sputter基本原理培訓(xùn)-閱讀頁
2025-01-25 12:28本頁面
【正文】 高； Kr、 Xe方便，價(jià)格相對(duì)便宜； 第三章 濺射原理 3（磁控濺射） 26 32 磁控濺射示意圖 低溫 高速 磁控濺射： 第三章 濺射原理 4（射頻濺射） 27 33 射頻濺射裝置示意圖 7射頻發(fā)生器； 1基板； 2等離子體； 3射頻濺射靶； 4濺射室； 5匹配網(wǎng)絡(luò)； 6電源； 射頻濺射： 第三章 濺射原理 4（射頻濺射） 28 阻抗匹配： E r R 34 簡(jiǎn)單電路 右圖中： E：理想電源 r ：電源內(nèi)阻 R：負(fù)載電阻 當(dāng)負(fù)載電阻等于電源內(nèi)阻時(shí)，負(fù)載將獲得最大功率，這種工作狀態(tài)就稱為匹配。 阻抗匹配的兩種情況： 1. 純電阻電路負(fù)載等于電源內(nèi)阻； 2. 當(dāng)電源和負(fù)載含有阻抗成分時(shí)就必須滿足共軛關(guān)系，即電阻成分相等，電抗成分?jǐn)?shù)值相等而符合相反，這種匹配就是共軛匹配。 ? 由于設(shè)備內(nèi)的電極和擋板的布置等是變化的所以要利用匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行匹配。 目錄 第一章 真空 第二章 等離子體 第三章 濺射原理 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 第六章 濺射靶及靶材配置 31 第四章 反應(yīng)性濺射 第四章 反應(yīng)性濺射 32 在濺射鍍膜時(shí)， 有意識(shí)地將某種反應(yīng)性氣體引入濺射室并達(dá)到一定的分壓， 即可改變或控制沉積特性， 從而獲得不同于靶材的新物質(zhì)薄膜，這就叫反應(yīng)性濺射； 通入不同的反應(yīng)氣體就可以得到不同的沉積膜層： 通入氧氣可以形成氧化膜； 通入氮?dú)饪梢孕纬傻ぃ? 通入甲烷（ CH4）可以形成碳化物膜； 通入硫化氫（ H2S）可以形成硫化物膜； 反應(yīng)性濺射： 第四章 反應(yīng)性濺射 33 Pumping system target Power supply substrate Gas Aramp。 5% ＜ 300 [Ω/□] 5% ＞ %(波長(zhǎng)450～ 1100 nm光線 ) Al 400nm*m/min 200177。 5% 12 [Ω/□] 5% 無 注：此參數(shù)是暫行確定，具體參數(shù)根據(jù)實(shí)際情況可能會(huì)有改動(dòng)
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