太陽(yáng)電池工藝培訓(xùn)資料-閱讀頁(yè)
2025-02-01 00:13本頁(yè)面
【正文】 ECVD 間接式 PECVD 鍍減反射膜（ PECVD） 利用波的干涉原理來(lái)達(dá)到減反射效果 鍍減反射膜（ PECVD） 4 3 x y zS iH N H S i N H??制絨后與鍍膜后硅片表面的反射率對(duì)比1%6%11%16%21%26%31%36%41%46%51%300 400 500 600 700 800 900 1000 1100波長(zhǎng)反射率制絨后 鍍膜后鍍減反射膜（ PECVD） 常見(jiàn)不良片 絨面色差 /色斑： 因?yàn)榻q面不良而造成 PECVD處鍍膜不良，需從制絨工序進(jìn)行改善； 鍍減反射膜（ PECVD） 表面劃傷： 硅片鍍膜后，避免硅片與石英吸筆之間、硅片與硅片之間產(chǎn)生相互摩擦； 印刷和燒結(jié) 目的 ： 在電池上下表面各印上電極圖形，經(jīng)燒結(jié)與硅片形成歐姆接 觸。當(dāng)硅片投入燒結(jié)爐共燒時(shí)，金屬材料融入 到硅里面，之后又幾乎同時(shí)冷卻形成再結(jié)晶層，也就是在金屬 和晶體接觸界面上生長(zhǎng)出一層外延層，如果外延層內(nèi)雜質(zhì)成份 相互合適，這就獲得了歐姆接觸。 RTP（快速熱處理） 印刷和燒結(jié) 印刷和燒結(jié) 印刷后太陽(yáng)電池電池模型圖 常見(jiàn)印刷不良 虛印 漏漿 常見(jiàn)印刷不良 虛?。瘮嗑€ 單片測(cè)試和分選 ? 目的 ： 通過(guò)模擬太陽(yáng)光太陽(yáng)能電池進(jìn)行參數(shù)測(cè)試和分析，將電池片 按照一定的要求進(jìn)行分類。（具體內(nèi) 容非常復(fù)雜，這里不再贅述） ? 重要參數(shù) 光照強(qiáng)度： 100mw/cm2（即 1000W/m2） 轉(zhuǎn)換效率，功率，電池片面積（ 125單晶為例 ）的關(guān)系： 功率 =光照強(qiáng)度 *面積 *轉(zhuǎn)換效率 短路電流（ Isc），開(kāi)路電壓（ Voc），填充因子（ FF），功率的關(guān)系： 功率 =Isc*Voc*FF 最大工作電流（ Im），最大工作電壓（ Vm），功率的關(guān)系： 功率 =Im*Vm 串聯(lián)電阻（ Rs），并聯(lián)電阻（ Rsh）； 單片測(cè)試和分選 2inI s c * V o c * F F I s c * V o c * F FE f f * 1 0 0 %P * 1 0 0 0 W / m?? 電 池 片 面 積
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