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次離子質(zhì)譜simsppt課件-閱讀頁

2025-05-16 02:47本頁面
  

【正文】 確定金屬氧化物的二次離子產(chǎn)額的經(jīng)驗公式。 通常分析: 1 106帕 靜態(tài) SIMS: 1 108帕 Δ 在分析過程中,表面單分子層壽命長達幾小時。 質(zhì)量歧視 :不同質(zhì)量數(shù)的離子流通率不同 Δ 噪聲 Δ 動態(tài)范圍 Δ 分析速度 六、二次離子分析方法 1. 定性分析 痕量雜質(zhì)分析 2. 定量分析 檢測到的離子流與樣品成分間的關(guān)系 ( 1)基本公式 I 177。 (xn)f C(xn,t) = Ip S177。 由于 S177。 ( 2)實際定量分析方法 標(biāo)樣法 :通用標(biāo)樣、專做標(biāo)樣 (離子注入標(biāo)樣 ) 利用大量經(jīng)驗積累或研究相對變化 3.深度剖面分析 邊剝離邊分析,通過濺射速率將時間轉(zhuǎn)化為深度。 絕對分辨與相對分辨 弧坑效應(yīng)-電子門取樣 4. 絕緣樣品分析中的“中和”問題 絕對深度分辨與相對深度分辨 弧坑效應(yīng)對 SIMS深度剖析的影響 七、最新進展與熱點 1. MCs+SIMS: Cs+離子源的優(yōu)點 Δ可提高負(fù)二次離子產(chǎn)額 Δ 濺射產(chǎn)額高,可減少深度剖析的時間 Δ MCs+有助于克服基體效應(yīng),實現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)定量分析 2. “ 后電離”技術(shù) 分析對象:濺射得到的中性粒子 優(yōu)點:減小基體效應(yīng)的影響 后電離的方法:激光、等離子體和電子 八、小結(jié) 1. 研究熱點: Δ 采用中性原子,再后電離,以提高二次離子產(chǎn)額, 減小不同元素二次離子產(chǎn)額之間的差別。 SIMS—原理示意圖: 影響二次離子產(chǎn)額的因素: ? 初級離子的能量 ? 入射角度 ? 原子序數(shù) ? 晶格取向 ? Is=Ipγocαf IS: secondary ion current Ip: primary ion current γo:total sputter yield c: fractional concentration of an element α: degree of ionzation f: mass spectrometer transmission by Helmut W. Werner SIMS—二次離子質(zhì)譜儀: (Charge neutralization) SIMS—離子源: ? 熱陰極電離型離子源 ? 雙等離子體離子源 ? 液態(tài)金屬場離子源 一次探束多樣: Ar+ 、 Xe+ … ; O、 O2+… ; Cs+、Ga+… ; CF3+、 C2F5+、 C3F7+、 SF5+ Dynamic SIMS SIMS的發(fā)展 —SNMS ? Sputter Neutral Mass Spectroscopy SIMS—局限性: ? 樣品成分復(fù)雜時識譜困難 ? 基體效應(yīng)( Matrix Effect) ? 定量分析困難 SIMS應(yīng)用示例(一): Peter S
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