化學(xué)氣相沉積ppt課件(2)-閱讀頁(yè)
2025-01-29 09:49本頁(yè)面
【正文】 CVD應(yīng)用 保形性 晶?？煽匦? 制備環(huán)境純凈 薄膜材料及器件 低維材料 超純物質(zhì) ? 原料： CH Ar、 H2 、 N CO2 ? 反應(yīng)原理： CH4 → C ＋ H2 過(guò)程： 原料準(zhǔn)備 成膜 基體預(yù)處理 表面活化 形核、生長(zhǎng) 實(shí)例 1： PECVD法制備納米金剛石薄膜 PECVD法制備納米金剛石薄膜設(shè)備示意圖 化學(xué)氣相沉積 (CVD)制備超細(xì)材料 ◆ CVD技術(shù)，主要用于材料的表面沉積鍍膜，還可以用于制備超細(xì)粉體材料、納米粉末、和纖維材料。 ◆ 其技術(shù)的 關(guān)鍵 : 是合理控制氣相沉積過(guò)程中的凝結(jié)形核及生長(zhǎng)方式 ◆ 這種方法除適用于制備氧化物外，還適于制備用液相法難于直接合成的金屬、氮化物、碳化物、硼化物等非氧化物。 ? 用 SiH4除了能合成納米 Si微粒外，還能合成 SiC和 Si3N4納米微粒，粒徑可控范圍為幾納米至70nm，粒度分布可控制在 177。合成反應(yīng)如下 ： ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ?.622.4.1243242424424334gHsS i CgHCgS i HgHsS i CgCHgS i HgHsNSigNHgS i H?????????實(shí)例：制備難生成化合物 小結(jié) ? CVD特點(diǎn) CVD應(yīng)用 保形性 晶?？煽匦? 制備環(huán)境純凈 薄膜材料及器件 低維材料 超純物質(zhì) ? 原料： 是氣態(tài)或易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)。
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