[工學(xué)]高電壓技術(shù)-閱讀頁(yè)
2024-10-28 22:49本頁(yè)面
【正文】 固體、液體和組合絕緣的 電氣強(qiáng)度 第一節(jié) 固體介質(zhì)的擊穿特性 第二節(jié) 液體電介質(zhì)的擊穿特性 167。 ?熱擊穿理論： 在電場(chǎng)的作用下，由于電介質(zhì)損耗和泄漏等原因而使固體電介質(zhì)內(nèi)發(fā)的的熱量大于散失的熱量，使介質(zhì)溫度不斷上升，最終造成介質(zhì)本身的破壞，轉(zhuǎn)化成導(dǎo)電通道，這樣的擊穿稱為 熱擊穿 。在臨近最終擊穿階段，可能因劣化處溫度過(guò)高而以熱擊穿形式完成，也可以因劣化后電氣強(qiáng)度下降而以電擊穿形式完成。 ： 盡可能地清除固體電介質(zhì)中殘留的雜質(zhì)、氣泡、水分等，使固體介質(zhì)盡可能做得均勻致密。 ：如注意防潮，防止塵污和各種有害氣體的侵蝕，加強(qiáng)散熱冷卻。 ：光氧老化（主要）、臭氧老化、鹽霧酸堿等污染性化學(xué)老化。 ： 在較高溫度下，固體介質(zhì)會(huì)逐漸熱老化。熱老化的象征大多為介質(zhì)失去彈性 ,變僵硬，變脆．發(fā)生龜裂。 ? ? ????? ???? ?? AeAeT 0167。與此同時(shí)由碰撞電離產(chǎn)生的正離子將在陰極附近集結(jié)詞性成空間電荷層，增強(qiáng)了陰極附近的電場(chǎng)，使陰極發(fā)生的電子數(shù)增多；當(dāng)外加電壓增大到一定程度時(shí)，電子崩電流回急劇增大，從而導(dǎo)致液體介質(zhì)的擊穿。由于氣泡的 εr 最?。?≈1），其電氣強(qiáng)度又比液體介質(zhì)低得多，所以氣泡先發(fā)生電離。電離產(chǎn)生的帶電離子撞擊油分子，使它又分解出氣體，導(dǎo)致氣體通道擴(kuò)大。又稱為 小橋理論。 電氣設(shè)備絕緣試驗(yàn)概述 ?為了保證電氣設(shè)備乃至整個(gè)電力系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行 ,必須恰當(dāng)?shù)倪x擇各種電氣設(shè)備的絕緣 (包括絕緣材料和絕緣結(jié)構(gòu) ),使之具有一定的電氣強(qiáng)度 ,并且使絕緣在運(yùn)行過(guò)程中保持良好的狀態(tài) .但是由于種種原因 ,絕緣仍然是電力系統(tǒng)中的薄弱環(huán)節(jié) ,絕緣故障通常是引發(fā)電力系統(tǒng)事故的首要原因。 一、電氣設(shè)備絕緣試驗(yàn)的必要性 絕緣試驗(yàn)按后果分可分為 :非破壞性試驗(yàn)和破壞性試驗(yàn) . ① 非破壞性試驗(yàn)主要檢測(cè)絕緣除電氣強(qiáng)度以外的其他電氣性能 ,是在較低電壓下或用其他不損傷絕緣的方法進(jìn)行的 ,具有非破壞性的特性 . ② 破壞性試驗(yàn)則檢測(cè)絕緣的電氣強(qiáng)度 ,如耐壓試驗(yàn)和擊穿試驗(yàn) ,具有破壞性的特征 ,所加的試驗(yàn)電壓很高 ,以考驗(yàn)絕緣耐受各種過(guò)電壓的能力 ,試驗(yàn)過(guò)程有可能給被試絕緣帶來(lái)不可逆轉(zhuǎn)的局部損傷或整體損壞 . 為了準(zhǔn)確全面的掌握電氣設(shè)備絕緣的狀態(tài)和性能 ,這兩類試驗(yàn)都是不可缺少的 ,為了避免不必要的損失 ,一般將破壞性耐壓試驗(yàn)放到非破壞性試驗(yàn)合格通過(guò)之后再進(jìn)行 二、電氣設(shè)備絕緣試驗(yàn)的定義 三、電氣設(shè)備絕緣試驗(yàn)的分類： 絕緣試驗(yàn) 檢查性試驗(yàn) （非破壞性試驗(yàn)） 耐壓試驗(yàn) （破壞性試驗(yàn)） 的測(cè)量 167。 絕緣電阻 —— 電介質(zhì)在加壓無(wú)窮長(zhǎng)時(shí)間測(cè)得的電阻稱為 絕緣電阻 。儀表的指針也固定在此轉(zhuǎn)軸上。 當(dāng)測(cè)量某一試品 Rx時(shí)，流過(guò)線圈 LV和 LA的電流使其產(chǎn)生兩個(gè)相反方向的轉(zhuǎn)動(dòng)力矩，在兩轉(zhuǎn)矩差值的作用下 ,線圈帶動(dòng)指針旋轉(zhuǎn) ,直到兩個(gè)轉(zhuǎn)矩相互平衡時(shí)為止。 測(cè)量絕緣電阻能有效地發(fā)現(xiàn)下列缺陷： ； 受潮； ； 。 吸收比 K—— 絕緣體在加電壓 60s與 15s時(shí)分別所測(cè)得的絕緣電阻值的比值，稱為吸收比。如果絕緣良好，則比值應(yīng)大于某一定值。 1560 RRK ?110 RRP ?167。 一、泄 漏 電流測(cè)量的特點(diǎn) : 1．加在試品上的直流高壓比兆歐表的工作電壓高得多 ,能發(fā)現(xiàn)兆歐表所不能發(fā)現(xiàn)的某些缺陷。微安表的刻度則基本上是線性的，能精確讀取。 (如下圖 ) 發(fā)電機(jī)的泄漏電流變化曲線 泄漏電流 i（μA) 1 曲線 1良好絕緣 曲線 2受潮絕緣 曲線 3有集中性缺陷的絕緣 曲線 4有危險(xiǎn)的集中性缺陷的絕緣 2 3 4 二、試驗(yàn)接線圖 T V R V C PV2 PV1 μA a TO μA b 泄漏電流試驗(yàn)接線圖 ~ 測(cè)量泄漏電流的兩種測(cè)試電路 ..OTASM225圖時(shí)的測(cè)試電路被試品一極已固定接地屏蔽系統(tǒng)—測(cè)量系統(tǒng)；—被試品；—SM.. OT..OT LHKCPAPAR高電位電極—被試品； HOT —..直流微安表—低電位電極；— PAL放電管—保護(hù)電阻；— PR屏蔽系統(tǒng)—旁路開(kāi)關(guān)；—緩沖電容；— SKC125圖電流的電路圖測(cè)量泄漏低壓側(cè)和大地之間： 被試品的低壓極不直接接地時(shí) ,采用圖 521所示電路 .為減小測(cè)量誤差 ,應(yīng)將測(cè)量系統(tǒng)和被試品低壓極用屏蔽系統(tǒng) S全部屏蔽起來(lái)并接地。 觀察時(shí)應(yīng)特別注意安全 。 167。 測(cè)量 tgδ 常用高壓交流平衡電橋 (西林電橋 )，不平衡電橋 (介質(zhì)試驗(yàn)器 ),低功率因數(shù)瓦特表來(lái)測(cè)量，這里主要介紹西林電橋。 調(diào)節(jié) R3和 C4，使電橋達(dá)到平衡，即通過(guò)檢流計(jì) P的電流為零，此時(shí)有 UFA/UAD=UFB/UBD。 2. 反接線： D點(diǎn)接高電位， F點(diǎn)接地。 ） 注意： 在反接線的情況下 , 此時(shí) R3,C4,檢流計(jì) P和屏蔽網(wǎng)均處于高電位，故必須保證足夠的絕緣水平和采取可靠的保護(hù)措施。 ㈡外界電場(chǎng)的干擾。 四、測(cè) tgδ 能有效地發(fā)現(xiàn)絕緣的下列缺陷 （ 1）受潮； （ 2）穿透性導(dǎo)電通道； （ 3）絕緣內(nèi)含氣泡的電離，絕緣分層、脫殼； （ 4）絕緣老化劣化，繞組上附積油泥； （ 5）絕緣油臟污、劣化等。
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