ESR不能為0，開關(guān)管的電流在ESR上形成噪聲電壓源。還有一部分是來自變
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