【正文】 1A9=22A10=8A11=37A12=21A13=57A14=39A15=71A16=24A17=14A18=25 ：位置為A10的測量圖 ：位置為A1的測量圖 ：：4基體不同點(diǎn)的提離值關(guān)系曲線 以薄膜為模擬涂層的特種碳纖維復(fù)合材料涂層厚度測量試驗(yàn)1）首先將探頭放在基體中心位置即為基準(zhǔn)，再加上2張薄膜（一張5um），測試其提離值，并記錄數(shù)據(jù)。： 膜層厚度距離點(diǎn)數(shù)10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 14011 17 19 26 37 45 62 74 76 81 91 102 109 117：基體上“膜層厚度提離點(diǎn)”對應(yīng)值 ： 覆有 2 張超薄模擬涂層 ： 覆有10張超薄模擬涂層 ：覆有 20 張超薄模擬涂層 ：覆有 28 張超薄模擬涂層：由覆蓋錫紙張數(shù)與提離點(diǎn)信號距離點(diǎn)數(shù)之間關(guān)系曲線可以看出，探頭提離點(diǎn)信號的距離點(diǎn)數(shù)隨著錫紙紙張數(shù)的遞增而遞增，僅當(dāng)錫紙厚度在 10μm~140μm的范圍內(nèi)時(shí)，該提離信號點(diǎn)的距離點(diǎn)數(shù)與錫紙厚度的曲線線性相關(guān)性較好，而當(dāng)錫紙厚度140μm 時(shí)線性關(guān)系不好，而且由錫紙匯總圖可以看出隨著錫紙紙張數(shù)的增加提離點(diǎn)的距離越來越小，幾乎重合。 在5工件不同點(diǎn)測試其提離值（1） 首先將5，然后將探頭放在基體中心位置即為基準(zhǔn)，最后在不同位置測試其提離值，：： 5不同點(diǎn)的膜層提離點(diǎn)值A(chǔ)1=43A2=33 A3=14 A4=12A5=19A6=19A7=34A8=21A9=5A10=21A11=20A12=40A13=22A14=15A15=7A16=11A17=10A18=25 ：在A5時(shí)的測量結(jié)果 ：在A11時(shí)的測量結(jié)果：：5不同點(diǎn)的膜層提離點(diǎn)值的關(guān)系曲線 將 4試塊覆蓋薄膜（約為8090um)與5對比取80um,得距離點(diǎn)數(shù)為30經(jīng)測試，4工件在大約20um的薄膜能分辨 4工件在多少厚度的薄膜能分辨1） 首先將探頭放在基體中心位置即為基準(zhǔn)，再加上1張薄膜（一張5um），測試其提離值，并記錄數(shù)據(jù)。當(dāng)加到4張（即為20um）時(shí)，能分辨。利用EEC2004特有的多通道分析功能，選取矩形試塊5試塊進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。八通道選取的頻率分別包括低頻、中頻、高頻。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下： ： 現(xiàn)場實(shí)驗(yàn)圖 ：多通道提離信號對比圖從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出：多次的實(shí)驗(yàn)結(jié)果說明提離信號強(qiáng)度隨著頻率的增加慢慢增加，當(dāng)頻率達(dá)到2000KHz時(shí)提離軌跡長且精細(xì)、強(qiáng)度達(dá)到最大，再增加頻率時(shí)，信號就會(huì)慢慢變小。阻抗圖在2000KHz左右顯示效果達(dá)到最佳，說明DP點(diǎn)式探頭在這個(gè)范圍的頻率對特種復(fù)合材料試塊涂層具有良好的滲透性，能夠比較精確的反映出材料的特性。同樣，在以上實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，再通過實(shí)驗(yàn)來分析DP點(diǎn)式探頭在不同頻率對涂層厚度的分辨能力。分別多次測量在不同頻率條件下特種復(fù)合材料基底試塊和帶有碳化硅涂層的試塊上的渦流信號提離點(diǎn)信號的距離點(diǎn)數(shù)，測試結(jié)果如下圖所示： :頻率為1000 KHz 時(shí)的測量結(jié)果 ：頻率為2500KHz 時(shí)的測量結(jié)果 然后計(jì)算提離點(diǎn)間距離點(diǎn)數(shù)的平均值，：：不同頻率條件下的提離信號距離點(diǎn)數(shù) 頻率 KHz次數(shù)833909100011111250142816662000250033331526375818810811712310878264496474899311413087893384463879610510511710089平均值5291102112： ：激勵(lì)頻率與提離點(diǎn)信號距離點(diǎn)數(shù)平均值間的關(guān)系曲線：隨著激勵(lì)頻率的遞增，提離點(diǎn)信號距離點(diǎn)數(shù)的變化具有先遞增然后遞減的規(guī)律，同時(shí)在2000KHz左右達(dá)到最大值。所以，綜合上述試驗(yàn)可知，2000KHZ左右的檢測頻率為特種復(fù)合材料涂層厚度測量的最佳檢測頻率。（B3b面為基體面） ：薄膜厚度為38um時(shí)的測量結(jié)果 ：薄膜厚度為294um時(shí)的測量結(jié)果：厚度（μm）025385176102第一次測量0108130158256361第二次測量0112122159273389平均值0110126375厚度（μm）127147167191211231第一次測量421544608739780791第二次測量447576629715758813平均值434560727769802厚度（μm）254274294第一次測量833879936第二次測量823869946平均值828874941： .：薄膜厚度/提離信號距離點(diǎn)數(shù)關(guān)系曲線為了更好地分析研究提離點(diǎn)距離點(diǎn)數(shù)與絕緣薄膜厚度值之間的關(guān)系,將渦流提離信號距離點(diǎn)數(shù)視為自變量，絕緣薄膜厚度值視為應(yīng)變量，對試驗(yàn)測得的數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合分析,： ：提離信號距離點(diǎn)數(shù)/薄膜厚度的數(shù)據(jù)進(jìn)行多項(xiàng)式擬合的關(guān)系曲線在進(jìn)行曲線擬合的同時(shí)可以得到如下的擬合方程：（BBB3）涂層a面的厚度測量試驗(yàn)（1）以B3b為基體面，測試B1a、 B2a 、B3a面 ： B1a第四次的測量結(jié)果 ：B2a第二次的測量結(jié)果 B系列試塊測得的提離點(diǎn)距離點(diǎn)數(shù) 測量面 次數(shù)B1aB2aB3a11632092772171256333316926834341732443065160261323平均值帶入之前擬合得到的方程中可以得到近似的涂層厚度值測量面B1aB2aB3a平均值(μm) B系列試塊的近似涂層厚度值 4. 試驗(yàn)結(jié)果分析 （1）利用渦流法測量基底與帶 SiC 涂層的特種碳釬維復(fù)合材料試塊，只要選取合適的工作頻率、增益及相位，所得到的渦流信號的提離軌跡并不重合，而且兩者的距離點(diǎn)數(shù)較大，說明渦流法對特種碳纖維復(fù)合材料涂層厚度測量的靈敏度高，有利于涂層測厚。（2）SiC 涂層厚度差異較小的特種復(fù)合材料之間的提離點(diǎn)信號并不重合且有一定的差異，說明利用渦流法實(shí)施帶 SiC 涂層的特種復(fù)合材料涂層厚度的測量是有望可行的，且有較高的測量精度。 (4) 在測試帶涂層試塊時(shí)，發(fā)現(xiàn)5不同點(diǎn)的膜層提離點(diǎn)值均不同，故認(rèn)為試塊每處涂層厚度都不一樣，均存在差異。（1）利用渦流法測量基底與帶 SiC 涂層的特種碳釬維復(fù)合材料試塊，只要選取合適的工作頻率、增益及相位，所得到的渦流信號的提離軌跡并不重合，而且兩者的距離點(diǎn)數(shù)較大，說明渦流法對特種碳纖維復(fù)合材料涂層厚度測量的靈敏度高，有利于涂層測厚。（2）將檢測頻率調(diào)為最佳頻率2000kHz，利用B3b為基體面，測試不同試塊a面的提離值，結(jié)果各個(gè)提離值均有差異，說明各個(gè)涂層厚度均不一樣。5. 結(jié)論與展望 結(jié)論利用渦流法測量基底與帶 SiC 涂層的特種碳釬維復(fù)合材料試塊，只要選取合適的工作頻率、增益及相位，所得到的渦流信號的提離軌跡并不重合，而且兩者的距離點(diǎn)數(shù)較大，說明渦流法對特種碳纖維復(fù)合材料涂層厚度測量的靈敏度高，有利于涂層測厚。SiC 涂層厚度差異較小的特種復(fù)合材料之間的提離點(diǎn)信號并不重合且有一定的差異，說明利用渦流法實(shí)施帶 SiC 涂層的特種復(fù)合材料涂層厚度的測量是有望可行的，且有較高的測量精度。 在測試帶涂層試塊時(shí)，發(fā)現(xiàn)5不同點(diǎn)的膜層提離點(diǎn)值均不同，故認(rèn)為試塊每處涂層厚度都不一樣，均存在差異。多次通過做測試最佳實(shí)驗(yàn)頻率說明提離信號強(qiáng)度隨著頻率的增加慢慢增加，當(dāng)頻率達(dá)到2000KHz時(shí)提離軌跡長且精細(xì)、強(qiáng)度最大，再增加頻率時(shí)，信號會(huì)慢慢小。阻抗圖在2000KHz左右顯示效果最佳，說明DP點(diǎn)式探頭在這個(gè)范圍的頻率對特種復(fù)合材料試塊涂層具有良好的滲透性，能夠比較精確的反映材料的特性。隨著激勵(lì)頻率的遞增，提離點(diǎn)信號距離點(diǎn)數(shù)的變化具有先遞增然后遞減的規(guī)律，同時(shí)在2000KHz左右達(dá)到最大值。隨著塑料薄膜不斷增加，提離值距離點(diǎn)數(shù)也隨之增加。該研究結(jié)果為實(shí)現(xiàn)特種碳纖維復(fù)合材料涂層厚度的渦流法測量提供可靠的理論依據(jù)和技術(shù)支持。她嚴(yán)肅的科學(xué)態(tài)度，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)精神，精益求精的工作作風(fēng)，深深地感染和激勵(lì)著我。我還要感謝在一起愉快的度過畢業(yè)論文小組的同學(xué)，正是由于你們的幫助和支持，我才能克服一個(gè)一個(gè)的困難和疑惑，直至本文的順利完成。離別在即，站在人生的又一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)上，心中難免思緒萬千，一種感恩之情油然而生。由于水平有限，所寫論文難免有不足之處，懇請各位老師和學(xué)友批評和指正！30