集成門(mén)電路ppt課件-閱讀頁(yè)
2025-05-20 07:06本頁(yè)面
【正文】 130 VCC EN P M H G 1 1 具有三種輸出狀態(tài)：輸出高電平、輸出低電平和高阻狀態(tài) 。 所致，即 H門(mén)后的 二級(jí)管截止 ， M點(diǎn)電壓不變 ， 故 EN=“1”使 P點(diǎn)為 “ 1” ,由于 P點(diǎn)的 1是 H門(mén)輸出為 “ 1” ABF ?R1 R2 R4 R3 A B D3 T1 T2 T4 T5 F 4K 1K 130 VCC EN P M H G 1 1 EN=“0”時(shí)， M點(diǎn)為 ， Vb5=0V， 故 T T5均截止， 輸出為 高阻態(tài) (第三態(tài) )，相當(dāng)于開(kāi)路。 B A EN F △ 高電平有效 amp。 amp。 例：畫(huà)出輸出波形。 B .0111BZCBABAZC??????，；，A B C F TTL門(mén)閑置輸入端的處理： amp。 、與非門(mén) (1)接 ”1”(VCC)，優(yōu)點(diǎn)是不增加信號(hào)端的驅(qū)動(dòng)電流； (2)與信號(hào)端并接 使用，優(yōu)點(diǎn)是能提高邏輯可靠性， 但使信號(hào)端要提供的驅(qū)動(dòng)電流增大； (3)閑置 (TTL門(mén)輸入端閑置等效輸入為 “ 1” )。 具有制造工藝 簡(jiǎn)單 \集成度 高 \功耗 小 \抗干擾能力 強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn) 。 幾乎所有 超大規(guī)模 集成器件，如超大規(guī)模存儲(chǔ)器件 \可編程器件等都采用 CMOS工藝制造。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種 : N溝道 P溝道 耗盡型 增強(qiáng)型 耗盡型 增強(qiáng)型 MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（ N溝道） （ 1） 結(jié)構(gòu) P G S D P型基底 兩個(gè) N區(qū) SiO2絕緣層 金屬鋁 N導(dǎo)電溝道 未預(yù)留 ? N溝道增強(qiáng)型 預(yù)留 ? N溝道耗盡型 N N （ 2）邏輯符號(hào) P溝道 增強(qiáng) 型 G S D G S D N溝道增強(qiáng)型 柵極 漏極 源極 NMOSFET： VGS≥ VTN(+2V)， 形成溝道，等效開(kāi)關(guān)接通； VGS＜ VTN(+2V)， 溝道夾斷，等效開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。 溝道導(dǎo)通內(nèi)阻 小于 1K， 相對(duì)于外電路可以忽略。 UO=“1”=VDD (2)若 Ui=+5V=VDD VGS1=+5VVTN 所以 T1導(dǎo)通； VGS2=0VVTP 所以 T2截止。 0 0 OFF OFF ON ON 1 0 1 ON OFF OFF ON 1 1 0 OFF ON ON OFF 1 1 1 ON ON OFF OFF 0 A B T1 T2 T3 T4 F 二、 CMOS與非門(mén) VDD T1 T2 A B F T3 T4 三、傳輸門(mén) (模擬開(kāi)關(guān) ) 四、 CMOS漏極開(kāi)路輸出門(mén) (OD) 可實(shí)現(xiàn) “ 線與 ”， 必須外加上拉電阻，用于輸出驅(qū)動(dòng)或用于輸出電平的轉(zhuǎn)換。 一般將與門(mén)、與非門(mén)的多余輸入端接 VDD；或門(mén)、 或非門(mén)的多余輸入端接地。 Ui VDD ，輸入為 “ 1”； 2 3 Ui VDD ，輸入為
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